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公开(公告)号：CN106935569B
公开(公告)日：2019-01-22
申请号：CN201710135326.9
申请日：2017-03-08
申请人： 长江存储科技有限责任公司
IPC分类号： H01L23/544 , H01L21/66
摘要： 本申请实施例公开了一种存储阵列芯片测试结构及其制备方法，该测试结构包括：存储阵列芯片；存储阵列芯片内设置有字线位线连接；在存储阵列芯片的正面设置有介电层，介电层内设置有多个通孔；在介电层之上设置有金属图案层；其中，至少部分金属图案层上的金属图案、通孔以及字线位线连接之间形成电连接。该电连接的金属图案层、通孔和字线位线连接能够为测试信号提供信号传输通路。该形成电连接的各个结构能够为测试信号提供信号通路，如此，通过该信号通路能够对存储阵列芯片进行测试。本申请还公开了一种存储阵列芯片的测试方法。
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公开(公告)号：CN106935569A
公开(公告)日：2017-07-07
申请号：CN201710135326.9
申请日：2017-03-08
申请人： 长江存储科技有限责任公司
IPC分类号： H01L23/544 , H01L21/66
摘要： 本申请实施例公开了一种存储阵列芯片测试结构及其制备方法，该测试结构包括：存储阵列芯片；存储阵列芯片内设置有字线位线连接；在存储阵列芯片的正面设置有介电层，介电层内设置有多个通孔；在介电层之上设置有金属图案层；其中，至少部分金属图案层上的金属图案、通孔以及字线位线连接之间形成电连接。该电连接的金属图案层、通孔和字线位线连接能够为测试信号提供信号传输通路。该形成电连接的各个结构能够为测试信号提供信号通路，如此，通过该信号通路能够对存储阵列芯片进行测试。本申请还公开了一种存储阵列芯片的测试方法。
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公开(公告)号：CN106920797A
公开(公告)日：2017-07-04
申请号：CN201710134368.0
申请日：2017-03-08
申请人： 长江存储科技有限责任公司
IPC分类号： H01L27/11548 , H01L27/11551 , H01L27/11575 , H01L27/11578 , H01L21/66
CPC分类号： H01L27/11548 , H01L22/14 , H01L27/11551 , H01L27/11575 , H01L27/11578
摘要： 本申请实施例公开了一种存储器结构及其制备方法，在该存储器结构中至少部分所述导电凸块、所述TAC、所述第一通孔、所述第二通孔、所述第一金属图案层上的金属图案以及所述字线连接之间形成电连接；和/或；至少部分所述导电凸块、所述TAC、所述第一通孔、所述第二通孔、所述第一金属图案层上的金属图案以及所述位线连接之间形成电连接。如此，测试信号能够在上述电连接的结构之间进行传输，因此，利用上述电连接的结构能够对存储器结构进行测试。基于此，本申请实施例还公开了一种存储器结构的测试方法。
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公开(公告)号：CN111554690A
公开(公告)日：2020-08-18
申请号：CN202010540104.7
申请日：2018-03-01
申请人： 长江存储科技有限责任公司
IPC分类号： H01L27/11548 , H01L27/11551 , H01L27/11575 , H01L27/11578 , H01L21/66
摘要： 公开了用于测试三维(3D)存储器设备的结构和方法。3D存储器设备(100)包括存储器阵列结构(102)、外围设备结构(104)、与存储器阵列结构(102)的正面和外围设备结构(104)的正面相接触的互连层(106)、以及位于存储器阵列结构(102)的背面并且与存储器阵列结构(102)重叠的导电衬垫。存储器阵列结构(102)包括存储器阵列堆叠(109)、垂直延伸穿过至少一部分存储器阵列堆叠(109)的贯穿阵列接触(TAC)(110)、以及存储器阵列接触(112)。外围设备结构(104)包括测试电路(126)。互连层(106)包括互连结构(116、124)。导电衬垫(108)、TAC(110)、互连结构(116、124)、以及测试电路(126)与存储器阵列接触(112)中的至少一者是电连接的。
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公开(公告)号：CN110088899B
公开(公告)日：2020-06-26
申请号：CN201880005231.8
申请日：2018-03-01
申请人： 长江存储科技有限责任公司
IPC分类号： H01L27/11548 , H01L27/11551 , H01L27/11575 , H01L27/11578 , H01L21/66
摘要： 公开了用于测试三维(3D)存储器设备的结构和方法。3D存储器设备(100)包括存储器阵列结构(102)、外围设备结构(104)、与存储器阵列结构(102)的正面和外围设备结构(104)的正面相接触的互连层(106)、以及位于存储器阵列结构(102)的背面并且与存储器阵列结构(102)重叠的导电衬垫。存储器阵列结构(102)包括存储器阵列堆叠(109)、垂直延伸穿过至少一部分存储器阵列堆叠(109)的贯穿阵列接触(TAC)(110)、以及存储器阵列接触(112)。外围设备结构(104)包括测试电路(126)。互连层(106)包括互连结构(116、124)。导电衬垫(108)、TAC(110)、互连结构(116、124)、以及测试电路(126)与存储器阵列接触(112)中的至少一者是电连接的。
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公开(公告)号：CN106920795B
