公开(公告)号：CN118553816A

公开(公告)日：2024-08-27

申请号：CN202410664988.5

申请日：2024-05-27

Applicant: 鄂尔多斯应用技术学院

Inventor： 范文亮 ,  姚海燕 ,  越兴 ,  王伟 ,  王世奇

IPC: H01L31/18 ,  C23C14/35 ,  C23C14/06 ,  C23C14/58 ,  H01L31/0296 ,  H01L31/04

Abstract: 本发明涉及光伏材料技术领域，具体公开了一种Sn中掺杂ZnSe的薄膜光伏材料及其制备方法，包括如下步骤：S1：准备材料：准备Sn靶材与ZnSe靶材；S2：制备薄膜：使用磁控溅射法，将混合后的靶材均匀地涂覆在适当的基底上；S3：热处理：将涂覆有靶材的基底放入加热设备中，进行热处理，在热处理过程中，Sn靶材会均匀地掺杂在ZnSe靶材中；本发明通过磁控溅射法利用磁场来提高等离子体的密度和靶材的溅射率，从而加快薄膜的生长速度，磁控溅射还可以有效减少靶材的“非目标”溅射损耗，提高靶材的利用率，通过精确调控磁场强度和分布，实现更均匀、更紧密结合的薄膜结构，磁控溅射技术具有高效率、高材料利用率和优良的膜层质量控制的效果。