公开(公告)号：CN116685712A

公开(公告)日：2023-09-01

申请号：CN202280007839.0

申请日：2022-11-17

Applicant: 韩松化学株式会社 ,  延世大学校产学协力团

Inventor： 吴正道 ,  李炫炅 ,  朴美椤 ,  昔壮炫 ,  朴正佑 ,  金亨俊 ,  郑丞珉 ,  朴宣泳 ,  罗承奎

IPC: C23C16/455

Abstract: 本发明涉及通过蒸镀有机金属化合物(特别是包含稀土类金属的有机金属化合物)来制造优异特性的薄膜的方法以及所制造的薄膜。

公开(公告)号：CN119530763A

公开(公告)日：2025-02-28

申请号：CN202411159227.0

申请日：2024-08-22

Applicant: 韩松化学株式会社

Inventor： 廉圭玄 ,  文基宁 ,  柳大元 ,  昔壮炫

IPC: C23C16/455 ,  H10D62/60 ,  H01L21/02 ,  C23C16/34

Abstract: 本发明涉及新型组合物、包含其的前体组合物、薄膜及其制造方法，具体地，涉及能够应用于原子层蒸镀法或化学气相蒸镀法且反应性、挥发性和热稳定性优异的新型组合物、包含上述新型组合物的前体组合物、利用上述前体组合物的薄膜的制造方法。所述组合物包含化学式1所表示的第一化合物和化学式2所表示的第二化合物。#imgabs0#

公开(公告)号：CN116075603A

公开(公告)日：2023-05-05

申请号：CN202180061563.X

申请日：2021-09-06

Applicant: 韩松化学株式会社

Inventor： 金贤基 ,  朴哲完 ,  文基宁 ,  申艺瑟 ,  曺银晶 ,  昔壮炫 ,  朴正佑

IPC: C23C16/40

Abstract: 本发明涉及热稳定性优异的新型的含第4族金属元素的化合物、包含上述化合物的前体组合物和利用上述前体组合物的薄膜的制造方法。本发明的新型的含第4族金属元素的化合物和包含上述化合物的气相蒸镀前体组合物的热稳定性优异，能够在宽温度范围内进行薄膜蒸镀，热损失导致的残留物少而能够防止工序上的副反应。另外，本发明的气相蒸镀前体组合物能够进行均匀的薄膜蒸镀，由此能够确保优异的薄膜物性。

公开(公告)号：CN116529417A

公开(公告)日：2023-08-01

申请号：CN202180080627.0

申请日：2021-12-17

Applicant: 韩松化学株式会社

Inventor： 朴珉星 ,  金孝淑 ,  任民赫 ,  昔壮炫 ,  朴正佑

IPC: C23C16/40

Abstract: 本发明涉及能够通过气相蒸镀来进行薄膜蒸镀的气相蒸镀化合物，具体而言，涉及能够应用于原子层蒸镀法(Atomic Layer Deposition，ALD)或化学气相蒸镀法(Chemical Vapor Deposition，CVD)且反应性、挥发性和热稳定性优异的新型化合物、包含上述新型化合物的前体组合物、利用上述前体组合物的薄膜的制造方法以及由上述前体组合物制造的薄膜。