公开(公告)号：CN102949200A

公开(公告)日：2013-03-06

申请号：CN201110249237.X

申请日：2011-08-26

Applicant: 通用电气公司

Inventor： 吴召平 ,  张明龙 ,  陶鲲 ,  江浩川 ,  孙云峰 ,  吴小叶 ,  A.伊赫列夫

IPC: A61B6/03

Abstract: 本发明涉及一种准直器及其制造方法及专用于制造该准直器的模具组合，该准直器包括相对设置的第一表面及第二表面，及设置于该第一表面与第二表面之间的若干直通道。该若干直通道在该第一表面形成出射孔及在该第二表面形成入射孔。每相邻两个出射孔之间的距离均相等，每相邻两个出射孔之间的距离均相等，且每两个相邻入射孔之间的距离小于每两个相邻出射孔之间的距离。本发明还涉及该准直器的制造方法及专用于制造该准直器的模具组合。

公开(公告)号：CN103114335A

公开(公告)日：2013-05-22

申请号：CN201110365464.9

申请日：2011-11-17

Applicant: 通用电气公司

Inventor： 吴召平 ,  高绪彬 ,  徐悟生 ,  江浩川 ,  张明龙

IPC: C30B29/48 ,  C30B11/00

Abstract: 本发明涉及一种生产碲化镉或碲锌镉单晶体的方法，该方法包括：形成一个包括晶体生长区域和原位退火区域的整体温度场；将一个装有富碲材料和碲化镉或碲锌镉多晶材料的坩埚从所述晶体生长区域中通过，在该过程中，坩埚内的富碲材料熔化形成熔区，碲化镉或碲锌镉多晶材料逐渐溶解到所述熔区中，然后冷却析出碲化镉或碲锌镉单晶体；以及，将所述坩埚从所述原位退火区域中通过，在该过程中对所述晶体生长区域中生成的碲化镉或碲锌镉单晶体进行退火，以降低所述单晶体中的碲夹杂含量。

公开(公告)号：CN102557855B

公开(公告)日：2015-11-25

申请号：CN201010613288.1

申请日：2010-12-22

Applicant: 通用电气公司

Inventor： 古彦飞 ,  彭文庆 ,  王世忠 ,  林川 ,  劳伦斯·库尔 ,  吴召平 ,  傅琪佳 ,  邓志刚

IPC: C07C11/04 ,  C07C11/06 ,  C07C5/327 ,  C10G9/14 ,  C10G9/20 ,  C10G9/16 ,  C10G9/36 ,  B05D7/24 ,  B05D3/00

CPC classification number: C10B43/14 ,  C10G9/16 ,  C10G2300/1044 ,  C10G2300/1059 ,  C10G2300/807 ,  C10G2400/20

Abstract: 裂解反应装置接触烃的表面含氧化铈、氧化锌、氧化锡、氧化锆、勃姆石和氧化硅中至少一种和化学式为AaBbCcDdO3-δ的钙钛矿材料的烧结产物，其中0＜a＜1.2，0≤b≤1.2，0.9＜a+b≤1.2，0＜c＜1.2，0≤d≤1.2，0.9＜c+d≤1.2，-0.5＜δ＜0.5；A为钙(Ca)、锶(Sr)、钡(Ba)或其组合；B为锂(Li)、钠(Na)、钾(K)、铷(Rb)或其组合；C为铈(Ce)、锆(Zr)、锑(Sb)、镨(Pr)、钛(Ti)、铬(Cr)、锰(Mn)、铁(Fe)、钴(Co)、镍(Ni)、镓(Ga)、锡(Sn)、铽(Tb)或其组合；D为镧(La)、铈(Ce)、镨(Pr)、钕(Nd)、钷(Pm)、钐(Sm)、铕(Eu)、钆(Gd)、铽(Tb)、镝(Dy)、钬(Ho)、铒(Er)、铥(Tm)、镱(Yb)、镥(Lu)、钪(Sc)、钛(Ti)、钒(V)、铬(Cr)、锰(Mn)、铁(Fe)、钴(Co)、镍(Ni)、铜(Cu)、锌(Zn)、钇(Y)、锆(Zr)、铌(Nb)、钼(Mo)、锝(Tc)、钌(Ru)、铑(Rh)、钯(Pd)、银(Ag)、镉(Cd)、铪(Hf)、钽(Ta)、钨(W)、铼(Re)、锇(Os)、铱(Ir)、铂(Pt)、金(Au)、镓(Ga)、铟(In)、锡(Sn)、锑(Sb)或其组合。

