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公开(公告)号：CN119101505A
公开(公告)日：2024-12-10
申请号：CN202411028171.5
申请日：2024-07-30
Applicant: 鄂尔多斯应用技术学院 , 内蒙古大学
IPC: C09K11/62 , H01L31/0328 , H01L31/032 , H01L31/09 , C09K11/02 , B82Y20/00 , B82Y30/00
Abstract: 本发明公开一种Zn掺杂CuInS2@TiO2材料及其制备方法和应用，属于材料技术领域。该Zn掺杂CuInS2@TiO2材料的制备方法，包括以下步骤：将ZnxCuInS2量子点粉末溶于二氯甲烷，之后加入TiO2纳米颗粒在40‑45℃的水浴环境中加热并搅拌，之后加入二氯甲烷离心，之后干燥即可。此外，本发明还提出一种Zn掺杂CuInS2@TiO2材料，由上述制备方法制备得到。另外，本发明还提出一种上述制备方法制得的Zn掺杂CuInS2@TiO2材料在制备光电探测器器件的应用。制得的Zn掺杂CuInS2@TiO2材料光电转换效率高，而且能够显著改善光电探测器的响应时间。
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公开(公告)号：CN116632112A
公开(公告)日：2023-08-22
申请号：CN202310613278.5
申请日：2023-05-25
Applicant: 鄂尔多斯应用技术学院
IPC: H01L31/18 , H01L31/0745
Abstract: 本发明涉及一种引入硫氰酸亚铜界面层的Gr/Si异质结太阳能电池及制备方法，所述制备方法包括以下步骤：S1.制备硅基底。S2.制备CuSCN/Si薄膜层。S3.制备Gr/CuSCN/Si器件。S4.制备TFSA/Gr/CuSCN/Si器件。S5.制备TFSA/Gr/CuSCN/Si异质结太阳能电池。本发明首次从实验上将CuSCN空穴传输层用于Gr/Si基太阳能电池作为界面层来改善该类太阳能电池的载流子迁移率、化学稳定性和热稳定性等特性。
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公开(公告)号：CN118659335B
公开(公告)日：2024-12-06
申请号：CN202411151746.2
申请日：2024-08-21
Applicant: 鄂尔多斯应用技术学院
IPC: H02J1/10 , H02J1/14 , G06Q10/0631 , G06Q50/06 , G05F1/67
Abstract: 本发明提供了一种风光储直流微电网的协调控制策略，所属电网控制技术领域，包括S1：分别对并网自由模式下直流微电网的运行模式和并网调度模式下直流微电网的运行模式进行分析；S2：建立并网运行的直流微网控制模型，所述并网运行的直流微网控制模型包括光伏发电系统控制模型、风力发电系统控制模型、储能系统控制模型、并网变换器控制模型、微网内负载管理控制模型和并网运行直流微电网的能量协调控制模型；S3：建立并网运行风光储直流微电网的仿真模型。该申请通过MPPT和LPTC控制模式的应用，光伏发电系统和风力发电系统可以根据实际工作条件调整功率输出，优化能源利用。
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公开(公告)号：CN118676961B
公开(公告)日：2024-11-19
申请号：CN202411149616.5
申请日：2024-08-21
Applicant: 鄂尔多斯应用技术学院
IPC: H02J3/24 , H02J3/38 , H02J3/32 , G06F30/20 , G06F113/04
Abstract: 本发明提供了一种直流微电网并网逆变器的虚拟惯性控制方法，所属并网逆变器控制技术领域，包括：在并网逆变器的常规矢量控制基础上，加入虚拟直流电机控制模块（VDCM模块）；通过VDCM模块模拟直流电机的运动方程和电动势方程，以增加并网逆变器的惯性和阻尼特性；建立小信号模型；在VDCM模块中加入微分补偿环节，以改善并网逆变器的动态响应能力；通过调整VDCM模块的虚拟惯性系数和虚拟阻尼系数，优化直流微电网的稳定性；本发明通过在VDCM的虚拟惯性环节前向通道中引入微分环节，提高系统动态响应速度。建立并网逆变器小信号模型，分析虚拟惯性系数、阻尼系数和微分系数对系统动态性能的影响范围。
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公开(公告)号：CN118553816A
公开(公告)日：2024-08-27
申请号：CN202410664988.5
申请日：2024-05-27
Applicant: 鄂尔多斯应用技术学院
Abstract: 本发明涉及光伏材料技术领域，具体公开了一种Sn中掺杂ZnSe的薄膜光伏材料及其制备方法，包括如下步骤：S1：准备材料：准备Sn靶材与ZnSe靶材；S2：制备薄膜：使用磁控溅射法，将混合后的靶材均匀地涂覆在适当的基底上；S3：热处理：将涂覆有靶材的基底放入加热设备中，进行热处理，在热处理过程中，Sn靶材会均匀地掺杂在ZnSe靶材中；本发明通过磁控溅射法利用磁场来提高等离子体的密度和靶材的溅射率，从而加快薄膜的生长速度，磁控溅射还可以有效减少靶材的“非目标”溅射损耗，提高靶材的利用率，通过精确调控磁场强度和分布，实现更均匀、更紧密结合的薄膜结构，磁控溅射技术具有高效率、高材料利用率和优良的膜层质量控制的效果。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111139441B
公开(公告)日：2022-02-01
申请号：CN202010163990.6
申请日：2020-03-11
