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公开(公告)号：CN112670170A
公开(公告)日：2021-04-16
申请号：CN202011615431.0
申请日：2020-12-30
Applicant: 长春长光圆辰微电子技术有限公司
IPC: H01L21/18
Abstract: 本发明提供一种提高硅片键合力的方法，其特征在于，通过等离子化学气相沉积，在其中一片硅片上生长二氧化硅薄膜；将两片硅片在常温常压下进行键合并退火。解决了两片硅片在常温常压下键合强度小的问题，并且改善了硅片本身的使用局限性，拓展了可用的硅片范围，提高了键合硅片的键合强度，保证了产品的成品率和质量。
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公开(公告)号：CN112670170B
公开(公告)日：2024-02-02
申请号：CN202011615431.0
申请日：2020-12-30
Applicant: 长春长光圆辰微电子技术有限公司
IPC: H01L21/18
Abstract: 本发明提供一种提高硅片键合力的方法，其特征在于，通过等离子化学气相沉积，在其中一片硅片上生长二氧化硅薄膜；将两片硅片在常温常压下进行键合并退火。解决了两片硅片在常温常压下键合强度小的问题，并且改善了硅片本身的使用局限性，拓展了可用的硅片范围，提高了键合硅片的键合强度，保证了产品的成品率和质量。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119542168A
公开(公告)日：2025-02-28
申请号：CN202510081025.7
申请日：2025-01-20
Applicant: 长春长光圆辰微电子技术有限公司
IPC: H01L21/66 , H01L21/687
Abstract: 本发明涉及晶圆测试领域，提供了一种用于图像传感器制作的晶圆键合力测试方法，包括利用键合力测试设备对晶圆本体进行测试，晶圆本体包括上晶圆和下晶圆，上晶圆通过键合界面和下晶圆连接，键合力测试设备包括底板、定位组件、吸液组件以及刀具组件，定位组件包括加工台以及固定板，吸液组件包括楔形座、弹力件三、导向板以及两个活动清洁组件，刀具组件包括安装座、气缸以及活塞杆。本发明能够自动对晶圆本体进行按压固定和解除按压固定，能够自动使刀体插入键合界面，从而使键合界面产生键合裂缝，提高测试效率。
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公开(公告)号：CN119542168B
公开(公告)日：2025-03-28
申请号：CN202510081025.7
申请日：2025-01-20
Applicant: 长春长光圆辰微电子技术有限公司
IPC: H01L21/66 , H01L21/687
Abstract: 本发明涉及晶圆测试领域，提供了一种用于图像传感器制作的晶圆键合力测试方法，包括利用键合力测试设备对晶圆本体进行测试，晶圆本体包括上晶圆和下晶圆，上晶圆通过键合界面和下晶圆连接，键合力测试设备包括底板、定位组件、吸液组件以及刀具组件，定位组件包括加工台以及固定板，吸液组件包括楔形座、弹力件三、导向板以及两个活动清洁组件，刀具组件包括安装座、气缸以及活塞杆。本发明能够自动对晶圆本体进行按压固定和解除按压固定，能够自动使刀体插入键合界面，从而使键合界面产生键合裂缝，提高测试效率。
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公开(公告)号：CN115376966A
公开(公告)日：2022-11-22
申请号：CN202210949095.6
申请日：2022-08-09
Applicant: 长春长光圆辰微电子技术有限公司
Abstract: 本发明提供一种石英常温键合方法，包括：S100，清洗石英片表面；S200，将两个石英片进行二氧化硅沉积，在石英片表面生成二氧化硅键合膜；S300，对二氧化硅键合膜进行化学机械研磨；S400，使用氢氟酸溶液清洗石英片；S500，使两个石英片的二氧化硅键合膜相互接触并通过键合机键合石英片。本方案能够在常温下高可靠性地实现石英和石英的键合。
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公开(公告)号：CN113488381A
公开(公告)日：2021-10-08
申请号：CN202110803054.1
申请日：2021-07-15
Applicant: 长春长光圆辰微电子技术有限公司
IPC: H01L21/18 , H01L21/304
Abstract: 本发明提供一种石英与硅的直接键合方法，包括如下步骤：S1、提供石英片与硅片，并利用化学气相沉积法在石英片的表面生长二氧化硅薄膜；S2、对二氧化硅薄膜进行化学机械研磨；S3、利用研磨后的二氧化硅薄膜将石英片与硅片直接键合。本发明在常温下即可完成石英片与硅片的键合，无需高温条件，也不含有铵离子，与后续的MOS工艺相兼容，拓展了集成电路的应用范围，保证了产品的成品率和质量。
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公开(公告)号：CN112802734A
公开(公告)日：2021-05-14
申请号：CN202011609514.9
申请日：2020-12-30
Applicant: 长春长光圆辰微电子技术有限公司
IPC: H01L21/02 , H01L21/683 , C23C16/04 , C23C16/40 , C23C16/455
Abstract: 本发明公开了一种硅片单侧膜淀积的方法，提出硅片单侧膜淀积的方法，该方法为通过利用原子层沉积(ALD)设备在低温下实现硅片单侧薄膜淀积，即选择合适的背膜，并将此背膜通过一定的技术手段粘附在硅片的背面以防止硅片背面淀积薄膜，在淀积工艺完成后将背膜剥离即可。一般情况下，背膜可以在200℃‑300℃保持12小时而不熔化、收缩或变形。通过背膜的运用，实现了低温下(200℃‑300℃)硅片单侧膜沉积的目的，为后续工艺提供了方便条件。此种方法可应用于氧化铝，氧化铪等薄膜的制备，并且具有简便、易操作、成本低等优点。同时，制备的薄膜厚度线性可调(15A‑1000A)，均匀性好(均匀性小于0.5％)。
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