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公开(公告)号：CN1892250B
公开(公告)日：2012-11-14
申请号：CN200610099649.9
申请日：2006-06-29
Applicant: 通用电气公司
CPC classification number: G01T1/2018 , G01T1/24
Abstract: 具有电绝缘像素的探测器。根据本技术的实施，公开了一种探测器(18)。该探测器包含光电探测器阵列(44)和衬底层(50)。该光电探测器阵列包含多个光电二极管以及电绝缘该多个光电二极管的每个光电二极管的沟槽结构(81)或扩散栅格。该多个光电二极管和沟槽结构或深扩散栅格置于该光电探测器阵列的第一表面上，与第一表面相对的第二表面键合到衬底层。该衬底层通常由和光电探测器阵列相同的半导体材料制成，但制成衬底层的半导体材料是重掺杂且是导电的，从而提供与光电探测器阵列的阴极接触并提供机械支持。
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公开(公告)号：CN101214154A
公开(公告)日：2008-07-09
申请号：CN200810001972.7
申请日：2008-01-04
Applicant: 通用电气公司
CPC classification number: A61B6/032 , A61B6/4291 , A61B6/482
Abstract: 本发明涉及CT探测器模块构造。提供用于CT成像系统(10)的探测器模块(20)。所述探测器模块(20)包括用于将X射线(16)转换成电信号的传感器元件(52)。所述传感器元件(52)经由互连系统耦合到数据采集系统DAS(54)，所述DAS(54)由电子基板(56)和集成电路(70)构成。互连系统通过接触焊盘互连(60)以及线接合互连(72)或另外的接触焊盘互连(60)一起将所述传感器元件(52)、电子基板(56)以及集成电路(70)耦合。
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公开(公告)号：CN107003419A
公开(公告)日：2017-08-01
申请号：CN201580052301.1
申请日：2015-09-16
Applicant: 通用电气公司
CPC classification number: G01T1/248 , G01T1/247 , G01T1/249 , H01L27/14603 , H01L27/14609 , H01L27/14663 , H01L31/107 , H04N5/32
Abstract: 在本文中提供固态光电倍增管的实施例。在一些实施例中，光电传感器可以包括：感测元件；和读出电子设备，其中，感测元件与读出电子设备AC耦合。在一些实施例中，固态光电倍增管可以包括微单元，该微单元具有：感测元件；和读出电子设备，其中，感测元件与读出电子设备AC耦合。
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公开(公告)号：CN101221824A
公开(公告)日：2008-07-16
申请号：CN200810009502.5
申请日：2008-01-09
Applicant: 通用电气公司
CPC classification number: A61B6/032 , A61B6/06 , A61B6/4085 , A61B6/4241 , A61B6/4411 , A61B6/482
Abstract: 本发明涉及层叠式CT准直器及其制备方法。一种CT准直器包括第一辐射吸收叠层(112)，其具有通过其形成的多个孔(116)。通过第一辐射吸收叠层(112)形成的每一孔(116)与在相应的像素化元件(106)和X射线发射源(102)之间形成的相应轴(137)对准。准直器包括第二辐射吸收叠层(114)，其具有通过其形成的多个孔(118)，通过第二辐射吸收叠层(114)形成的每一孔(118)与在相应的像素化元件(106)和X射线发射源(102)之间形成的相应轴(137)对准。隔离物(126)定位在第一和第二辐射吸收叠层(112，114)之间。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107003419B
公开(公告)日：2019-06-18
申请号：CN201580052301.1
申请日：2015-09-16
Applicant: 通用电气公司
CPC classification number: G01T1/248 , G01T1/247 , G01T1/249 , H01L27/14603 , H01L27/14609 , H01L27/14663 , H01L31/107 , H04N5/32
Abstract: 在本文中提供固态光电倍增管的实施例。在一些实施例中，光电传感器可以包括：感测元件；和读出电子设备，其中，感测元件与读出电子设备AC耦合。在一些实施例中，固态光电倍增管可以包括微单元，该微单元具有：感测元件；和读出电子设备，其中，感测元件与读出电子设备AC耦合。
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公开(公告)号：CN101214154B
公开(公告)日：2013-03-13
申请号：CN200810001972.7
申请日：2008-01-04
Applicant: 通用电气公司
CPC classification number: A61B6/032 , A61B6/4291 , A61B6/482
Abstract: 本发明涉及CT探测器模块构造。提供用于CT成像系统(10)的探测器模块(20)。所述探测器模块(20)包括用于将X射线(16)转换成电信号的传感器元件(52)。所述传感器元件(52)经由互连系统耦合到数据采集系统DAS(54)，所述DAS(54)由电子基板(56)和集成电路(70)构成。互连系统通过接触焊盘互连(60)以及线接合互连(72)或另外的接触焊盘互连(60)一起将所述传感器元件(52)、电子基板(56)以及集成电路(70)耦合。
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公开(公告)号：CN1897272B
公开(公告)日：2010-10-13
申请号：CN200610110813.1
申请日：2006-07-14
Applicant: 通用电气公司
IPC: H01L25/00 , H01L21/822
CPC classification number: H01L31/02162 , H01L25/167 , H01L27/14618 , H01L27/14621 , H01L27/14658 , H01L31/0203 , H01L31/0312 , H01L31/101 , H01L2224/48227 , H04N5/32
Abstract: 一种光电探测系统包含宽带隙光电探测器阵列(10)，该光电探测器阵列物理且电集成在一个包含电连接(20)的柔性互连层(18)上，该光电探测器阵列以与处理电子器件(14)电集成的形式被封装并且封装和处理电子器件被配置用于获取并处理由光电探测器阵列探测到的信号，或者该阵列包括柔性互连层和处理电子器件的封装特性。
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公开(公告)号：CN1897272A
公开(公告)日：2007-01-17
申请号：CN200610110813.1
申请日：2006-07-14
Applicant: 通用电气公司
IPC: H01L25/00 , H01L21/822
CPC classification number: H01L31/02162 , H01L25/167 , H01L27/14618 , H01L27/14621 , H01L27/14658 , H01L31/0203 , H01L31/0312 , H01L31/101 , H01L2224/48227 , H04N5/32
Abstract: 一种光电探测系统包含宽带隙光电探测器阵列(10)，该光电探测器阵列物理且电集成在一个包含电连接(20)的柔性互连层(18)上，该光电探测器阵列以与处理电子器件(14)电集成的形式被封装并且封装和处理电子器件被配置用于获取并处理由光电探测器阵列探测到的信号，或者该阵列包括柔性互连层和处理电子器件的封装特性。
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公开(公告)号：CN1892250A
公开(公告)日：2007-01-10
申请号：CN200610099649.9
申请日：2006-06-29
Applicant: 通用电气公司
CPC classification number: G01T1/2018 , G01T1/24
Abstract: 根据本技术的实施，公开了一种探测器(18)。该探测器包含光电探测器阵列(44)和衬底层(50)。该光电探测器阵列包含多个光电二极管以及电绝缘该多个光电二极管的每个光电二极管的沟槽结构(81)或扩散栅格。该多个光电二极管和沟槽结构或深扩散栅格置于该光电探测器阵列的第一表面上，与第一表面相对的第二表面键合到衬底层。该衬底层通常由和光电探测器阵列相同的半导体材料制成，但制成衬底层的半导体材料是重掺杂且是导电的，从而提供与光电探测器阵列的阴极接触并提供机械支持。
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