公开(公告)号：CN103975525A

公开(公告)日：2014-08-06

申请号：CN201280048214.5

申请日：2012-09-20

Applicant: 高通MEMS科技公司

Inventor： 左诚杰 ,  长汉·运 ,  智升·罗 ,  卫斯里·纳桑尼尔·艾伦 ,  马里奥·弗朗西斯科·韦莱兹 ,  龙海·金

IPC: H03H9/24 ,  H03H9/02 ,  H03H9/46

CPC classification number: H03H9/462 ,  H03H9/02228 ,  H03H9/2405 ,  H03H9/2426 ,  H03H2009/02503 ,  H03H2009/241

Abstract: 本发明揭示机电系统扩张模式共振器DMR结构。所述DMR包含第一电极层、第二电极层及由压电材料形成的压电层。所述压电层具有包含以下各项的尺寸：在X轴与垂直于所述X轴的Y轴的平面中的横向距离D以及沿垂直于所述X轴及所述Y轴的Z轴的厚度T。所述厚度与所述横向距离的数值比T/D经配置以响应于提供到所述电极中的一者或一者以上的信号而提供所述压电层的具有沿所述Z轴及沿所述X轴与所述Y轴的所述平面的位移的振动模式。梯式滤波器电路可构造有DMR作为串联及/或分路元件，且所述共振器可具有螺旋配置。

公开(公告)号：CN103858343A

公开(公告)日：2014-06-11

申请号：CN201280048119.5

申请日：2012-09-20

Applicant: 高通MEMS科技公司

Inventor： 左诚杰 ,  长汉·运 ,  智升·罗 ,  卫斯里·纳桑尼尔·艾伦 ,  马里奥·弗朗西斯科·韦莱兹 ,  龙海·金 ,  周山虎

IPC: H03H9/46 ,  H03H9/02 ,  H03H9/24

CPC classification number: H03H9/462 ,  H03H9/02228 ,  H03H9/2405 ,  H03H9/2426 ,  H03H2009/02503 ,  H03H2009/241

Abstract: 本发明揭示机电系统扩张模式共振器DMR结构。所述DMR包含第一电极层、第二电极层及由压电材料形成的压电层。所述压电层具有包含以下各项的尺寸：在X轴与垂直于所述X轴的Y轴的平面中的横向距离D以及沿垂直于所述X轴及所述Y轴的Z轴的厚度T。所述厚度与所述横向距离的数值比T／D经配置以响应于提供到所述电极中的一者或一者以上的信号而提供所述压电层的其中沿所述Z轴及沿所述X轴与所述Y轴的所述平面位移的振动模式。梯形滤波器电路可构造有DMR作为串联及／或分路元件，且所述共振器可具有螺旋配置。