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公开(公告)号：CN107993973B
公开(公告)日：2020-08-25
申请号：CN201711183482.9
申请日：2017-11-23
申请人： 长江存储科技有限责任公司
IPC分类号： H01L21/762
摘要： 本发明涉及浅沟槽隔离结构的制备方法，该制备方法包括在硅衬底晶片表面依次沉积形成氧化硅层和氮化硅层；在表面光刻形成沟槽，沟槽贯穿氧化硅层和氮化硅层并伸入硅衬底中；在沟槽中沉积氧化硅，使氧化硅填满沟槽；使用化学机械研磨除去氮化硅层表面的多余的氧化硅，形成表面平整的沟槽氧化硅填充结构；浓硫酸双氧水混合溶液对沟槽氧化硅填充结构进行预清洗；对沟槽氧化硅填充结构进行正式清洗；除去氮化硅层，形成浅沟槽隔离结构。本发明的浅沟槽隔离结构的制备方法能够降低芯片的缺陷量，提高沟槽氧化硅填充结构产品的良率，具有很好的经济效益。
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公开(公告)号：CN111171788A
公开(公告)日：2020-05-19
申请号：CN202010001512.5
申请日：2020-01-02
申请人： 长江存储科技有限责任公司
IPC分类号： C09K3/14
摘要： 公开了一种研磨微粒及其制造方法，方法包括形成研磨微粒的核心；将所述核心分散在有机溶剂中，加热到第一温度；加入阳离子表面活性剂，在第一温度下回流第一时长；加入磨料源，形成反应混合液，以第二温度反应第二时长，其中，所述磨料源用于形成对目标材料具有研磨效果的核壳。本发明提供的研磨微粒，是由氧化硅核心和氧化铈核壳构成的微球结构，因此可以降低氧化铈微粒不规则表面而造成的划伤半导体表面的风险，另外，由于氧化铈核壳为介孔结构，因此可以提高研磨微粒的韧性，降低研磨微粒在使用中的破损率。
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公开(公告)号：CN110301045A
公开(公告)日：2019-10-01
申请号：CN201880012311.6
申请日：2018-09-21
申请人： 长江存储科技有限责任公司
IPC分类号： H01L27/11551
摘要： 公开了用于制造三维(3D)存储结构的方法和3D存储结构。在衬底上形成凹陷，形成底部处于所述凹陷中的3D存储部件，并且然后在所述衬底上并在所述凹陷外部形成外围电路。
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公开(公告)号：CN107629758A
公开(公告)日：2018-01-26
申请号：CN201710726111.4
申请日：2017-08-22
申请人： 长江存储科技有限责任公司
IPC分类号： C09K3/14
摘要： 本发明公开了一种制造半导体器件用研磨剂，由下列物质按质量百分比配制而成：氨基功能化氧化硅粒子：0.01-20％；添加剂：0.01-5.0％；水：余量；所述氨基功能化氧化硅粒子为氧化硅粒子与氨基硅烷反应生成。本发明进而给出了该研磨剂的制备方法。本发明采用氨基功能化氧化硅粒子作为化学机械研磨剂的磨料，提高了研磨剂对氧化硅和氮化硅的选择性研磨，可显著降低CMP过程中芯片表面的划伤缺陷，从而达到较好的研磨效果。
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公开(公告)号：CN111500258A
公开(公告)日：2020-08-07
申请号：CN202010240378.4
申请日：2020-03-31
申请人： 长江存储科技有限责任公司
IPC分类号： C09K3/14
摘要： 公开了一种研磨微粒及其制造方法，所述研磨微粒包括：核心，所述核心的形状为球状结构弹性芯体，在压力作用下会发生弹性形变；包裹所述核心的第一核壳，所述第一核壳为研磨层，用于对目标材料进行研磨，其中，所述第一核壳具有介孔结构。本发明提供的研磨微粒，是由多孔碳核心和氧化铈第一核壳构成的微球结构，且多孔碳核心在压力下可以发生弹性形变，因此可以降低研磨微粒不规则表面而造成的划伤半导体表面的风险，另外，由于第一核壳为介孔结构，可以提高研磨微粒的韧性，降低研磨微粒在使用中的破损率。
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公开(公告)号：CN108456508A
公开(公告)日：2018-08-28
申请号：CN201810244970.4
申请日：2018-03-23
申请人： 长江存储科技有限责任公司
CPC分类号： C09K3/1436 , B24B37/044
