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1.

发明公开
半导体结构以及组装方法有权

公开(公告)号：CN101553918A

公开(公告)日：2009-10-07

申请号：CN200680039742.9

申请日：2006-10-10

申请人： 飞思卡尔半导体公司

发明人： B·W·康戴 , L·维斯瓦纳坦 , R·W·维兹

IPC分类号： H01L23/12

CPC分类号： H01L23/10 , H01L23/047 , H01L23/053 , H01L23/057 , H01L23/66 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/50 , H01L24/83 , H01L24/85 , H01L25/072 , H01L25/50 , H01L2223/6644 , H01L2224/16 , H01L2224/29111 , H01L2224/29116 , H01L2224/29144 , H01L2224/2929 , H01L2224/29299 , H01L2224/45124 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/48464 , H01L2224/49 , H01L2224/73265 , H01L2224/83801 , H01L2224/83851 , H01L2224/85 , H01L2224/92247 , H01L2924/00011 , H01L2924/00013 , H01L2924/01006 , H01L2924/01007 , H01L2924/01014 , H01L2924/01027 , H01L2924/01028 , H01L2924/01029 , H01L2924/01031 , H01L2924/01032 , H01L2924/01033 , H01L2924/01042 , H01L2924/01047 , H01L2924/0105 , H01L2924/01051 , H01L2924/01074 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/01083 , H01L2924/0132 , H01L2924/0133 , H01L2924/014 , H01L2924/09701 , H01L2924/10253 , H01L2924/10329 , H01L2924/157 , H01L2924/16195 , H01L2924/16315 , H01L2924/181 , H01L2924/19011 , H01L2924/19041 , H01L2924/19042 , H01L2924/19043 , H01L2924/19105 , H01L2924/00014 , H01L2924/01025 , H01L2924/01026 , H01L2924/3512 , H01L2924/00 , H01L2924/0665 , H01L2224/29099 , H01L2224/29199 , H01L2224/83205

摘要： 一种半导体结构(100，900)包括具有表面(111)的衬底(110)，还包括位于所述衬底表面上的一个或多个半导体芯片(120)。所述半导体结构进一步包括位于所述衬底表面上的电隔离体结构(340)，其中所述电隔离体结构包括一条或多条电引线(341，342)以及被模压到所述电引线的有机基质元件(343)。所述半导体结构还包括将所述电隔离体结构和所述衬底表面耦接在一起的焊料元件(350)。

2.

发明授权
半导体结构以及组装方法有权

公开(公告)号：CN101553918B

公开(公告)日：2011-09-07

申请号：CN200680039742.9

申请日：2006-10-10

申请人： 飞思卡尔半导体公司

发明人： B·W·康戴 , L·维斯瓦纳坦 , R·W·维兹

IPC分类号： H01L23/12

CPC分类号： H01L23/10 , H01L23/047 , H01L23/053 , H01L23/057 , H01L23/66 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/50 , H01L24/83 , H01L24/85 , H01L25/072 , H01L25/50 , H01L2223/6644 , H01L2224/16 , H01L2224/29111 , H01L2224/29116 , H01L2224/29144 , H01L2224/2929 , H01L2224/29299 , H01L2224/45124 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/48464 , H01L2224/49 , H01L2224/73265 , H01L2224/83801 , H01L2224/83851 , H01L2224/85 , H01L2224/92247 , H01L2924/00011 , H01L2924/00013 , H01L2924/01006 , H01L2924/01007 , H01L2924/01014 , H01L2924/01027 , H01L2924/01028 , H01L2924/01029 , H01L2924/01031 , H01L2924/01032 , H01L2924/01033 , H01L2924/01042 , H01L2924/01047 , H01L2924/0105 , H01L2924/01051 , H01L2924/01074 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/01083 , H01L2924/0132 , H01L2924/0133 , H01L2924/014 , H01L2924/09701 , H01L2924/10253 , H01L2924/10329 , H01L2924/157 , H01L2924/16195 , H01L2924/16315 , H01L2924/181 , H01L2924/19011 , H01L2924/19041 , H01L2924/19042 , H01L2924/19043 , H01L2924/19105 , H01L2924/00014 , H01L2924/01025 , H01L2924/01026 , H01L2924/3512 , H01L2924/00 , H01L2924/0665 , H01L2224/29099 , H01L2224/29199 , H01L2224/83205

摘要： 一种半导体结构(100，900)包括具有表面(111)的衬底(110)，还包括位于所述衬底表面上的一个或多个半导体芯片(120)。所述半导体结构进一步包括位于所述衬底表面上的电隔离体结构(340)，其中所述电隔离体结构包括一条或多条电引线(341，342)以及被模压到所述电引线的有机基质元件(343)。所述半导体结构还包括将所述电隔离体结构和所述衬底表面耦接在一起的焊料元件(350)。