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公开(公告)号：CN115232169A
公开(公告)日：2022-10-25
申请号：CN202210417851.0
申请日：2022-04-20
Applicant: 韩松化学株式会社 , 延世大学校产学协力团
IPC: C07F11/00 , C23C16/18 , C23C16/455 , C23C16/52
Abstract: 本发明涉及一种以高产率制备有机金属化合物的方法，该方法包括使金属六羰基化合物与六氢‑1,3,5‑三嗪化合物反应的步骤。此外本发明还涉及沉积所制备的有机金属化合物的方法以及由其制造的具有优异性能的薄膜。
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公开(公告)号：CN117355948A
公开(公告)日：2024-01-05
申请号：CN202280036354.4
申请日：2022-03-10
Applicant: 田中贵金属工业株式会社 , 延世大学校产学协力团
IPC: H01L31/0264
Abstract: 本发明涉及由作为铂族金属的Ir和Ru的硫族化物构成的薄膜。该薄膜形成在预定的基材上且含有铂族金属硫族化物，所述铂族金属硫族化物由Ir2S3或IrS2、RuS2或RuSe2中的任一者构成。薄膜的膜厚为0.5nm以上500nm以下。在本发明中，在含有Ir2S3、IrS2、RuS2、RuSe2的薄膜中，通过实验方法和采用基于密度泛函理论(DFT)的第一性原理计算的模拟从而明确了通过照射近红外光而能够表现出光电效应。本发明是具有对于特别是近红外线区域的波长的光的灵敏度的特征、由迄今为止不为人所知的构成的铂族金属硫族化物构成的薄膜。
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公开(公告)号：CN113658870A
公开(公告)日：2021-11-16
申请号：CN202110474086.1
申请日：2021-04-29
Applicant: 三星显示有限公司 , 延世大学校产学协力团
IPC: H01L21/34 , H01L29/786
Abstract: 实施例涉及一种制造半导体元件的方法，所述方法包括下述步骤：准备基底；在所述基底上形成半导体层，其中，所述半导体层包括结晶的二维层；在所述半导体层上形成源极电极和漏极电极；通过使用次氯酸钠湿蚀刻所述半导体层，形成半导体构件，其中，所述湿蚀刻导致残留物；以及使用纯净水和惰性气体去除所述残留物。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110838431A
公开(公告)日：2020-02-25
申请号：CN201910757073.8
申请日：2019-08-16
Applicant: 三星显示有限公司 , 延世大学校产学协力团
IPC: H01L21/02 , C23C16/455
Abstract: 公开了制造半导体器件的方法和使用该方法制造的半导体器件。根据本公开的示例性实施方式的制造半导体器件的方法包括：在腔室中在衬底上形成半导体层；以及在半导体层上形成绝缘层。形成绝缘层包括：(a)将包括金属的前体注入半导体层的表面中；(b)去除未吸附的前体；(c)将反应物注入半导体层的表面上；以及(d)去除残留的反应物。半导体层包括具有层状结构的半导体材料。
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公开(公告)号：CN116686101A
公开(公告)日：2023-09-01
申请号：CN202180088392.X
申请日：2021-12-27
Applicant: 田中贵金属工业株式会社 , 延世大学校产学协力团
IPC: H01L31/08
Abstract: 本发明涉及由基材和形成在所述基材上的由半导体膜构成的光接收层构成的光电转换元件材料。形成该光接收层的半导体膜由Ag2‑xBixSx+1(x为0或1的整数)构成、微晶直径为10nm以上40nm以下。光接收层可以通过以下方式制造：将使所述半导体纳米粒子分散在分散介质中而成的油墨涂布在基材上后在200℃以上350℃以下进行烧制。本发明涉及的光电转换元件材料对于近红外区域的波长的光具有吸收性、光应答性优异。
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公开(公告)号：CN107039600A
公开(公告)日：2017-08-11
申请号：CN201611072497.3
申请日：2016-11-29
Applicant: 乐金显示有限公司 , 延世大学校产学协力团
CPC classification number: H01L51/5253 , H01L27/3276 , H01L2227/323 , H01L51/5237 , H01L51/56
Abstract: 公开了一种显示装置及其制造方法，其中通过使用抗膜层而不使用掩模将有机‑无机复合膜图案化，并且残留的抗膜层保护焊盘部。所述显示装置包括：下基板；布置在所述下基板的显示区域上的像素；布置在所述下基板的非显示区域上的焊盘；布置在所述像素上的封装层；和作为单分子层布置在所述焊盘上的抗膜层。此外，显示装置的制造方法包括下述步骤：在下基板的非显示区域上形成焊盘并且在显示区域上形成像素；和作为单分子层在所述焊盘上形成抗膜层。
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公开(公告)号：CN110838431B
公开(公告)日：2024-11-26
申请号：CN201910757073.8
申请日：2019-08-16
Applicant: 三星显示有限公司 , 延世大学校产学协力团
IPC: H01L21/02 , C23C16/455
Abstract: 公开了制造半导体器件的方法和使用该方法制造的半导体器件。根据本公开的示例性实施方式的制造半导体器件的方法包括：在腔室中在衬底上形成半导体层；以及在半导体层上形成绝缘层。形成绝缘层包括：(a)将包括金属的前体注入半导体层的表面中；(b)去除未吸附的前体；(c)将反应物注入半导体层的表面上；以及(d)去除残留的反应物。半导体层包括具有层状结构的半导体材料。
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公开(公告)号：CN116072729A
公开(公告)日：2023-05-05
申请号：CN202211360841.4
申请日：2022-11-02
Applicant: 三星显示有限公司 , 延世大学校产学协力团
Inventor： 金亨俊
IPC: H01L29/78 , H01L29/786 , H01L29/06 , H01L29/24 , H01L21/336
Abstract: 本发明公开一种晶体管以及晶体管的制造方法。根据一实施例的晶体管包括：半导体层，配置于基板上；栅极电极，与所述半导体层重叠；源极电极以及漏极电极，与所述半导体层电连接，所述半导体层包含掺杂在第一物质中的第二物质，所述第一物质包含以化学式XYa表示的化合物，所述X是Mo、W、Zr以及Re中的一种，所述Y是S、Se以及Te中的一种，所述a是1以上的自然数，所述第二物质包含W、Hf、Ta、Ti、Pt、Ni、Ga以及Zr中的至少任一种，所述第二物质包含与所述第一物质不同的元素。
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