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公开(公告)号：CN117112286A
公开(公告)日：2023-11-24
申请号：CN202311125095.5
申请日：2023-09-01
Applicant: 飞腾信息技术有限公司
Abstract: 本说明书实施方式提供了一种纠错方法、纠错系统及存储介质，所述纠错方法在第一通路模式下，可以满足不同类型的存储器对于操作指令的传输需求，满足了特定类型的存储器(例如NOR FLASH)只会在接收到完整的八位数据时才能识别是否为操作指令的要求，使得所述纠错方法可以在第一通路模式下，满足SRAM、DRAM和NOR FLASH等各种类型的存储器的指令传输需求，提高了纠错方法的适应性。
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公开(公告)号：CN116430212B
公开(公告)日：2023-08-22
申请号：CN202310692191.1
申请日：2023-06-13
Applicant: 飞腾信息技术有限公司
Abstract: 本申请公开了一种芯片闩锁状态的监测方法、微处理器和相关设备，包括：监测芯片的电源数据；在确定电源数据的增大速度小于或等于预设速度的情况下，获取芯片所处的工作状态，其中芯片所处的工作状态关联有对应的目标电源数据；基于电源数据和目标电源数据，确定芯片是否处于闩锁状态。基于此，可以针对不同的工作状态设定不同的目标电源数据，例如，可以对电源数据较大的工作状态设定较大的目标电源数据，对电源数据较小的工作状态设定较小的目标电源数据，从而可以排除因工作状态为电源数据较大的工作状态、目标电源数据为较小的电源数据，而导致误判为闩锁状态的情况，进而可以提高芯片闩锁状态的监测准确性。
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公开(公告)号：CN116430212A
公开(公告)日：2023-07-14
申请号：CN202310692191.1
申请日：2023-06-13
Applicant: 飞腾信息技术有限公司
Abstract: 本申请公开了一种芯片闩锁状态的监测方法、微处理器和相关设备，包括：监测芯片的电源数据；在确定电源数据的增大速度小于或等于预设速度的情况下，获取芯片所处的工作状态，其中芯片所处的工作状态关联有对应的目标电源数据；基于电源数据和目标电源数据，确定芯片是否处于闩锁状态。基于此，可以针对不同的工作状态设定不同的目标电源数据，例如，可以对电源数据较大的工作状态设定较大的目标电源数据，对电源数据较小的工作状态设定较小的目标电源数据，从而可以排除因工作状态为电源数据较大的工作状态、目标电源数据为较小的电源数据，而导致误判为闩锁状态的情况，进而可以提高芯片闩锁状态的监测准确性。
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公开(公告)号：CN114814537A
公开(公告)日：2022-07-29
申请号：CN202210407307.8
申请日：2022-04-18
Applicant: 飞腾信息技术有限公司
IPC: G01R31/28
Abstract: 本申请提供了一种定位装置和定位方法，用于定位电路板和绝缘垫，定位装置包括：第一定位臂；第二定位臂，与所述第一定位臂转动连接；多个定位组件，分别滑动的设置在所述第一定位臂和所述第二定位臂上；其中，所述第一定位臂和所述第二定位臂能进行多个角度的定位，以使所述第一定位臂和所述第二定位臂之间具有不同的夹角；所述定位组件能在所述第一定位臂和所述第二定位臂的多个位置进行定位；被定位的多个所述定位组件能穿过所述电路板和所述绝缘垫上的多个定位孔并与所述定位孔匹配。上述定位装置，能够使绝缘垫更加精准的粘贴到电路板上，以提升芯片的测试性能。
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公开(公告)号：CN114464585B
公开(公告)日：2022-07-12
申请号：CN202210376468.5
申请日：2022-04-12
Applicant: 飞腾信息技术有限公司
IPC: H01L23/49
Abstract: 本发明提供了一种半导体基板、半导体器件、集成电路系统和电子设备，其中，半导体基板包括基板主体以及位于基板主体第一侧的多个第一管脚；基板主体的第二侧可封装芯片，第二侧与第一侧相对设置；基板主体的第一侧表面至少包括第一区域和第二区域，第一区域内的第一管脚包括电源管脚和接地管脚，电源管脚和接地管脚可分别与去耦电容的两端电连接，第一区域内的第一管脚的分布密度由去耦电容的尺寸和数量决定；第二区域内的第一管脚的分布密度大于第一区域内的第一管脚的分布密度，以在第一区域内对应设置相应尺寸和数量的去耦电容，使得去耦电容的降噪效果满足要求的同时，缩小半导体基板的面积以及半导体器件即封装芯片的封装面积。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117129830A
公开(公告)日：2023-11-28
