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公开(公告)号：CN113242861B
公开(公告)日：2023-10-27
申请号：CN201880100332.3
申请日：2018-12-27
Applicant: 韩松化学株式会社
Inventor： 金孝淑 , 朴玟星 , 昔壮衒 , 朴正佑
IPC: C07F15/06 , C23C16/18 , C23C16/455
Abstract: 本发明涉及一种通过气相沉积能够进行薄膜沉积的气相沉积化合物，并且更具体地涉及一种新型钴前体，其可应用于原子层沉积(ALD)或化学气相沉积(CVD)，并显示出优异的反应性、挥发性和热稳定性；一种制备其的方法；以及使用其制造薄膜的方法。
公开(公告)号：CN113242861A
公开(公告)日：2021-08-10
公开(公告)号：CN116134172A
公开(公告)日：2023-05-16
申请号：CN202080104904.2
申请日：2020-08-03
Inventor： 金孝淑 , 朴玟星 , 任民赫 , 昔壮衒 , 朴正佑
IPC: C23C16/18
Abstract: 本发明涉及可通过气相沉积来沉积一薄膜的气相沉积化合物，具体而言，涉及可应用在原子层沉积(ALD)或化学气相沉积(CVD)的具有优异的反应性、挥发性和热稳定性的含有机金属化合物、包含所述有机金属化合物的前体组合物、使用所述前体组合物的薄膜制备方法、以及通过所述前体组合物制备的含有机金属的薄膜。
