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公开(公告)号：CN104272406A
公开(公告)日：2015-01-07
申请号：CN201380023113.7
申请日：2013-04-18
Applicant: 高通MEMS科技公司
CPC classification number: H05K3/465 , H01F27/2804 , H01F2017/002 , H01F2017/004
Abstract: 本发明提供电感器、变压器和相关过程的实施方案。在一个方面中，装置包含具有第一和第二表面的衬底。第一感应布置包含第一组通孔、第二组通孔、布置于所述第一表面上的连接所述第一和第二通孔的第一组迹线，以及布置于所述第二表面上的连接所述第一和第二通孔的第二组迹线。第二感应布置与所述第一感应布置感应耦合且交错，并且包含第三组通孔、第四组通孔、布置于所述第一表面上的连接所述第三和第四通孔的第三组迹线，以及布置于所述第二表面上的连接所述第三和第四通孔的第四组迹线。一或多组电介质层使所述迹线的部分彼此绝缘。
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公开(公告)号：CN104520990A
公开(公告)日：2015-04-15
申请号：CN201380041363.3
申请日：2013-07-30
Applicant: 高通MEMS科技公司
Inventor： 拉温德拉·V·社诺伊 , 赖关余 , 菲利普·贾森·斯蒂法诺 , 马里奥·弗朗西斯科·韦莱兹 , 龙海·金 , 叶夫根尼·彼得罗维奇·古塞夫
IPC: H01L25/10 , H01L23/498 , H01L23/15 , H01L21/48 , H01L23/31
Abstract: 本发明提供用于可在紧凑的三维封装中使用的玻璃通孔棒的系统、方法及设备，包含堆叠式封装PoP。所述玻璃通孔棒可在所述PoP中提供高密度电互连件。在一些实施方案中，所述玻璃通孔棒可包含集成无源组件。还提供使用玻璃通孔棒的封装方法。
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公开(公告)号：CN103975525A
公开(公告)日：2014-08-06
申请号：CN201280048214.5
申请日：2012-09-20
Applicant: 高通MEMS科技公司
Inventor： 左诚杰 , 长汉·运 , 智升·罗 , 卫斯里·纳桑尼尔·艾伦 , 马里奥·弗朗西斯科·韦莱兹 , 龙海·金
CPC classification number: H03H9/462 , H03H9/02228 , H03H9/2405 , H03H9/2426 , H03H2009/02503 , H03H2009/241
Abstract: 本发明揭示机电系统扩张模式共振器DMR结构。所述DMR包含第一电极层、第二电极层及由压电材料形成的压电层。所述压电层具有包含以下各项的尺寸：在X轴与垂直于所述X轴的Y轴的平面中的横向距离D以及沿垂直于所述X轴及所述Y轴的Z轴的厚度T。所述厚度与所述横向距离的数值比T/D经配置以响应于提供到所述电极中的一者或一者以上的信号而提供所述压电层的具有沿所述Z轴及沿所述X轴与所述Y轴的所述平面的位移的振动模式。梯式滤波器电路可构造有DMR作为串联及/或分路元件，且所述共振器可具有螺旋配置。
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公开(公告)号：CN104737449A
公开(公告)日：2015-06-24
申请号：CN201380054292.0
申请日：2013-08-26
Applicant: 高通MEMS科技公司
Inventor： 左诚杰 , 龙海·金 , 章汉·霍比·云 , 朴相俊 , 菲利普·贾森·斯蒂法诺 , 智升·罗 , 罗伯特·保罗·米库尔卡 , 马里奥·弗朗西斯科·韦莱兹 , 其他发明人请求不公开姓名
CPC classification number: H03H9/02157 , H03H9/02574 , H03H9/205 , H03H9/2405 , H03H2009/02503 , H03H2009/02527 , H03H2009/241
Abstract: 本发明提供与声学谐振器相关的系统、方法及设备，所述声学谐振器包含用于使得能够选择性地调谐一或多个声学或机电性质的复合转换层(116，118)。在一方面，谐振器结构包含一或多个第一电极(142)、一或多个第二电极(144)及布置于所述第一及第二电极之间的转换层(116，118)。所述转换层包含多个构成层。在一些实施方案中，所述构成层包含一或多个第一压电层及一或多个第二压电层。所述转换层经配置以响应于被提供到所述第一及第二电极的信号提供具有沿着z轴的位移分量的所述转换层的至少第一振动模式及具有沿着x轴及y轴的平面的位移分量的所述转换层的至少第二振动模式。
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公开(公告)号：CN104508766A
公开(公告)日：2015-04-08
申请号：CN201380039110.2
申请日：2013-07-17
Applicant: 高通MEMS科技公司
Inventor： 智升·罗 , 杰雄·杰弗里·蓝 , 马里奥·弗朗西斯科·韦莱兹 , 罗伯特·保罗·米库尔卡 , 左诚杰 , 章汉·霍比·云 , 龙海·金
IPC: H01F17/00 , H01L23/522 , H01L49/02 , G02B26/00
CPC classification number: H01F17/0006 , G02B26/001 , H01F27/2804 , H01L23/5227 , H01L28/10 , H01L2924/00 , H01L2924/0002
Abstract: 本发明提供用于例如无源装置等集成电路结构中的通孔的系统、方法及设备。在一个方面中，集成式无源装置包含第一导电迹线及在所述第一导电迹线上的第二导电迹线，其中层问电介质在所述第一导电迹线的一部分与所述第二导电迹线之间。一或多个通孔提供于所述层问电介质内以提供所述第一导电迹线与所述第二导电迹线之间的电连接。所述通孔的宽度大于所述导电迹线中的至少一者的宽度。
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公开(公告)号：CN103858343A
公开(公告)日：2014-06-11
申请号：CN201280048119.5
申请日：2012-09-20
Applicant: 高通MEMS科技公司
Inventor： 左诚杰 , 长汉·运 , 智升·罗 , 卫斯里·纳桑尼尔·艾伦 , 马里奥·弗朗西斯科·韦莱兹 , 龙海·金 , 周山虎
CPC classification number: H03H9/462 , H03H9/02228 , H03H9/2405 , H03H9/2426 , H03H2009/02503 , H03H2009/241
Abstract: 本发明揭示机电系统扩张模式共振器DMR结构。所述DMR包含第一电极层、第二电极层及由压电材料形成的压电层。所述压电层具有包含以下各项的尺寸：在X轴与垂直于所述X轴的Y轴的平面中的横向距离D以及沿垂直于所述X轴及所述Y轴的Z轴的厚度T。所述厚度与所述横向距离的数值比T／D经配置以响应于提供到所述电极中的一者或一者以上的信号而提供所述压电层的其中沿所述Z轴及沿所述X轴与所述Y轴的所述平面位移的振动模式。梯形滤波器电路可构造有DMR作为串联及／或分路元件，且所述共振器可具有螺旋配置。
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