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公开(公告)号：CN103403934B
公开(公告)日：2016-10-19
申请号：CN201180052263.1
申请日：2011-11-04
Applicant: MEC股份有限公司
IPC: H01M4/70 , H01M4/131 , H01M4/136 , H01M4/1391 , H01M4/66
CPC classification number: H01M4/70 , H01M4/136 , H01M4/5825 , H01M4/661
Abstract: 本发明提供可提升活性物质与集电体之间的电子传导性之非水电解质二次电池用正极集电体的制造方法、及非水电解质二次电池用正极之制造方法。本发明的非水电解质二次电池用正极集电体之制造方法为以蚀刻剂粗化处理铝制集电基材之表面的非水电解质二次电池用正极集电体之制造方法，其特征在于：前述蚀刻剂为由包含碱源与两性金属离子之碱性水溶液系蚀刻剂、及包含三价铁离子源、二价铜离子源、锰离子源、与无机酸之三价铁离子水溶液系蚀刻剂中所选出的一种以上。
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公开(公告)号：CN105143515A
公开(公告)日：2015-12-09
申请号：CN201480021975.0
申请日：2014-02-19
Applicant: MEC股份有限公司
CPC classification number: H05K3/067 , C23F1/18 , H05K2201/0338
Abstract: 本发明涉及可抑制铜线路图案的侧蚀的铜的蚀刻液、其补充液及线路形成方法。铜的蚀刻液包括包含铜离子、卤化物离子及非离子性界面活性剂的酸性水溶液，所述非离子性界面活性剂的浊点为15～55℃。根据本发明的线路形成方法，通过将所述蚀刻液依序接触铜层(3)及金属氧化物层(2)，可形成包含经图案化的金属氧化物层(9)及铜线路图案(7)的叠层线路图案(10)。
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公开(公告)号：CN105143515B
公开(公告)日：2019-03-08
申请号：CN201480021975.0
申请日：2014-02-19
Applicant: MEC股份有限公司
Abstract: 本发明涉及可抑制铜线路图案的侧蚀的铜的蚀刻液、其补充液及线路形成方法。铜的蚀刻液包括包含铜离子、卤化物离子及非离子性界面活性剂的酸性水溶液，所述非离子性界面活性剂的浊点为15～55℃。根据本发明的线路形成方法，通过将所述蚀刻液依序接触铜层(3)及金属氧化物层(2)，可形成包含经图案化的金属氧化物层(9)及铜线路图案(7)的叠层线路图案(10)。
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公开(公告)号：CN103173226A
公开(公告)日：2013-06-26
申请号：CN201210524348.1
申请日：2012-12-07
Applicant: MEC股份有限公司
Abstract: 本发明提供一种能够选择性地蚀刻金属氧化物层的配线形成方法、配线形成用蚀刻液。在本发明的制造方法中，通过实施使蚀刻液与在表面形成有含铜层的导体图案的金属氧化物层的未层叠有上述导体图案的部分进行接触，蚀刻上述部分的金属氧化物层的蚀刻工序，从而形成含有经图案化的金属氧化物层和上述铜层的配线。上述金属氧化物层含有选自锌、锡、铝、铟和镓中的一种以上的金属的氧化物。上述蚀刻液是含有硫羰基化合物和卤化物离子的酸性水溶液。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103820783A
公开(公告)日：2014-05-28
申请号：CN201410058148.0
申请日：2011-12-09
Applicant: MEC股份有限公司
Abstract: 提供一种蚀刻方法，所述方法使用蚀刻剂对同时存在有金属氧化物层和铜层的被处理物进行处理，由此选择性地对所述铜层进行蚀刻，所述金属氧化物层是包含选自Zn、Sn、Al、In以及Ga中的1种以上金属的氧化物，所述蚀刻剂的特征在于：所述蚀刻剂包括以铜离子计为0.1～3.0重量%的铜(II)离子源；0.1～30.0重量%的碳数为6以下的有机酸；以及含有0.1～30.0重量%的含氮化合物的水溶液，所述含氮化合物为选自由环内具有2个以上氮原子的杂环化合物以及碳数为8以下的含氨基化合物所构成的组中的1种以上，所述蚀刻剂的pH为5.0～10.5。
