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公开(公告)号：CN103534802A
公开(公告)日：2014-01-22
申请号：CN201280021177.9
申请日：2012-05-21
Applicant: E.I.内穆尔杜邦公司
IPC: H01L23/15 , H01L23/498 , H05K1/03 , H05K3/46
CPC classification number: H01L23/15 , H01L23/49822 , H01L2924/0002 , H01L2924/09701 , H05K1/165 , H05K3/4061 , H05K3/4629 , H05K2201/0317 , H05K2201/0352 , H01L2924/00
Abstract: 本文公开了包括多层低温共烧陶瓷的多层低温共烧陶瓷（LTCC）结构，所述多层低温共烧陶瓷包括玻璃-陶瓷介电层，所述玻璃-陶瓷介电层具有在所述层的部分上的丝网印刷厚膜内导体，并具有沉积在LTCC的上部外表面和下部外表面上的薄膜外导体。以线的形式将薄膜外导体的至少一部分图案化，并且线之间的间距小于50μm。本发明还公开了用于制造所述LTCC结构的方法。
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公开(公告)号：CN102149847A
公开(公告)日：2011-08-10
申请号：CN200980135945.1
申请日：2009-10-02
Applicant: E.I.内穆尔杜邦公司
CPC classification number: H05K3/4661 , C03C8/04 , C03C8/18 , C23C18/1601 , C23C18/1646 , C23C18/1651 , C23C18/42 , C23C18/54 , H01B1/22 , H01L21/4867 , H05K1/092 , H05K3/246 , H05K2203/072
Abstract: 本发明描述了具有含银的外部电触点的LTCC器件，所述LTCC器件先后用含镍金属和含金金属电镀。
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公开(公告)号：CN1974450B
公开(公告)日：2014-11-19
申请号：CN200610162473.7
申请日：2006-11-15
Applicant: E.I.内穆尔杜邦公司
IPC: C03C3/068
CPC classification number: C03C3/068 , C03C3/19 , C03C3/21 , C03C3/253 , H01L31/00 , H05K1/0306 , Y10T29/49117 , Y10T428/24926
Abstract: 一种玻璃组合物，以摩尔百分含量为基准计，该组合物主要由以下组分组成：46-56摩尔％的B2O3，0.5-8.5摩尔％的P2O5、SiO2或它们的混合物，20-50摩尔％的CaO，2-15摩尔％的Ln2O3，其中Ln选自稀土元素或它们的混合物；0-6摩尔％的M’2O，其中M’选自碱金属元素；以及0-10摩尔％的Al2O3，前提是该组合物是可用水研磨的。
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公开(公告)号：CN1812691A
公开(公告)日：2006-08-02
申请号：CN200610004648.1
申请日：2006-01-26
Applicant: E.I.内穆尔杜邦公司
CPC classification number: H01L23/15 , B32B18/00 , C03C14/004 , C04B35/4682 , C04B2235/3255 , C04B2235/326 , C04B2235/3287 , C04B2235/3296 , C04B2235/3418 , C04B2235/36 , C04B2235/9615 , H01L21/4857 , H01L23/49822 , H01L23/49894 , H01L2924/0002 , H01L2924/09701 , H05K1/0306 , H05K1/162 , H05K3/4626 , H05K3/4629 , H05K3/4688 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及生产共焙烧、金属化的高介电常数陶瓷芯体的方法，该方法包括：提供包含至少一层芯带的前体素坯层压物，其中所述芯带的介电常数至少为20；和焙烧所述前体素坯层压物。方法还涉及生产低温共焙烧陶瓷结构的方法，该方法包括：提供包含至少一层芯带的前体素坯层压物，其中所述芯带的介电常数至少为20；在第一次焙烧中焙烧所述前体素坯层压物，形成高介电常数陶瓷芯体；提供一层或多层金属化的低介电常数初级带；将一层或多层所述金属化的低介电常数初级带层压到所述芯体上；和在第二次焙烧中焙烧所述芯体和初级带层。
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公开(公告)号：CN1891454A
公开(公告)日：2007-01-10
申请号：CN200610059998.8
申请日：2006-01-26
Applicant: E.I.内穆尔杜邦公司
