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公开(公告)号：CN105518842B
公开(公告)日：2019-10-22
申请号：CN201480050168.1
申请日：2014-09-10
Applicant: 迪睿合株式会社
IPC: H01L23/29 , H01L21/56 , H01L21/60 , H01L21/683 , C09J7/25 , C09J7/40 , C09J11/06 , C09J133/04 , C09J163/08
Abstract: 提供能够实现宽阔安装边缘的底部填充材料、以及使用其的半导体装置的制造方法。使用如下的底部填充材料（20），其含有环氧树脂、酸酐、丙烯酸系树脂以及有机过氧化物，以5℃/min以上且50℃/min以下的升温速度条件测定熔融粘度时的最低熔融粘度达到温度为100℃以上且150℃以下，最低熔融粘度为100Pa·s以上且5000Pa·s以下。由于在不同的升温温度条件下测定时的最低熔融粘度达到温度的变化小，因此即使不严密地控制热压接时的温度曲线，也能够实现无空隙安装和良好的焊料接合性，能够实现宽阔的安装边缘。
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公开(公告)号：CN107960096A
公开(公告)日：2018-04-24
申请号：CN201680028797.3
申请日：2016-06-03
Applicant: 迪睿合株式会社
IPC: C09J7/29 , B32B27/00 , H01L21/301 , H01L21/304
Abstract: 本发明提供一种保护带，其能够使焊料接合性成为良好，晶片的翘曲量减少。保护带依次具备粘接剂层、第一热塑性树脂层、第二热塑性树脂层和基材膜层，且满足下述式(1)～(3)的条件。(1)Ga＞Gb；(2)Ta＜Tb；(3)(Ga×Ta+Gb×Tb)/(Ta+Tb)≤1.4E+06Pa(式(1)中，Ga是贴附保护带的贴附温度下的第一热塑性树脂层的储存剪切弹性模量，Gb是贴附保护带的贴附温度下的第二热塑性树脂层的储存剪切弹性模量。式(2)中，Ta是第一热塑性树脂层的厚度，Tb是第二热塑性树脂层的厚度。式(3)中，Ga和Gb与式(1)中的Ga和Gb同义，Ta和Tb与式(2)中的Ta和Tb同义)。
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公开(公告)号：CN105518842A
公开(公告)日：2016-04-20
申请号：CN201480050168.1
申请日：2014-09-10
Applicant: 迪睿合株式会社
IPC: H01L21/60 , C09J7/00 , C09J11/06 , C09J133/04 , C09J163/08
Abstract: 提供能够实现宽阔安装边缘的底部填充材料、以及使用其的半导体装置的制造方法。使用如下的底部填充材料（20），其含有环氧树脂、酸酐、丙烯酸系树脂以及有机过氧化物，以5℃/min以上且50℃/min以下的升温速度条件测定熔融粘度时的最低熔融粘度达到温度为100℃以上且150℃以下，最低熔融粘度为100Pa·s以上且5000Pa·s以下。由于在不同的升温温度条件下测定时的最低熔融粘度达到温度的变化小，因此即使不严密地控制热压接时的温度曲线，也能够实现无空隙安装和良好的焊料接合性，能够实现宽阔的安装边缘。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107960096B
公开(公告)日：2020-09-01
申请号：CN201680028797.3
申请日：2016-06-03
Applicant: 迪睿合株式会社
IPC: C09J7/29 , B32B27/00 , H01L21/301 , H01L21/304
Abstract: 本发明提供一种保护带，其能够使焊料接合性成为良好，晶片的翘曲量减少。保护带依次具备粘接剂层、第一热塑性树脂层、第二热塑性树脂层和基材膜层，且满足下述式(1)～(3)的条件。(1)Ga＞Gb；(2)Ta＜Tb；(3)(Ga×Ta+Gb×Tb)/(Ta+Tb)≤1.4E+06Pa(式(1)中，Ga是贴附保护带的贴附温度下的第一热塑性树脂层的储存剪切弹性模量，Gb是贴附保护带的贴附温度下的第二热塑性树脂层的储存剪切弹性模量。式(2)中，Ta是第一热塑性树脂层的厚度，Tb是第二热塑性树脂层的厚度。式(3)中，Ga和Gb与式(1)中的Ga和Gb同义，Ta和Tb与式(2)中的Ta和Tb同义。)。
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公开(公告)号：CN105339450B
公开(公告)日：2022-05-24
申请号：CN201480009023.7
申请日：2014-08-18
Applicant: 迪睿合株式会社
IPC: C09J7/29 , B32B27/00 , H01L21/301 , H01L21/304
Abstract: 提供能获得优异的连接性的保护带以及使用该保护带的半导体装置的制造方法。依次具有粘接剂层（11）、热塑性树脂层（12）和基体材料膜层（13），粘贴保护带的粘贴温度下的粘接剂层（11）的储能剪切弹性模量和热塑性树脂层（12）的储能剪切弹性模量的弹性模量比为0.01以下。由此，由于抑制凸点上残留树脂，所以能够获得优异的连接性。
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公开(公告)号：CN108140570B
公开(公告)日：2022-05-10
申请号：CN201680058449.0
申请日：2016-10-18
Applicant: 迪睿合株式会社
Inventor： 森山浩伸
IPC: H01L21/304 , H01L21/301 , H01L21/56 , H01L21/60 , H01L21/683 , H01L23/29 , H01L23/31
Abstract: 在抑制晶片碎屑的同时，使半导体芯片安装时的焊料接合性良好。具有：在形成有突起电极22的晶片21面上，粘贴依次具有粘接剂层11、热塑性树脂层12和基材膜层13的保护带10的工序；研磨晶片21的保护带10粘贴面的相反面的工序；在晶片21的研磨面上粘贴粘合带30的工序；残留粘接剂层11而剥离保护带10，去除其它层的工序；切割粘贴有粘合带30的晶片21，获得单片的半导体芯片的工序；和在切割之前使粘接剂层11固化的工序，固化后的粘接剂层11的储存剪切弹性模量为3.0E+08Pa~5.0E+09Pa的范围，粘贴前的保护带10的粘接剂层11的厚度与突起电极22的高度之比(粘贴前的粘接剂层的厚度/突起电极的高度)为1/30~1/6。
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公开(公告)号：CN108140570A
公开(公告)日：2018-06-08
申请号：CN201680058449.0
申请日：2016-10-18
Applicant: 迪睿合株式会社
Inventor： 森山浩伸
IPC: H01L21/304 , H01L21/301 , H01L21/56 , H01L21/60 , H01L21/683 , H01L23/29 , H01L23/31
CPC classification number: H01L21/304 , H01L21/56 , H01L21/683 , H01L23/29 , H01L23/31 , H01L2224/11
Abstract: 在抑制晶片碎屑的同时，使半导体芯片安装时的焊料接合性良好。具有：在形成有突起电极22的晶片21面上，粘贴依次具有粘接剂层11、热塑性树脂层12和基材膜层13的保护带10的工序；研磨晶片21的保护带10粘贴面的相反面的工序；在晶片21的研磨面上粘贴粘合带30的工序；残留粘接剂层11而剥离保护带10，去除其它层的工序；切割粘贴有粘合带30的晶片21，获得单片的半导体芯片的工序；和在切割之前使粘接剂层11固化的工序，固化后的粘接剂层11的储存剪切弹性模量为3.0E+08Pa~5.0E+09Pa的范围，粘贴前的保护带10的粘接剂层11的厚度与突起电极22的高度之比(粘贴前的粘接剂层的厚度/突起电极的高度)为1/30~1/6。
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