公开(公告)号：CN102260519A

公开(公告)日：2011-11-30

申请号：CN201010192512.4

申请日：2010-05-31

Applicant: 通用电气公司

Inventor： 王世忠 ,  彭文庆 ,  傅琪佳 ,  邓志刚 ,  吴召平 ,  林川 ,  古彦飞 ,  张晓 ,  L·B·库尔

IPC: C10G9/16 ,  C10G9/18

CPC classification number: C10G9/203 ,  B01J19/0026 ,  B01J19/02 ,  B01J19/2425 ,  B01J23/002 ,  B01J2219/00245 ,  B01J2219/0218 ,  B01J2219/0263 ,  B01J2219/0286 ,  C04B35/505 ,  C04B35/62222 ,  C04B2235/3215 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3229 ,  C04B2235/3248 ,  C04B2235/79 ,  C07C4/04 ,  C10G9/16 ,  C10G9/18 ,  C10G9/36 ,  C10G2300/1033 ,  C10G2300/1044 ,  C10G2300/1059 ,  C10G2300/107 ,  C10G2300/1074 ,  C10G2300/1077 ,  C10G2300/1081 ,  C10G2300/807 ,  C10G2400/20

Abstract: 烃类裂解方法包括：提供蒸汽和烃类；将蒸汽和烃类输入接触烃类的表面含有化学式为AaBbCcDdO3-δ的钙钛矿材料的反应装置，其中0＜a＜1.2，0≤b≤1.2，0.9＜a+b≤1.2，0＜c＜1.2，0≤d≤1.2，0.9＜c+d≤1.2，-0.5＜δ＜0.5；A从钙(Ca)、锶(Sr)、钡(Ba)及其组合选取；B从锂(Li)、钠(Na)、钾(K)、铷(Rb)及其组合选取；C从铈(Ce)、锆(Zr)、锑(Sb)、镨(Pr)、钛(Ti)、铬(Cr)、锰(Mn)、铁(Fe)、钴(Co)、镍(Ni)、镓(Ga)、锡(Sn)、铽(Tb)及其组合选取；D从镧(La)、铈(Ce)、镨(Pr)、钕(Nd)、钷(Pm)、钐(Sm)、铕(Eu)、钆(Gd)、铽(Tb)、镝(Dy)、钬(Ho)、铒(Er)、铥(Tm)、镱(Yb)、镥(Lu)、钪(Sc)、钛(Ti)、钒(V)、铬(Cr)、锰(Mn)、铁(Fe)、钴(Co)、镍(Ni)、铜(Cu)、锌(Zn)、钇(Y)、锆(Zr)、铌(Nb)、钼(Mo)、锝(Tc)、钌(Ru)、铑(Rh)、钯(Pd)、银(Ag)、镉(Cd)、铪(Hf)、钽(Ta)、钨(W)、铼(Re)、锇(Os)、铱(Ir)、铂(Pt)、金(Au)、镓(Ga)、铟(In)、锡(Sn)、锑(Sb)及其组合选取。

公开(公告)号：CN102214708A

公开(公告)日：2011-10-12

申请号：CN201010147515.6

申请日：2010-04-08

Applicant: 通用电气公司

Inventor： 张明龙 ,  钟大龙 ,  吴召平

IPC: H01L31/042 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L31/0392 ,  H01L31/0296 ,  H01L31/02966 ,  H01L31/0312 ,  H01L31/0322 ,  H01L31/0324 ,  H01L31/0336 ,  H01L31/03365 ,  H01L31/03685 ,  H01L31/03687 ,  H01L31/03762 ,  H01L31/03765 ,  H01L31/03923 ,  H01L31/03925 ,  H01L31/073 ,  H01L31/0749 ,  Y02E10/541 ,  Y02E10/543 ,  Y02P70/521

Abstract: 薄膜太阳能电池包括：背接触层；与背接触层相邻的包含吸收材料和掺杂物的吸收层；缓冲层；位于吸收层和缓冲层之间的掺杂物阻挡层；以及与缓冲层相邻的窗口层。本发明还涉及前述薄膜太阳能电池的制造方法。