CPC classification number: C03C14/004 , B32B18/00 , C04B35/4682 , C04B35/495 , C04B35/499 , C04B2235/3215 , C04B2235/3232 , C04B2235/3236 , C04B2235/3251 , C04B2235/3255 , C04B2235/3258 , C04B2235/326 , C04B2235/3272 , C04B2235/3287 , C04B2235/3296 , C04B2235/3418 , C04B2235/36 , C04B2235/9615 , H01G4/30 , H01L21/4857 , H01L23/49894 , H01L2924/0002 , H01L2924/09701 , Y10T428/24926 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及一种制造低温共烧制陶瓷结构的方法，该方法包括：提供包括至少一层芯带的前体生材层压体，所述芯带的介电常数至少为20；提供一层或多层自约束带；提供一层或多层初级带；排列所述芯带层、自约束带层和初级带层；对所述芯带层，自约束带层和初级带层进行层压和共烧制，形成所述陶瓷结构。
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Patent Agency Ranking
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公开(公告)号：CN1974450A
公开(公告)日：2007-06-06
申请号：CN200610162473.7
申请日：2006-11-15
Applicant: E.I.内穆尔杜邦公司
IPC: C03C3/068
CPC classification number: C03C3/068 , C03C3/19 , C03C3/21 , C03C3/253 , H01L31/00 , H05K1/0306 , Y10T29/49117 , Y10T428/24926
Abstract: 一种玻璃组合物，以摩尔百分含量为基准计，该组合物主要由以下组分组成：46－56摩尔％的B2O3，0.5－8.5摩尔％的P2O5、SiO2或它们的混合物，20－50摩尔％的CaO，2－15摩尔％的Ln2O3，其中Ln选自稀土元素或它们的混合物；0－6摩尔％的M’2O，其中M’选自碱金属元素；以及0－10摩尔％的Al2O3，前提是该组合物是可用水研磨的。
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公开(公告)号：CN1913044A
公开(公告)日：2007-02-14
申请号：CN200610077666.2
申请日：2006-04-25
Applicant: E.I.内穆尔杜邦公司
CPC classification number: H05K1/097 , C03C3/062 , C03C3/074 , C03C3/091 , C03C3/108 , C03C8/04 , C03C8/10 , C03C8/18 , H01B1/22 , H01L23/49883 , H01L2924/0002 , H01L2924/09701 , H05K3/4061 , H05K3/4614 , H05K3/4629 , H05K2203/1131 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及一种用于低温共焙烧陶瓷电路的厚膜组合物，以总厚膜组合物的重量百分数表示，它包含：(a)30－98重量％细粉碎的颗粒，选自贵金属、贵金属合金以及它们的混合物；(b)一种或多种选择的无机粘合剂和/或它们的混合物；分散在(c)有机介质中；其中，所述玻璃组合物在焙烧条件下与低温共焙烧的陶瓷基材玻璃中残余的玻璃不混溶或部分混溶。本发明还涉及使用上述组合物来形成多层电路的方法，以及组合物在高频用途(包括微波用途)中的用途。
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公开(公告)号：CN103748048A
公开(公告)日：2014-04-23
申请号：CN201280041429.4
申请日：2012-08-29
Applicant: E.I.内穆尔杜邦公司
CPC classification number: H01B3/085 , C03C12/00 , H05K1/0306 , H05K3/4629 , Y10T428/24942
Abstract: 本发明提供了用于具有低K值和低收缩的LTCC生料带的新型组合物，以及十至二十层或更多层的生料带连同常规LTCC生料带的复合层压体。
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公开(公告)号：CN1913044B
公开(公告)日：2011-10-12
申请号：CN200610077666.2
申请日：2006-04-25
Applicant: E.I.内穆尔杜邦公司
CPC classification number: H05K1/097 , C03C3/062 , C03C3/074 , C03C3/091 , C03C3/108 , C03C8/04 , C03C8/10 , C03C8/18 , H01B1/22 , H01L23/49883 , H01L2924/0002 , H01L2924/09701 , H05K3/4061 , H05K3/4614 , H05K3/4629 , H05K2203/1131 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及一种用于低温共焙烧陶瓷电路的厚膜组合物，以总厚膜组合物的重量百分数表示，它包含：(a)30-98重量％细粉碎的颗粒，选自贵金属、贵金属合金以及它们的混合物；(b)一种或多种选择的无机粘合剂和/或它们的混合物；分散在(c)有机介质中；其中，所述玻璃组合物在焙烧条件下与低温共焙烧的陶瓷基材玻璃中残余的玻璃不混溶或部分混溶。本发明还涉及使用上述组合物来形成多层电路的方法，以及组合物在高频用途(包括微波用途)中的用途。
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