Applicant: 鄂尔多斯应用技术学院
Abstract: 本发明公开了一种Ti掺杂CdIn2S4的中间带薄膜及其制备方法，制备方法首先清洗钠钙玻璃衬底，然后将CdIn2S4靶材与TiS2靶材分别安装在磁控溅射仪的靶位上，再将清洗干净的钠钙玻璃衬底固定在载物台上，抽真空，然后依次交替溅射CdIn2S4和TiS2，在钠钙玻璃衬底上沉积Ti‑CdIn2S4得到层叠膜，最后将所述层叠膜放入退火炉中退火，最终得到Ti‑CdIn2S4中间带薄膜。本发明的Ti掺杂CdIn2S4的中间带薄膜的制备方法，通过溅射法制备出纯尖晶石结构的Ti‑CdIn2S4薄膜，掺入Ti元素后形成杂质带，该薄膜可以吸收可见光‑红外光源范围内的光子，增多光生载流子降低电子‑空穴对复合，光吸收强度明显增强，并且随着Ti掺杂量的增加吸收强度也在增强。
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公开(公告)号：CN111254402B
公开(公告)日：2021-11-26
申请号：CN202010164031.6
申请日：2020-03-11
Applicant: 鄂尔多斯应用技术学院
Abstract: 本发明公开了一种Cr掺杂ZnS的中间带薄膜及其制备方法，制备方法首先清洗钠钙玻璃衬底，然后将ZnS靶材与Cr2S3靶材分别安装在磁控溅射仪的靶位上，再将清洗干净的钠钙玻璃衬底固定在载物台上，抽真空，然后依次交替溅射ZnS和Cr2S3，在钠钙玻璃衬底上沉积Cr‑ZnS得到层叠膜，最后将所述层叠膜放入退火炉中退火，最终得到Cr‑ZnS中间带薄膜。本发明的Cr掺杂ZnS的中间带薄膜的制备方法，采用交替磁控溅射法结合保护气氛下退火处理制备出的Cr‑ZnS薄膜，其具有闪锌矿与纤锌矿相混合的结构，在其UV‑vis‑NIR光吸收谱中，位于650nm和459nm附近,具有两个额外吸收峰出现，表明在原能带结构中有中间带形成，导致光吸收系数的增加，光吸收强度提高，进一步为Cr‑ZnS中间带薄膜太阳电池的制备提供指导方向。
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公开(公告)号：CN111233029A
公开(公告)日：2020-06-05
申请号：CN202010164013.8
申请日：2020-03-11
Applicant: 鄂尔多斯应用技术学院
IPC: C01G15/00 , H01L31/032 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种Cr掺杂In2S3的中间带材料的制备方法。首先称取In2S3和Cr2S3粉末样品放入球磨罐中；然后球磨罐中加入无水乙醇，密封球磨罐，然后将球磨罐放入球磨机中球磨；再将球磨后的样品取出放入离心管中做离心处理，将离心后的样品中的上层无水乙醇倒出，然后干燥，然后取出，手工研磨，然后放入退火炉中退火，退火后得到Cr-In2S3中间带材料。本发明的Cr掺杂In2S3的中间带材料的制备方法，其制备方法简单，采用球磨法结合退火处理制备了Cr-In2S3光吸收层材料，结构中各个元素符合化学计量比，组成元素分布均匀，其光反射强度低，从而导致光吸收强度强，而且能够吸收红外区的光生载流子，降低光生电子-空穴对复合。
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公开(公告)号：CN111139441A
公开(公告)日：2020-05-12
申请号：CN202010163990.6
申请日：2020-03-11
Applicant: 鄂尔多斯应用技术学院
Abstract: 本发明公开了一种Ti掺杂CdIn2S4的中间带薄膜及其制备方法，制备方法首先清洗钠钙玻璃衬底，然后将CdIn2S4靶材与TiS2靶材分别安装在磁控溅射仪的靶位上，再将清洗干净的钠钙玻璃衬底固定在载物台上，抽真空，然后依次交替溅射CdIn2S4和TiS2，在钠钙玻璃衬底上沉积Ti-CdIn2S4得到层叠膜，最后将所述层叠膜放入退火炉中退火，最终得到Ti-CdIn2S4中间带薄膜。本发明的Ti掺杂CdIn2S4的中间带薄膜的制备方法，通过溅射法制备出纯尖晶石结构的Ti-CdIn2S4薄膜，掺入Ti元素后形成杂质带，该薄膜可以吸收可见光-红外光源范围内的光子，增多光生载流子降低电子-空穴对复合，光吸收强度明显增强，并且随着Ti掺杂量的增加吸收强度也在增强。
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公开(公告)号：CN119114105A
公开(公告)日：2024-12-13
申请号：CN202411028189.5
申请日：2024-07-30
Applicant: 鄂尔多斯应用技术学院 , 内蒙古大学
IPC: B01J27/04 , C02F1/32 , B01J21/06 , B01J35/39 , B01J35/52 , C09K11/62 , C09K11/02 , B82Y20/00 , B82Y30/00 , C02F101/30
Abstract: 本发明公开了一种CuGaS2@TiO2复合材料光催化剂的制备方法，包括以下步骤：将铜源、镓源、十八烯、油胺混合后，加入TiO2空心球，在保护性气体下混合均匀；加入硫前驱体溶液，升温至180~260℃，反应25~30min；淬冷，纯化。本发明通过原位生长法成功在TiO2空心球表面负载CuGaS2量子点，形成了具有直接Z型异质结构的CuGaS2@TiO2复合材料光催化剂，极大降低了电子和空穴的复合效率。本发明制备的CuGaS2@TiO2复合材料光催化剂具有更高的催化活性，在紫外光照下30分钟对甲基橙的降解率能达到95.72%，并且经四次循环实验降解率仍在94%以上，具有优异的稳定性可多次重复使用，在水污染处理方面具有较大的应用潜力。
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