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公开(公告)号：CN102560497A
公开(公告)日：2012-07-11
申请号：CN201110409498.3
申请日：2011-12-09
Applicant: MEC股份有限公司
Abstract: 提供一种用于蚀刻同时存在有金属氧化物层和铜层的被处理物而可以选择性地蚀刻所述铜层的蚀刻剂及使用所述蚀刻剂的蚀刻方法。一种蚀刻剂，其用于蚀刻同时存在有金属氧化物层和铜层的被处理物而选择性地蚀刻所述铜层，所述金属氧化物层是包含选自Zn、Sn、Al、In以及Ga中的1种以上金属的氧化物，所述蚀刻剂的特征在于：所述蚀刻剂包括以铜离子计为0.1～3.0重量％的铜(II)离子源；0.1～30.0重量％的碳数为6以下的有机酸；以及含有0.1～30.0重量％的含氮化合物的水溶液，所述含氮化合物为选自由环内具有2个以上氮原子的杂环化合物以及碳数为8以下的含氨基化合物所构成的组中的1种以上，所述蚀刻剂的pH为5.0～10.5。
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公开(公告)号：CN103173226B
公开(公告)日：2016-07-06
申请号：CN201210524348.1
申请日：2012-12-07
Applicant: MEC股份有限公司
Abstract: 本发明提供一种能够选择性地蚀刻金属氧化物层的配线形成方法以及配线形成用蚀刻液。在本发明的制造方法中，通过实施使蚀刻液与在表面形成有含铜层的导体图案的金属氧化物层的未层叠有上述导体图案的部分进行接触，蚀刻上述部分的金属氧化物层的蚀刻工序，从而形成含有经图案化的金属氧化物层和上述铜层的配线。上述金属氧化物层含有选自锌、锡、铝、铟和镓中的一种以上的金属的氧化物。上述蚀刻液是含有硫羰基化合物和卤化物离子的酸性水溶液。
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公开(公告)号：CN102560497B
公开(公告)日：2014-10-15
申请号：CN201110409498.3
申请日：2011-12-09
Applicant: MEC股份有限公司
Abstract: 提供一种用于蚀刻同时存在有金属氧化物层和铜层的被处理物而可以选择性地蚀刻所述铜层的蚀刻剂及使用所述蚀刻剂的蚀刻方法。一种蚀刻剂，其用于蚀刻同时存在有金属氧化物层和铜层的被处理物而选择性地蚀刻所述铜层，所述金属氧化物层是包含选自Zn、Sn、Al、In以及Ga中的1种以上金属的氧化物，所述蚀刻剂的特征在于：所述蚀刻剂包括以铜离子计为0.1～3.0重量％的铜(II)离子源；0.1～30.0重量％的碳数为6以下的有机酸；以及含有0.1～30.0重量％的含氮化合物的水溶液，所述含氮化合物为选自由环内具有2个以上氮原子的杂环化合物以及碳数为8以下的含氨基化合物所构成的组中的1种以上，所述蚀刻剂的pH为5.0～10.5。
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公开(公告)号：CN103403934A
公开(公告)日：2013-11-20
申请号：CN201180052263.1
申请日：2011-11-04
Applicant: MEC股份有限公司
IPC: H01M4/70 , H01M4/131 , H01M4/136 , H01M4/1391 , H01M4/66
CPC classification number: H01M4/70 , H01M4/136 , H01M4/5825 , H01M4/661
Abstract: 本发明提供可提升活性物质与集电体之间的电子传导性之非水电解质二次电池用正极集电体的制造方法、及非水电解质二次电池用正极之制造方法。本发明的非水电解质二次电池用正极集电体之制造方法为以蚀刻剂粗化处理铝制集电基材之表面的非水电解质二次电池用正极集电体之制造方法，其特征在于：前述蚀刻剂为由包含碱源与两性金属离子之碱性水溶液系蚀刻剂、及包含三价铁离子源、二价铜离子源、锰离子源、与无机酸之三价铁离子水溶液系蚀刻剂中所选出的一种以上。
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