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发明公开
引入硫氰酸亚铜界面层的Gr/Si异质结太阳能电池及制备方法审中-实审

公开(公告)号：CN116632112A

公开(公告)日：2023-08-22

申请号：CN202310613278.5

申请日：2023-05-25

Applicant: 鄂尔多斯应用技术学院

Inventor： 范文亮 , 姚海燕 , 杨忠萍 , 高原

IPC: H01L31/18 , H01L31/0745

Abstract: 本发明涉及一种引入硫氰酸亚铜界面层的Gr/Si异质结太阳能电池及制备方法，所述制备方法包括以下步骤：S1.制备硅基底。S2.制备CuSCN/Si薄膜层。S3.制备Gr/CuSCN/Si器件。S4.制备TFSA/Gr/CuSCN/Si器件。S5.制备TFSA/Gr/CuSCN/Si异质结太阳能电池。本发明首次从实验上将CuSCN空穴传输层用于Gr/Si基太阳能电池作为界面层来改善该类太阳能电池的载流子迁移率、化学稳定性和热稳定性等特性。

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