公开(公告)号：CN111132987B

公开(公告)日：2023-02-24

申请号：CN201880062172.8

申请日：2018-04-27

Applicant: 韩松化学株式会社

Inventor： 朴正佑 ,  昔壮衒 ,  金孝淑 ,  朴珉星

IPC: C07F15/04 ,  C23C16/455 ,  C23C16/18 ,  H01L21/02

Abstract: 本发明涉及能够通过气相沉积的薄膜沉积的气相沉积化合物，尤其涉及能够应用于原子层沉积(ALD)或化学气相沉积(CVD)并且具有优越的热稳定性和反应性的镍和钴前驱物，以及涉及制备其的方法。

公开(公告)号：CN113242861A

公开(公告)日：2021-08-10

申请号：CN201880100332.3

申请日：2018-12-27

Applicant: 韩松化学株式会社

Inventor： 金孝淑 ,  朴玟星 ,  昔壮衒 ,  朴正佑

IPC: C07F15/06 ,  C23C16/18 ,  C23C16/455

Abstract: 本发明涉及一种通过气相沉积能够进行薄膜沉积的气相沉积化合物，并且更具体地涉及一种新型钴前体，其可应用于原子层沉积(ALD)或化学气相沉积(CVD)，并显示出优异的反应性、挥发性和热稳定性；一种制备其的方法；以及使用其制造薄膜的方法。

公开(公告)号：CN113621941B

公开(公告)日：2023-12-01

申请号：CN202110501185.4

申请日：2021-05-08

Applicant: 韩松化学株式会社

Inventor： 安宰奭 ,  金瑩恩 ,  昔壮衒 ,  朴正佑

IPC: C23C16/448 ,  C23C16/40 ,  C23C16/455 ,  C07F7/10

Abstract: 本公开涉及可通过气相沉积被沉积作为薄膜的气相沉积化合物，并且具体地，涉及适用于原子层沉积(ALD)或化学气相沉积(CVD)且可以以高速沉积，特别地通过高温ALD的硅前体以及使用其制造含硅薄膜的方法。

公开(公告)号：CN112020504B

公开(公告)日：2023-10-13

申请号：CN201880092457.6

申请日：2018-10-25

Applicant: 韩松化学株式会社

Inventor： 黄贞云 ,  文基宁 ,  李珠源 ,  廉圭玄 ,  昔壮衒 ,  朴正佑

IPC: C07F5/06 ,  C07F3/06 ,  C23C16/40 ,  C23C16/34 ,  C23C16/18 ,  C23C16/455

Abstract: 本发明涉及适合在通过原子层沉积(ALD)或化学气相沉积(CVD)的薄膜沉积中使用的前体化合物和更特别地涉及不易燃的前体化合物，并且涉及使用其的ALD/CVD工艺。

公开(公告)号：CN116134172A

公开(公告)日：2023-05-16

申请号：CN202080104904.2

申请日：2020-08-03

Applicant: 韩松化学株式会社

Inventor： 金孝淑 ,  朴玟星 ,  任民赫 ,  昔壮衒 ,  朴正佑

IPC: C23C16/18

Abstract: 本发明涉及可通过气相沉积来沉积一薄膜的气相沉积化合物，具体而言，涉及可应用在原子层沉积(ALD)或化学气相沉积(CVD)的具有优异的反应性、挥发性和热稳定性的含有机金属化合物、包含所述有机金属化合物的前体组合物、使用所述前体组合物的薄膜制备方法、以及通过所述前体组合物制备的含有机金属的薄膜。

公开(公告)号：CN115380362A

公开(公告)日：2022-11-22

申请号：CN202180027702.7

申请日：2021-04-14

Applicant: 韩松化学株式会社

Inventor： 李炫炅 ,  昔壮衒 ,  朴正佑 ,  朴镇成 ,  洪泰贤 ,  盛佳祯 ,  金旼贞

IPC: H01L21/02 ,  C23C16/40 ,  C23C16/455 ,  C23C16/56 ,  H01L29/786 ,  H01L29/66

Abstract: 提供了一种用于制造半导体层的方法。该用于制造半导体层的方法可以包括以下步骤：准备衬底，和通过进行使第一反应源与包括In的第一前驱体反应的第一单元工艺和使第二反应源与包括Ga的第二前驱体反应的第二单元工艺以在所述衬底上形成包括铟(In)和镓(Ga)的半导体层。

公开(公告)号：CN113195504A

公开(公告)日：2021-07-30

申请号：CN201880100343.1

申请日：2018-12-27

Applicant: 韩松化学株式会社

Inventor： 金孝淑 ,  昔壮衒 ,  朴正佑 ,  曹银晶

IPC: C07F5/00 ,  C23C16/40 ,  C23C16/455

Abstract: 本发明涉及一种能够使用气相沉积用于薄膜沉积的化合物。特别地，本发明涉及一种能够应用于原子层沉积(ALD)或化学气相沉积(CVD)并且具有优异的热稳定性和反应性的稀土化合物、包括其的稀土前体、制造其的方法及使用其形成薄膜的方法。

公开(公告)号：CN114539295B

公开(公告)日：2024-03-08

申请号：CN202111323145.1

申请日：2021-11-09

Applicant: 韩松化学株式会社

Inventor： 朴美罗 ,  廉圭玄 ,  李炫炅 ,  昔壮衒 ,  朴正佑

IPC: C07F5/00 ,  C07F7/10 ,  C23C16/40 ,  C23C16/455 ,  C23C16/50

公开(公告)号：CN113242861B

公开(公告)日：2023-10-27

申请号：CN201880100332.3

申请日：2018-12-27

Applicant: 韩松化学株式会社

Inventor： 金孝淑 ,  朴玟星 ,  昔壮衒 ,  朴正佑

IPC: C07F15/06 ,  C23C16/18 ,  C23C16/455

Abstract: 本发明涉及一种通过气相沉积能够进行薄膜沉积的气相沉积化合物，并且更具体地涉及一种新型钴前体，其可应用于原子层沉积(ALD)或化学气相沉积(CVD)，并显示出优异的反应性、挥发性和热稳定性；一种制备其的方法；以及使用其制造薄膜的方法。

公开(公告)号：CN114539295A

公开(公告)日：2022-05-27

申请号：CN202111323145.1

申请日：2021-11-09

Applicant: 韩松化学株式会社

Inventor： 朴美罗 ,  廉圭玄 ,  李炫炅 ,  昔壮衒 ,  朴正佑

IPC: C07F5/00 ,  C07F7/10 ,  C23C16/40 ,  C23C16/455 ,  C23C16/50

Abstract: 本申请涉及一种能够通过气相沉积实现薄膜沉积的化合物，更特别是涉及一种适用于原子层沉积(ALD)或化学气相沉积(CVD)并且具有优异的热稳定性和反应性的稀土化合物、包括其的稀土前驱体、制备其的方法以及使用其形成薄膜的方法。