公开(公告)日：2019-03-12
申请号：CN201710134367.6
申请日：2017-03-08
申请人： 长江存储科技有限责任公司
IPC分类号： H01L27/11529 , H01L27/11573 , H01L25/18 , H01L21/50 , H01L21/66
摘要： 本申请实施例公开了一种存储器结构及其制备方法，该存储器结构中，在CMOS芯片的正面形成有第一金属图案层。其中，存储器结构中的至少部分导电凸块、所述TAC、所述第一通孔、所述第二通孔以及所述第一金属图案层上的金属图案之间形成电连接，从而使多个TAC通过所述导电凸块、第一通孔和第二通孔以及第一金属图案层上的金属图案按照特定方式连接形成测试TAC性能的测试结构。通过对该测试TAC性能的测试结构的测试，能够实现对TAC性能的测试。基于此，本申请实施例还公开了一种存储器结构的测试方法。
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公开(公告)号：CN111554690B
公开(公告)日：2021-03-30
申请号：CN202010540104.7
申请日：2018-03-01
申请人： 长江存储科技有限责任公司
IPC分类号： H01L27/11548 , H01L27/11551 , H01L27/11575 , H01L27/11578 , H01L21/66
摘要： 公开了用于测试三维(3D)存储器设备的结构和方法。3D存储器设备(100)包括存储器阵列结构(102)、外围设备结构(104)、与存储器阵列结构(102)的正面和外围设备结构(104)的正面相接触的互连层(106)、以及位于存储器阵列结构(102)的背面并且与存储器阵列结构(102)重叠的导电衬垫。存储器阵列结构(102)包括存储器阵列堆叠(109)、垂直延伸穿过至少一部分存储器阵列堆叠(109)的贯穿阵列接触(TAC)(110)、以及存储器阵列接触(112)。外围设备结构(104)包括测试电路(126)。互连层(106)包括互连结构(116、124)。导电衬垫(108)、TAC(110)、互连结构(116、124)、以及测试电路(126)与存储器阵列接触(112)中的至少一者是电连接的。
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公开(公告)号：CN110088899A
公开(公告)日：2019-08-02
申请号：CN201880005231.8
申请日：2018-03-01
申请人： 长江存储科技有限责任公司
IPC分类号： H01L27/11548 , H01L27/11551 , H01L27/11575 , H01L27/11578 , H01L21/66
摘要： 公开了用于测试三维(3D)存储器设备的结构和方法。3D存储器设备(100)包括存储器阵列结构(102)、外围设备结构(104)、与存储器阵列结构(102)的正面和外围设备结构(104)的正面相接触的互连层(106)、以及位于存储器阵列结构(102)的背面并且与存储器阵列结构(102)重叠的导电衬垫。存储器阵列结构(102)包括存储器阵列堆叠(109)、垂直延伸穿过至少一部分存储器阵列堆叠(109)的贯穿阵列接触(TAC)(110)、以及存储器阵列接触(112)。外围设备结构(104)包括测试电路(126)。互连层(106)包括互连结构(116、124)。导电衬垫(108)、TAC(110)、互连结构(116、124)、以及测试电路(126)与存储器阵列接触(112)中的至少一者是电连接的。
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公开(公告)号：CN106920797B
公开(公告)日：2018-10-12
申请号：CN201710134368.0
申请日：2017-03-08
申请人： 长江存储科技有限责任公司
IPC分类号： H01L27/11548 , H01L27/11551 , H01L27/11575 , H01L27/11578 , H01L21/66
摘要： 本申请实施例公开了一种存储器结构及其制备方法，在该存储器结构中至少部分所述导电凸块、所述TAC、所述第一通孔、所述第二通孔、所述第一金属图案层上的金属图案以及所述字线连接之间形成电连接；和/或；至少部分所述导电凸块、所述TAC、所述第一通孔、所述第二通孔、所述第一金属图案层上的金属图案以及所述位线连接之间形成电连接。如此，测试信号能够在上述电连接的结构之间进行传输，因此，利用上述电连接的结构能够对存储器结构进行测试。基于此，本申请实施例还公开了一种存储器结构的测试方法。
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公开(公告)号：CN106920795A
公开(公告)日：2017-07-04
申请号：CN201710134367.6
申请日：2017-03-08
申请人： 长江存储科技有限责任公司
IPC分类号： H01L27/11529 , H01L27/11573 , H01L25/18 , H01L21/50 , H01L21/66
CPC分类号： H01L27/11529 , H01L22/14 , H01L25/18 , H01L25/50 , H01L27/11573
摘要： 本申请实施例公开了一种存储器结构及其制备方法，该存储器结构中，在CMOS芯片的正面形成有第一金属图案层。其中，存储器结构中的至少部分导电凸块、所述TAC、所述第一通孔、所述第二通孔以及所述第一金属图案层上的金属图案之间形成电连接，从而使多个TAC通过所述导电凸块、第一通孔和第二通孔以及第一金属图案层上的金属图案按照特定方式连接形成测试TAC性能的测试结构。通过对该测试TAC性能的测试结构的测试，能够实现对TAC性能的测试。基于此，本申请实施例还公开了一种存储器结构的测试方法。
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