公开(公告)号：CN111132987B

公开(公告)日：2023-02-24

申请号：CN201880062172.8

申请日：2018-04-27

Applicant: 韩松化学株式会社

Inventor： 朴正佑 ,  昔壮衒 ,  金孝淑 ,  朴珉星

IPC: C07F15/04 ,  C23C16/455 ,  C23C16/18 ,  H01L21/02

Abstract: 本发明涉及能够通过气相沉积的薄膜沉积的气相沉积化合物，尤其涉及能够应用于原子层沉积(ALD)或化学气相沉积(CVD)并且具有优越的热稳定性和反应性的镍和钴前驱物，以及涉及制备其的方法。

公开(公告)号：CN116529417A

公开(公告)日：2023-08-01

申请号：CN202180080627.0

申请日：2021-12-17

Applicant: 韩松化学株式会社

Inventor： 朴珉星 ,  金孝淑 ,  任民赫 ,  昔壮炫 ,  朴正佑

IPC: C23C16/40

Abstract: 本发明涉及能够通过气相蒸镀来进行薄膜蒸镀的气相蒸镀化合物，具体而言，涉及能够应用于原子层蒸镀法(Atomic Layer Deposition，ALD)或化学气相蒸镀法(Chemical Vapor Deposition，CVD)且反应性、挥发性和热稳定性优异的新型化合物、包含上述新型化合物的前体组合物、利用上述前体组合物的薄膜的制造方法以及由上述前体组合物制造的薄膜。

公开(公告)号：CN111132987A

公开(公告)日：2020-05-08

申请号：CN201880062172.8

申请日：2018-04-27

Applicant: 韩松化学株式会社

Inventor： 朴正佑 ,  昔壮衒 ,  金孝淑 ,  朴珉星

IPC: C07F15/04 ,  C23C16/455 ,  C23C16/18 ,  H01L21/02

Abstract: 本发明涉及能够通过气相沉积的薄膜沉积的气相沉积化合物，尤其涉及能够应用于原子层沉积(ALD)或化学气相沉积(CVD)并且具有优越的热稳定性和反应性的镍和钴前驱物，以及涉及制备其的方法。