摘要： 本发明提供了一种研磨微粒，该研磨微粒包括弹性芯体和包裹所述芯体的磨料层。该研磨微粒可以被用于制作在平坦化工艺中使用的研磨剂。本发明提供的研磨微粒，由于具有弹性芯体，因而在研磨芯片等半导体材料时，能够发生弹性形变，因而可以降低由于压力过大而划伤半导体材料表面的风险。此外，由于降低划伤半导体材料的风险功能主要由弹性芯体实现，所以本发明提供的研磨微粒在被用于研磨半导体材料时，还能够降低活性剂的消耗。
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公开(公告)号：CN107400501A
公开(公告)日：2017-11-28
申请号：CN201710775141.4
申请日：2017-08-31
申请人： 长江存储科技有限责任公司
CPC分类号： C09K3/1463 , B82Y40/00 , C01B33/18 , C01P2004/03 , C01P2004/32 , C01P2004/62 , C01P2004/64 , C09G1/02
摘要： 本申请实施例提供了一种化学机械研磨剂，其由下列物质按重量百分比配制而成：单分散纳米氧化硅微球磨料0.01-30％，氧化剂0.01-20％，稳定剂0.1-30％，余量为水。在该化学机械研磨剂中，其磨料为单分散纳米氧化硅微球，该单分散纳米氧化硅微球的形状为规则的圆球形，因此其表面光滑，不存在棱角，所以，在利用该化学机械研磨剂对半导体芯片研磨时，其中的磨料不会划伤芯片表面，给芯片表面带来缺陷，因此，该化学机械研磨剂能够限制降低化学机械研磨过程中芯片表面的划伤缺陷，提高抛光质量，具有很好的经济效益。此外，本申请实施例还提供了一种单分散纳米氧化硅微球的制备方法。
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公开(公告)号：CN107400501B
公开(公告)日：2019-04-02
申请号：CN201710775141.4
申请日：2017-08-31
申请人： 长江存储科技有限责任公司
摘要： 本申请实施例提供了一种化学机械研磨剂，其由下列物质按重量百分比配制而成：单分散纳米氧化硅微球磨料0.01‑30％，氧化剂0.01‑20％，稳定剂0.1‑30％，余量为水。在该化学机械研磨剂中，其磨料为单分散纳米氧化硅微球，该单分散纳米氧化硅微球的形状为规则的圆球形，因此其表面光滑，不存在棱角，所以，在利用该化学机械研磨剂对半导体芯片研磨时，其中的磨料不会划伤芯片表面，给芯片表面带来缺陷，因此，该化学机械研磨剂能够限制降低化学机械研磨过程中芯片表面的划伤缺陷，提高抛光质量，具有很好的经济效益。此外，本申请实施例还提供了一种单分散纳米氧化硅微球的制备方法。
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公开(公告)号：CN107993973A
公开(公告)日：2018-05-04
申请号：CN201711183482.9
申请日：2017-11-23
申请人： 长江存储科技有限责任公司
IPC分类号： H01L21/762
摘要： 本发明涉及浅沟槽隔离结构的制备方法，该制备方法包括在硅衬底晶片表面依次沉积形成氧化硅层和氮化硅层；在表面光刻形成沟槽，沟槽贯穿氧化硅层和氮化硅层并伸入硅衬底中；在沟槽中沉积氧化硅，使氧化硅填满沟槽；使用化学机械研磨除去氮化硅层表面的多余的氧化硅，形成表面平整的沟槽氧化硅填充结构；浓硫酸双氧水混合溶液对沟槽氧化硅填充结构进行预清洗；对沟槽氧化硅填充结构进行正式清洗；除去氮化硅层，形成浅沟槽隔离结构。本发明的浅沟槽隔离结构的制备方法能够降低芯片的缺陷量，提高沟槽氧化硅填充结构产品的良率，具有很好的经济效益。
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公开(公告)号：CN107946306A
公开(公告)日：2018-04-20
申请号：CN201711184313.7
申请日：2017-11-23
申请人： 长江存储科技有限责任公司
IPC分类号： H01L27/11551 , H01L27/11578 , H01L21/8242 , H01L27/108 , H01L29/06
摘要： 本发明提供一种三维存储结构制作方法、三维存储结构、三维存储器及电子设备。其中，所述三维存储结构制作方法，包括：在衬底上形成凹陷区；在所述凹陷区形成三维存储器件；在非凹陷区形成外围电路。本发明提供的三维存储结构制作方法，通过优先制作三维存储器件，在三维存储器件形成后再制作外围电路，可以避免三维存储器件制程中的热处理过程对外围电路的不良影响，从而可以有效提高外围电路器件电性能及产品良率。
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