申请号：CN202311068264.6
申请日：2023-08-23
Applicant: 飞腾信息技术有限公司
IPC: G01R31/28
Abstract: 本申请提供一种单粒子试验测试方法、装置、电子设备及存储介质，单粒子试验测试方法通过对核、内存、外设进行单粒子试验时，屏蔽掉待测芯片上除被测试的核或内存或外设外的其余电路，然后从核的测试结果、内存的测试结果和外设的测试结果中，确定出表征测试不达标的目标测试结果；目标测试结果对应的功能电路为待测芯片上的异常功能电路。这样就可以在实现单粒子试验的同时，避免将非测试对象的错误统计到该测试对象的错误中，提高测试结果的可靠性和准确性。
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公开(公告)号：CN111929495A
公开(公告)日：2020-11-13
申请号：CN202010977291.5
申请日：2020-09-17
Applicant: 天津飞腾信息技术有限公司
IPC: G01R21/06
Abstract: 本发明公开了一种内存功耗测试装置、系统及其应用方法，本发明装置包括带有内存槽和金手指的内存转接板，内存转接板为多层PCB板，内存转接板上设有用于走高速信号的第一层和用于作为高速信号的参考平面的第二层，第一层的每一根信号走线直接连接在内存槽和金手指上的信号端子之间，第二层的每一根信号走线至少一侧放置电容，该电容串联于内存槽和金手指的信号参考平面之间，且内存槽和金手指的信号参考平面之间串联有电阻，电阻两端分别连接有测试信号输出端子。本发明可单独检测出内存条功耗、以便将内存控制器和内存条功耗分开，而且采用了电容的交流耦合的方法去解决参考平面不连续问题，同时又能满足直流电源只能从电阻通过的设计需求。
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公开(公告)号：CN117031254A
公开(公告)日：2023-11-10
申请号：CN202311068535.8
申请日：2023-08-23
Applicant: 飞腾信息技术有限公司
IPC: G01R31/28
Abstract: 本申请提供一种单粒子试验测试方法、装置、电子设备及存储介质，方法应用于单粒子试验系统，通过所述控制器控制所述测试系统启动单粒子试验，并控制所述可移动屏蔽罩移动，在单粒子试验过程中通过所述开口按照预设轨迹对所述待测芯片进行裸露，以使所述测试系统发出的粒子通过所述开口对所述待测芯片的裸露位置进行辐射；通过所述控制器获取在所述可移动屏蔽罩的移动过程中所述待测芯片的每一裸露位置对应的测试结果；通过所述控制器从各所述测试结果中确定出表征不达标的目标测试结果；所述目标测试结果对应的裸露位置处的电路为所述待测芯片中的敏感电路。本申请可以确定出敏感电路。
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公开(公告)号：CN114464585A
公开(公告)日：2022-05-10
申请号：CN202210376468.5
申请日：2022-04-12
Applicant: 飞腾信息技术有限公司
IPC: H01L23/49
Abstract: 本发明提供了一种半导体基板、半导体器件、集成电路系统和电子设备，其中，半导体基板包括基板主体以及位于基板主体第一侧的多个第一管脚；基板主体的第二侧可封装芯片，第二侧与第一侧相对设置；基板主体的第一侧表面至少包括第一区域和第二区域，第一区域内的第一管脚包括电源管脚和接地管脚，电源管脚和接地管脚可分别与去耦电容的两端电连接，第一区域内的第一管脚的分布密度由去耦电容的尺寸和数量决定；第二区域内的第一管脚的分布密度大于第一区域内的第一管脚的分布密度，以在第一区域内对应设置相应尺寸和数量的去耦电容，使得去耦电容的降噪效果满足要求的同时，缩小半导体基板的面积以及半导体器件即封装芯片的封装面积。
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公开(公告)号：CN111929495B
公开(公告)日：2021-01-26
申请号：CN202010977291.5
申请日：2020-09-17
Applicant: 天津飞腾信息技术有限公司
IPC: G01R21/06
Abstract: 本发明公开了一种内存功耗测试装置、系统及其应用方法，本发明装置包括带有内存槽和金手指的内存转接板，内存转接板为多层PCB板，内存转接板上设有用于走高速信号的第一层和用于作为高速信号的参考平面的第二层，第一层的每一根信号走线直接连接在内存槽和金手指上的信号端子之间，第二层的每一根信号走线至少一侧放置电容，该电容串联于内存槽和金手指的信号参考平面之间，且内存槽和金手指的信号参考平面之间串联有电阻，电阻两端分别连接有测试信号输出端子。本发明可单独检测出内存条功耗、以便将内存控制器和内存条功耗分开，而且采用了电容的交流耦合的方法去解决参考平面不连续问题，同时又能满足直流电源只能从电阻通过的设计需求。
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