公开(公告)号：CN102260519B

公开(公告)日：2017-03-01

申请号：CN201010192512.4

申请日：2010-05-31

Applicant: 通用电气公司

Inventor： 王世忠 ,  彭文庆 ,  傅琪佳 ,  邓志刚 ,  吴召平 ,  林川 ,  古彦飞 ,  张晓 ,  L·B·库尔

IPC: C10G9/16 ,  C10G9/18

CPC classification number: C10G9/203 ,  B01J19/0026 ,  B01J19/02 ,  B01J19/2425 ,  B01J23/002 ,  B01J2219/00245 ,  B01J2219/0218 ,  B01J2219/0263 ,  B01J2219/0286 ,  C04B35/505 ,  C04B35/62222 ,  C04B2235/3215 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3229 ,  C04B2235/3248 ,  C04B2235/79 ,  C07C4/04 ,  C10G9/16 ,  C10G9/18 ,  C10G9/36 ,  C10G2300/1033 ,  C10G2300/1044 ,  C10G2300/1059 ,  C10G2300/107 ,  C10G2300/1074 ,  C10G2300/1077 ,  C10G2300/1081 ,  C10G2300/807 ,  C10G2400/20

Abstract: 烃类裂解方法包括：提供蒸汽和烃类；将蒸汽和烃类输入接触烃类的表面含有化学式为AaBbCcDdO3-δ的钙钛矿材料的反应装置，其中0＜a＜1.2，0≤b≤1.2，0.9＜a+b≤1.2，0＜c＜1.2，0≤d≤1.2，0.9＜c+d≤1.2，-0.5＜δ＜0.5；A从钙(Ca)、锶(Sr)、钡(Ba)及其组合选取；B从锂(Li)、钠(Na)、钾(K)、铷(Rb)及其组合选取；C从铈(Ce)、锆(Zr)、锑(Sb)、镨(Pr)、钛(Ti)、铬(Cr)、锰(Mn)、铁(Fe)、钴(Co)、镍(Ni)、镓(Ga)、锡(Sn)、铽(Tb)及其组合选取；D从镧(La)、铈(Ce)、镨(Pr)、钕(Nd)、钷(Pm)、钐(Sm)、铕(Eu)、钆(Gd)、铽(Tb)、镝(Dy)、钬(Ho)、铒(Er)、铥(Tm)、镱(Yb)、镥(Lu)、钪(Sc)、钛(Ti)、钒(V)、铬(Cr)、锰(Mn)、铁(Fe)、钴(Co)、镍(Ni)、铜(Cu)、锌(Zn)、钇(Y)、锆(Zr)、铌(Nb)、钼(Mo)、锝(Tc)、钌(Ru)、铑(Rh)、钯(Pd)、银(Ag)、镉(Cd)、铪(Hf)、钽(Ta)、钨(W)、铼(Re)、锇(Os)、铱(Ir)、铂(Pt)、金(Au)、镓(Ga)、铟(In)、锡(Sn)、锑(Sb)及其组

公开(公告)号：CN102557855A

公开(公告)日：2012-07-11

申请号：CN201010613288.1

申请日：2010-12-22

Applicant: 通用电气公司

Inventor： 古彦飞 ,  彭文庆 ,  王世忠 ,  林川 ,  劳伦斯·库尔 ,  吴召平 ,  傅琪佳 ,  邓志刚

IPC: C07C11/04 ,  C07C11/06 ,  C07C5/327 ,  C10G9/14 ,  C10G9/20 ,  C10G9/16 ,  C10G9/36 ,  B05D7/24 ,  B05D3/00

CPC classification number: C10B43/14 ,  C10G9/16 ,  C10G2300/1044 ,  C10G2300/1059 ,  C10G2300/807 ,  C10G2400/20

