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公开(公告)号：CN112670170B
公开(公告)日：2024-02-02
申请号：CN202011615431.0
申请日：2020-12-30
Applicant: 长春长光圆辰微电子技术有限公司
IPC: H01L21/18
Abstract: 本发明提供一种提高硅片键合力的方法，其特征在于，通过等离子化学气相沉积，在其中一片硅片上生长二氧化硅薄膜；将两片硅片在常温常压下进行键合并退火。解决了两片硅片在常温常压下键合强度小的问题，并且改善了硅片本身的使用局限性，拓展了可用的硅片范围，提高了键合硅片的键合强度，保证了产品的成品率和质量。
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公开(公告)号：CN110854018A
公开(公告)日：2020-02-28
申请号：CN201911189177.X
申请日：2019-11-28
Applicant: 长春长光圆辰微电子技术有限公司
IPC: H01L21/306 , C23F1/24
Abstract: 一种高选择比硅腐蚀液及其使用方法，属于半导体芯片加工制造领域，本发明提出了一种高选择比硅腐蚀液，在室温下将浓度为49％的氢氟酸、浓度为70％的硝酸与浓度为100％的醋酸按照1:3:4的体积比混合，将具有外延层的硅片置于硅腐蚀装置中，所述外延层由掺杂浓度不同的上下两层掺杂层构成，且上层掺杂层的掺杂浓度大于下层掺杂层的掺杂浓度，以600rpm～1000rpm的速度旋转所述硅片，同时利用喷头将硅腐蚀液以0.8L/min～1.0L/min的流量均匀喷洒于硅片上表面，直至上层掺杂层全部刻蚀并终止在下层掺杂层的上表面，实现对硅的均匀刻蚀和终点控制。
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公开(公告)号：CN110767589A
公开(公告)日：2020-02-07
申请号：CN201911053763.1
申请日：2019-10-31
Applicant: 长春长光圆辰微电子技术有限公司
IPC: H01L21/68 , H01L21/762
Abstract: 一种SOI硅片对准键合的方法，属于半导体芯片加工制造领域，本发明提出的SOI硅片对准方法利用光学对准标记进行对准精度的测量，仅仅使用机械对准方式以及适当的补偿调整，即可在SOI硅片键合时将上下两片硅片的X与Y方向的偏移量控制在50μm以下，大大提高了上下两片硅片的对准精度和同心度，与现有技术相比，本发明提出了一种简单、有效的硅片对准方法，可以在机械对准方式下实现高精度硅片键合方法。
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公开(公告)号：CN110459555A
公开(公告)日：2019-11-15
申请号：CN201910809140.6
申请日：2019-08-29
Applicant: 长春长光圆辰微电子技术有限公司
IPC: H01L27/146 , H01L21/02
Abstract: 本发明公开了一种背照式图像传感器晶圆边缘无硅膜缺陷的工艺制程方法，属于半导体制造领域，该方法通过将一片带有图像传感器的晶圆A和另一片承载晶圆B在常温常压下键合；键合后，使用机械磨边工艺去除两片晶圆边缘键合力弱的硅膜；键合后晶圆A机械减薄到规定厚度15μm-40μm，显微镜宏观检查，背照式图像传感器边缘无硅膜破损问题发生。本发明在不增加工艺制造成本的同时，实现背照式图像传感器晶圆在机械研磨减薄对硅膜零损伤的可能性。
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公开(公告)号：CN110767589B
公开(公告)日：2021-11-19
申请号：CN201911053763.1
申请日：2019-10-31
Applicant: 长春长光圆辰微电子技术有限公司
IPC: H01L21/68 , H01L21/762
Abstract: 一种SOI硅片对准键合的方法，属于半导体芯片加工制造领域，本发明提出的SOI硅片对准方法利用光学对准标记进行对准精度的测量，仅仅使用机械对准方式以及适当的补偿调整，即可在SOI硅片键合时将上下两片硅片的X与Y方向的偏移量控制在50μm以下，大大提高了上下两片硅片的对准精度和同心度，与现有技术相比，本发明提出了一种简单、有效的硅片对准方法，可以在机械对准方式下实现高精度硅片键合方法。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112670170A
