公开(公告)号：CN107960096A

公开(公告)日：2018-04-24

申请号：CN201680028797.3

申请日：2016-06-03

Applicant: 迪睿合株式会社

Inventor： 森山浩伸 ,  八木秀和 ,  石松朋之 ,  海老泽胜之 ,  本庄庆司 ,  金子纯一

IPC: C09J7/29 ,  B32B27/00 ,  H01L21/301 ,  H01L21/304

Abstract: 本发明提供一种保护带，其能够使焊料接合性成为良好，晶片的翘曲量减少。保护带依次具备粘接剂层、第一热塑性树脂层、第二热塑性树脂层和基材膜层，且满足下述式(1)～(3)的条件。(1)Ga＞Gb；(2)Ta＜Tb；(3)(Ga×Ta+Gb×Tb)/(Ta+Tb)≤1.4E+06Pa(式(1)中，Ga是贴附保护带的贴附温度下的第一热塑性树脂层的储存剪切弹性模量，Gb是贴附保护带的贴附温度下的第二热塑性树脂层的储存剪切弹性模量。式(2)中，Ta是第一热塑性树脂层的厚度，Tb是第二热塑性树脂层的厚度。式(3)中，Ga和Gb与式(1)中的Ga和Gb同义，Ta和Tb与式(2)中的Ta和Tb同义)。

公开(公告)号：CN105339450B

公开(公告)日：2022-05-24

申请号：CN201480009023.7

申请日：2014-08-18

Applicant: 迪睿合株式会社

Inventor： 森山浩伸 ,  出口真吾 ,  八木秀和 ,  石松朋之

IPC: C09J7/29 ,  B32B27/00 ,  H01L21/301 ,  H01L21/304

Abstract: 提供能获得优异的连接性的保护带以及使用该保护带的半导体装置的制造方法。依次具有粘接剂层（11）、热塑性树脂层（12）和基体材料膜层（13），粘贴保护带的粘贴温度下的粘接剂层（11）的储能剪切弹性模量和热塑性树脂层（12）的储能剪切弹性模量的弹性模量比为0.01以下。由此，由于抑制凸点上残留树脂，所以能够获得优异的连接性。

公开(公告)号：CN105339450A

公开(公告)日：2016-02-17

申请号：CN201480009023.7

申请日：2014-08-18

Applicant: 迪睿合株式会社

Inventor： 森山浩伸 ,  出口真吾 ,  八木秀和 ,  石松朋之

IPC: C09J7/02 ,  B32B27/00 ,  H01L21/301 ,  H01L21/304

CPC classification number: H01L21/6836 ,  B32B27/00 ,  C09J7/20 ,  H01L21/304 ,  H01L21/78 ,  H01L23/3142 ,  H01L2224/13 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 提供能获得优异的连接性的保护带以及使用该保护带的半导体装置的制造方法。依次具有粘接剂层（11）、热塑性树脂层（12）和基体材料膜层（13），粘贴保护带的粘贴温度下的粘接剂层（11）的储能剪切弹性模量和热塑性树脂层（12）的储能剪切弹性模量的弹性模量比为0.01以下。由此，由于抑制凸点上残留树脂，所以能够获得优异的连接性。

公开(公告)号：CN107960096B

公开(公告)日：2020-09-01

申请号：CN201680028797.3

申请日：2016-06-03

Applicant: 迪睿合株式会社

Inventor： 森山浩伸 ,  八木秀和 ,  石松朋之 ,  海老泽胜之 ,  本庄庆司 ,  金子纯一

IPC: C09J7/29 ,  B32B27/00 ,  H01L21/301 ,  H01L21/304

Abstract: 本发明提供一种保护带，其能够使焊料接合性成为良好，晶片的翘曲量减少。保护带依次具备粘接剂层、第一热塑性树脂层、第二热塑性树脂层和基材膜层，且满足下述式(1)～(3)的条件。(1)Ga＞Gb；(2)Ta＜Tb；(3)(Ga×Ta+Gb×Tb)/(Ta+Tb)≤1.4E+06Pa(式(1)中，Ga是贴附保护带的贴附温度下的第一热塑性树脂层的储存剪切弹性模量，Gb是贴附保护带的贴附温度下的第二热塑性树脂层的储存剪切弹性模量。式(2)中，Ta是第一热塑性树脂层的厚度，Tb是第二热塑性树脂层的厚度。式(3)中，Ga和Gb与式(1)中的Ga和Gb同义，Ta和Tb与式(2)中的Ta和Tb同义。)。