Abstract: 裂解反应装置接触烃的表面含氧化铈、氧化锌、氧化锡、氧化锆、勃姆石和氧化硅中至少一种和化学式为AaBbCcDdO3-δ的钙钛矿材料的烧结产物，其中0＜a＜1.2，0≤b≤1.2，0.9＜a+b≤1.2，0＜c＜1.2，0≤d≤1.2，0.9＜c+d≤1.2，-0.5＜δ＜0.5；A为钙(Ca)、锶(Sr)、钡(Ba)或其组合；B为锂(Li)、钠(Na)、钾(K)、铷(Rb)或其组合；C为铈(Ce)、锆(Zr)、锑(Sb)、镨(Pr)、钛(Ti)、铬(Cr)、锰(Mn)、铁(Fe)、钴(Co)、镍(Ni)、镓(Ga)、锡(Sn)、铽(Tb)或其组合；D为镧(La)、铈(Ce)、镨(Pr)、钕(Nd)、钷(Pm)、钐(Sm)、铕(Eu)、钆(Gd)、铽(Tb)、镝(Dy)、钬(Ho)、铒(Er)、铥(Tm)、镱(Yb)、镥(Lu)、钪(Sc)、钛(Ti)、钒(V)、铬(Cr)、锰(Mn)、铁(Fe)、钴(Co)、镍(Ni)、铜(Cu)、锌(Zn)、钇(Y)、锆(Zr)、铌(Nb)、钼(Mo)、锝(Tc)、钌(Ru)、铑(Rh)、钯(Pd)、银(Ag)、镉(Cd)、铪(Hf)、钽(Ta)、钨(W)、铼(Re)、锇(Os)、铱(Ir)、铂(Pt)、金(Au)、镓(Ga)、铟(In)、锡(Sn)、锑(Sb)或其组合。

公开(公告)号：CN102295284A

公开(公告)日：2011-12-28

申请号：CN201010212803.5

申请日：2010-06-28

Applicant: 通用电气公司

Inventor： 邓志刚 ,  彭文庆 ,  林川 ,  王世忠 ,  傅琪佳 ,  古彦飞 ,  吴召平 ,  梁延刚 ,  佘铭钢

IPC: C01B31/18 ,  C01B31/20 ,  C01B31/02

CPC classification number: C10G9/00 ,  B01J19/24 ,  B01J2219/00245 ,  B01J2219/24 ,  C01B32/40 ,  C01B32/50 ,  C10G9/12 ,  C10G9/36 ,  C10G75/00 ,  C10G2300/1044 ,  C10G2300/1059 ,  C10G2300/1081 ,  C10G2300/807 ,  C10G2400/20

Abstract: 本发明涉及一种将碳转化为碳的氧化物的方法，其包括：在有分子式为(Na2O)xNa2[Al2Si2O8](其中0＜x≤1)的类三斜霞石物质存在的情况下使碳和水蒸汽接触。本发明也涉及烃类裂解的方法及装置。

公开(公告)号：CN104070132B

公开(公告)日：2019-05-10

申请号：CN201310098984.7

申请日：2013-03-26

Applicant: 通用电气公司

Inventor： 吴召平 ,  布赖恩.V.穆尔 ,  阿内特.D.迈克尔 ,  汪德家 ,  朴俊泳 ,  古彦飞 ,  赵奇

IPC: B22C7/02 ,  B22C3/00 ,  B22C9/04

Abstract: 本发明涉及一种用于涂覆在泡沫模型上以形成消失模铸造所需的泡沫模样的耐火浆料，其包含可对所述泡沫模型的气化反应起催化作用的催化剂。本发明还提供了一种在其耐火涂层中包含所述催化剂的泡沫模样以及制造和使用该模样的方法。

公开(公告)号：CN103114335B

公开(公告)日：2016-04-27

申请号：CN201110365464.9

申请日：2011-11-17

Applicant: 通用电气公司

Inventor： 吴召平 ,  高绪彬 ,  徐悟生 ,  江浩川 ,  张明龙

IPC: C30B29/48 ,  C30B11/00

Abstract: 本发明涉及一种生产碲化镉或碲锌镉单晶体的方法，该方法包括：形成一个包括晶体生长区域和原位退火区域的整体温度场；将一个装有富碲材料和碲化镉或碲锌镉多晶材料的坩埚从所述晶体生长区域中通过，在该过程中，坩埚内的富碲材料熔化形成熔区，碲化镉或碲锌镉多晶材料逐渐溶解到所述熔区中，然后冷却析出碲化镉或碲锌镉单晶体；以及，将所述坩埚从所述原位退火区域中通过，在该过程中对所述晶体生长区域中生成的碲化镉或碲锌镉单晶体进行退火，以降低所述单晶体中的碲夹杂含量。