公开(公告)号：CN1550211A

公开(公告)日：2004-12-01

申请号：CN200410043215.8

申请日：2004-05-14

Applicant: 通用电气公司

Inventor： J·W·勒布兰克 ,  F·H·扬森 ,  R·A·汤普森

IPC: A61B6/00

CPC classification number: G01T1/2018 ,  A61B6/037 ,  G01T1/1642

Abstract: 提供一种用于使用单片检测器(20)检测辐射的方法。该方法包括提供单片闪烁器(200)以与入射辐射相互作用，并且在相互作用的位置(704)产生许多光子，光学地将多个光传感器(712、714、716)连接至单片闪烁器以检测在相互作用位置产生的光子，并且使各光传感器发送表示每个光传感器检测到的光量，表示光传感器相对于相互作用位置覆盖的立体角，以及表示用于确定相互作用的三维位置的闪烁器光学传递特性的信号。

公开(公告)号：CN1892250B

公开(公告)日：2012-11-14

申请号：CN200610099649.9

申请日：2006-06-29

Applicant: 通用电气公司

Inventor： W·李 ,  G·E·波辛 ,  G·S·泽曼 ,  J·W·勒布兰克 ,  J·D·肖尔特 ,  R·G·罗德里格斯

IPC: G01T1/164 ,  G01T1/166

CPC classification number: G01T1/2018 ,  G01T1/24

Abstract: 具有电绝缘像素的探测器。根据本技术的实施，公开了一种探测器(18)。该探测器包含光电探测器阵列(44)和衬底层(50)。该光电探测器阵列包含多个光电二极管以及电绝缘该多个光电二极管的每个光电二极管的沟槽结构(81)或扩散栅格。该多个光电二极管和沟槽结构或深扩散栅格置于该光电探测器阵列的第一表面上，与第一表面相对的第二表面键合到衬底层。该衬底层通常由和光电探测器阵列相同的半导体材料制成，但制成衬底层的半导体材料是重掺杂且是导电的，从而提供与光电探测器阵列的阴极接触并提供机械支持。

公开(公告)号：CN1892250A

公开(公告)日：2007-01-10

申请号：CN200610099649.9

申请日：2006-06-29

Applicant: 通用电气公司

Inventor： W·李 ,  G·E·波辛 ,  G·S·泽曼 ,  J·W·勒布兰克 ,  J·D·肖尔特 ,  R·G·罗德里格斯

IPC: G01T1/164 ,  G01T1/166

CPC classification number: G01T1/2018 ,  G01T1/24

Abstract: 根据本技术的实施，公开了一种探测器(18)。该探测器包含光电探测器阵列(44)和衬底层(50)。该光电探测器阵列包含多个光电二极管以及电绝缘该多个光电二极管的每个光电二极管的沟槽结构(81)或扩散栅格。该多个光电二极管和沟槽结构或深扩散栅格置于该光电探测器阵列的第一表面上，与第一表面相对的第二表面键合到衬底层。该衬底层通常由和光电探测器阵列相同的半导体材料制成，但制成衬底层的半导体材料是重掺杂且是导电的，从而提供与光电探测器阵列的阴极接触并提供机械支持。