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公开(公告)号：CN115380362A
公开(公告)日：2022-11-22
申请号：CN202180027702.7
申请日：2021-04-14
Applicant: 韩松化学株式会社
IPC: H01L21/02 , C23C16/40 , C23C16/455 , C23C16/56 , H01L29/786 , H01L29/66
Abstract: 提供了一种用于制造半导体层的方法。该用于制造半导体层的方法可以包括以下步骤：准备衬底，和通过进行使第一反应源与包括In的第一前驱体反应的第一单元工艺和使第二反应源与包括Ga的第二前驱体反应的第二单元工艺以在所述衬底上形成包括铟(In)和镓(Ga)的半导体层。
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