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公开(公告)号:CN105339450B
公开(公告)日:2022-05-24
申请号:CN201480009023.7
申请日:2014-08-18
Applicant: 迪睿合株式会社
IPC: C09J7/29 , B32B27/00 , H01L21/301 , H01L21/304
Abstract: 提供能获得优异的连接性的保护带以及使用该保护带的半导体装置的制造方法。依次具有粘接剂层(11)、热塑性树脂层(12)和基体材料膜层(13),粘贴保护带的粘贴温度下的粘接剂层(11)的储能剪切弹性模量和热塑性树脂层(12)的储能剪切弹性模量的弹性模量比为0.01以下。由此,由于抑制凸点上残留树脂,所以能够获得优异的连接性。
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公开(公告)号:CN105339450A
公开(公告)日:2016-02-17
申请号:CN201480009023.7
申请日:2014-08-18
Applicant: 迪睿合株式会社
IPC: C09J7/02 , B32B27/00 , H01L21/301 , H01L21/304
CPC classification number: H01L21/6836 , B32B27/00 , C09J7/20 , H01L21/304 , H01L21/78 , H01L23/3142 , H01L2224/13 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 提供能获得优异的连接性的保护带以及使用该保护带的半导体装置的制造方法。依次具有粘接剂层(11)、热塑性树脂层(12)和基体材料膜层(13),粘贴保护带的粘贴温度下的粘接剂层(11)的储能剪切弹性模量和热塑性树脂层(12)的储能剪切弹性模量的弹性模量比为0.01以下。由此,由于抑制凸点上残留树脂,所以能够获得优异的连接性。
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