公开(公告)号：CN102460672B

公开(公告)日：2016-04-20

申请号：CN201080028092.4

申请日：2010-06-14

Applicant: 鲁道夫科技公司

Inventor： 大卫·S·马克斯 ,  大卫·L·格朗特

IPC: H01L21/66

CPC classification number: G01B11/22 ,  G01B2210/56

Abstract: 一种用于直接地测量在包括蚀刻表面(82)和非蚀刻表面(84)的晶片(80)上的高高宽比蚀刻部件的深度的系统(10)。该系统(10)使用红外线反射计(12)，该红外线反射计(12)在一个优选实施例中包括扫描激光器(14)、光纤环行器(16)、光电检测器(22)和组合准直仪(18)与物镜(20)。从物镜(20)产生聚焦入射光(23)，该聚焦入射光(23)被施加到晶片(80)的非蚀刻表面(84)。从晶片(80)产生反射光(25)，该反射光(25)通过反射计(12)被处理，并且被施加到ADC(24)，在ADC(24)处产生对应的数字数据信号(29)。数字数据信号(29)被施加到计算机(30)，计算机(30)与软件(32)组合地测量蚀刻部件的深度，然后在显示器(34)上观看该深度。

公开(公告)号：CN105051485B

公开(公告)日：2018-05-04

申请号：CN201480017566.3

申请日：2014-01-23

Applicant: 鲁道夫科技公司

Inventor： 拉吉夫·罗伊 ,  大卫·格兰特 ,  大卫·S·马克斯 ,  汉·朱

IPC: G01B11/00 ,  G01B9/02 ,  G01N21/00

CPC classification number: G01B11/272 ,  G01B9/02044 ,  G01B9/0209 ,  G01N21/95692 ,  H01L22/12 ,  H01L2224/16 ,  H01L2924/15311

Abstract: 描述了一种用于表征微制造过程及其产品的方法。通过确定TSV的顶端和底端的几何形状和位置，对形成有TSV的衬底进行了评估。可对所述衬底上形成的各个TSV以及TSV的整个图案进行评估。

公开(公告)号：CN105051485A

公开(公告)日：2015-11-11

申请号：CN201480017566.3

申请日：2014-01-23

Applicant: 鲁道夫科技公司

Inventor： 拉吉夫·罗伊 ,  大卫·格兰特 ,  大卫·S·马克斯 ,  汉·朱

IPC: G01B11/00 ,  G01B9/02 ,  G01N21/00

CPC classification number: G01B11/272 ,  G01B9/02044 ,  G01B9/0209 ,  G01N21/95692 ,  H01L22/12 ,  H01L2224/16 ,  H01L2924/15311

Abstract: 描述了一种用于表征微制造过程及其产品的方法。通过确定TSV的顶端和底端的几何形状和位置，对形成有TSV的衬底进行了评估。可对所述衬底上形成的各个TSV以及TSV的整个图案进行评估。