公开(公告)日：2021-04-16
申请号：CN202011615431.0
申请日：2020-12-30
Applicant: 长春长光圆辰微电子技术有限公司
IPC: H01L21/18
Abstract: 本发明提供一种提高硅片键合力的方法，其特征在于，通过等离子化学气相沉积，在其中一片硅片上生长二氧化硅薄膜；将两片硅片在常温常压下进行键合并退火。解决了两片硅片在常温常压下键合强度小的问题，并且改善了硅片本身的使用局限性，拓展了可用的硅片范围，提高了键合硅片的键合强度，保证了产品的成品率和质量。
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公开(公告)号：CN110323178A
公开(公告)日：2019-10-11
申请号：CN201910597378.7
申请日：2019-07-04
Applicant: 长春长光圆辰微电子技术有限公司
IPC: H01L21/762
Abstract: 本发明公开了一种SOI晶圆边缘零空洞的工艺制程方法，属于SOI晶圆材料制造领域，该方法包括如下步骤：步骤S01、前期准备；步骤S02、晶圆一次磨掉边缘处理；步骤S03、晶圆键合；步骤S04、晶圆一次减薄；步骤S05、晶圆二次磨掉边缘处理；步骤S06、湿法腐蚀边缘剩余硅，使得两张晶圆键合界面无空洞；步骤S07、晶圆二次减薄：通过机械减薄工艺和化学机械研磨工艺，实现最终厚度。本发明采用常温常压下键合方式，采用光学对准原理，对准精度能够保证在50微米以内，本发明在不增加SOI制造成本的情况下实现SOI晶圆在常温常压环境中直接键合时无空洞缺陷，具有非常广阔的市场前景。
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公开(公告)号：CN112802864A
公开(公告)日：2021-05-14
申请号：CN202110169575.6
申请日：2021-02-07
Applicant: 长春长光圆辰微电子技术有限公司
IPC: H01L27/146 , G03F9/00
Abstract: 本发明涉及半导体芯片加工制造领域。本发明提供一种背照式图像传感器焊盘打开的方法，在光刻机对准单元上增加红外光源，利用红外光源寻找晶圆前层预留对准标记，进行直接对准；经过红外光源对准光刻后，利用硅刻蚀技术以及介质刻蚀技术开打焊盘。本专利提出的方案仅需要设备改造，通过红外对准方式进行对准，节省了一道标记光刻及刻蚀的步骤，同时可以减低标记所占晶圆的有效面积。从而降低成本，提高了芯片的有效面积，还可以提升背照式加工的周期。
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公开(公告)号：CN110660645A
公开(公告)日：2020-01-07
申请号：CN201910904664.3
申请日：2019-09-24
Applicant: 长春长光圆辰微电子技术有限公司
Abstract: 一种室温下硅片清洗方法，属于半导体芯片加工制造领域，本发明所用清洗液含有氢氧化铵、双氧水及去离子水，且氢氧化铵、双氧水及去离子水按照1:2:50的体积比进行混合，并控制清洗硅片时硅片清洗液的温度为室温。硅片清洗后经甩干工序，可以得到表面洁净无沾污的硅片。氢氧化铵、双氧水及去离子水按照1:2:50的体积比进行混合可以有效降低氢氧化铵及双氧水的使用量，并且在室温下使用可以极大减弱化学品的挥发，可以存放三天而不影响其清洗效果。稀释的清洗液是对于安全与健康的重大改进，并且由于减少了化学品的使用量而降低了生产成本。
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公开(公告)号：CN112951713A
公开(公告)日：2021-06-11
申请号：CN202110179885.6
申请日：2021-02-07
Applicant: 长春长光圆辰微电子技术有限公司
IPC: H01L21/18
Abstract: 本发明涉及半导体芯片加工制造领域。本发明提供一种小尺寸晶圆的加工方法，利用化学键键合的方式，将小尺寸晶圆键合到大尺寸晶圆上；通过使用高精准键合设备，同时改造机台兼容性以满足不同尺寸晶圆键合；进而将小尺寸晶圆在大尺寸晶圆设备上进行加工。可以实现第三代小尺寸晶圆的高端工艺开发以及量产，这样可以完全改变小尺寸晶圆芯片的性能，在验证第三代半导体材料以及小尺寸晶圆实验上具有非常大的意义。
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