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发明授权
用于直接地测量在晶片上的高高宽比蚀刻部件的深度的系统有权转让

公开(公告)号：CN102460672B

公开(公告)日：2016-04-20

申请号：CN201080028092.4

申请日：2010-06-14

Applicant: 鲁道夫科技公司

Inventor： 大卫·S·马克斯 , 大卫·L·格朗特

IPC: H01L21/66

CPC classification number: G01B11/22 , G01B2210/56

Abstract: 一种用于直接地测量在包括蚀刻表面(82)和非蚀刻表面(84)的晶片(80)上的高高宽比蚀刻部件的深度的系统(10)。该系统(10)使用红外线反射计(12)，该红外线反射计(12)在一个优选实施例中包括扫描激光器(14)、光纤环行器(16)、光电检测器(22)和组合准直仪(18)与物镜(20)。从物镜(20)产生聚焦入射光(23)，该聚焦入射光(23)被施加到晶片(80)的非蚀刻表面(84)。从晶片(80)产生反射光(25)，该反射光(25)通过反射计(12)被处理，并且被施加到ADC(24)，在ADC(24)处产生对应的数字数据信号(29)。数字数据信号(29)被施加到计算机(30)，计算机(30)与软件(32)组合地测量蚀刻部件的深度，然后在显示器(34)上观看该深度。

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