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公开(公告)号：CN103208569A
公开(公告)日：2013-07-17
申请号：CN201310140372.X
申请日：2008-12-26
申请人： 财团法人工业技术研究院
CPC分类号： H01L33/38 , H01L24/32 , H01L33/14 , H01L33/20 , H01L33/22 , H01L2224/13 , H01L2224/48091 , H01L2224/73265 , H01L2924/12041 , H01L2924/12044 , H01L2924/181 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
摘要： 一种发光装置包括发光结构、导热材料层、第一磁性层、第一电极层及第二电极层。导热材料层与所述发光结构耦合以耗散所述发光结构产生的热。第一磁性层与所述导热材料层耦合以在所述发光结构中产生磁场。所述第一磁性层设置在所述发光结构的一第一侧。所述导热材料层在设置在所述发光结构的所述第一侧且包围所述第一磁性层。第一电极层和第二电极层设置在所述导热材料层上以电连接所述发光结构。
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公开(公告)号：CN102129967A
公开(公告)日：2011-07-20
申请号：CN201010606225.3
申请日：2010-12-24
申请人： 财团法人工业技术研究院
CPC分类号： H01L21/02639 , H01L21/02389 , H01L21/0254 , H01L21/0265 , H01L21/02664 , H01L21/2007
摘要： 本发明公开一种氮化物半导体模板及其制作方法。氮化物半导体模板包括一具有一第一热膨胀系数的承载基板、一具有一第二热膨胀系数的氮化物半导体层以及一接合层，且第一热膨胀系数不同于第二热膨胀系数。配置于承载基板上的氮化物半导体层至少有10μm厚。氮化物半导体层在第一表面比上第二表面的一差排密度比值可由0.1至10。接合层配置于承载基板与氮化物半导体层之间以使氮化物半导体层贴合至承载基板上。第二表面接近氮化物半导体层与接合层之间的一界面，而第一表面距离第二表面10μm。
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公开(公告)号：CN101919073A
公开(公告)日：2010-12-15
申请号：CN200880124534.8
申请日：2008-12-26
申请人： 财团法人工业技术研究院
CPC分类号： H01L33/38 , H01L24/32 , H01L33/14 , H01L33/20 , H01L33/22 , H01L2224/13 , H01L2224/48091 , H01L2224/73265 , H01L2924/12041 , H01L2924/12044 , H01L2924/181 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
摘要： 一种发光装置包含发光结构和磁性源结构。所述发光结构包含第一掺杂结构层、第二掺杂结构层、所述两个掺杂结构层之间的活性层、第一电极和第二电极，其中所述第一电极和所述第二电极分别电耦合到所述第一掺杂结构层和所述第二掺杂结构层。所述磁性源结构邻近于所述发光结构以在所述发光结构中产生磁场。
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公开(公告)号：CN102969339A
公开(公告)日：2013-03-13
申请号：CN201210468317.9
申请日：2009-07-17
申请人： 财团法人工业技术研究院
摘要： 本发明公开了一种氮化物半导体基板，包括：外延基板、图案化的氮化物半导体柱层、氮化物半导体层以及掩模层。上述图案化的氮化物半导体柱层，形成于该外延基板上，上述氮化物半导体层，形成于该氮化物半导体柱层上。掩模层则覆盖在该氮化物半导体柱层与该外延基板的表面。上述氮化物半导体柱层包括：多个图案化排列的第一空洞结构以及多个图案化排列的第二空洞结构，位于图案化排列的该多个第一空洞结构之间，其中该多个第二空洞结构为纳米尺寸。
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公开(公告)号：CN101414591B
公开(公告)日：2011-05-04
申请号：CN200710181527.9
申请日：2007-10-18
申请人： 财团法人工业技术研究院
IPC分类号： H01L23/488 , H01L23/13 , H01L21/48 , H01L33/00
CPC分类号： H01L24/97 , H01L2224/11
摘要： 本发明公开了一种岛状式承载板及其制作方法，用以承载至少一发光组件，该发光组件具有至少一电性接点，该岛状式承载板包含有：基板；至少一个以上的岛状结构，位于该基板上并对应该电性接点，该岛状结构具有顶面与斜面；以及导电层，设置于岛状结构表面并至少覆盖顶面，以与电性接点电性连接。本发明的岛状式承载板，可以提高发光组件的光萃取效率，避免发光组件由下方出光再度反射回发光组件时，所造成二度吸收的能量损失。
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公开(公告)号：CN101483214A
公开(公告)日：2009-07-15
申请号：CN200810129836.6
申请日：2008-08-07
申请人： 财团法人工业技术研究院
IPC分类号： H01L33/00
摘要： 本发明提供一种发光装置。在本发明中，向该发光装置添加磁性材料以改变电流路径和电流密度分布。由于电流密度的主要分布从电极之间的区域移到光出射表面下方的区域，所发射的光不再被电极阻断，因此可提高发光效率并且使电流密度分布保持均匀。
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公开(公告)号：CN101150053A
公开(公告)日：2008-03-26
申请号：CN200610154293.4
申请日：2006-09-20
申请人： 财团法人工业技术研究院
摘要： 本发明提供一种氮化物半导体基板及其制造方法。所述方法包括：提供基板，之后于基板上形成外延层。于外延层上形成图案化掩模层，其中图案化掩模层裸露部分外延层。接着，进行氧化工艺以使裸露的部分外延层完全氧化成多个错位阻挡结构。移除图案化掩模层。接着，于具有错位阻挡结构的外延层上形成氮化物半导体层。
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公开(公告)号：CN103208569B
公开(公告)日：2015-11-04
申请号：CN201310140372.X
申请日：2008-12-26
申请人： 财团法人工业技术研究院
CPC分类号： H01L33/38 , H01L24/32 , H01L33/14 , H01L33/20 , H01L33/22 , H01L2224/13 , H01L2224/48091 , H01L2224/73265 , H01L2924/12041 , H01L2924/12044 , H01L2924/181 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
摘要： 一种发光装置包括发光结构、导热材料层、第一磁性层、第一电极层及第二电极层。导热材料层与所述发光结构耦合以耗散所述发光结构产生的热。第一磁性层与所述导热材料层耦合以在所述发光结构中产生磁场。所述第一磁性层设置在所述发光结构的一第一侧。所述导热材料层在设置在所述发光结构的所述第一侧且包围所述第一磁性层。第一电极层和第二电极层设置在所述导热材料层上以电连接所述发光结构。
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公开(公告)号：CN102129967B
公开(公告)日：2014-04-02
申请号：CN201010606225.3
申请日：2010-12-24
申请人： 财团法人工业技术研究院
CPC分类号： H01L21/02639 , H01L21/02389 , H01L21/0254 , H01L21/0265 , H01L21/02664 , H01L21/2007
摘要： 本发明公开一种氮化物半导体模板及其制作方法。氮化物半导体模板包括一具有一第一热膨胀系数的承载基板、一具有一第二热膨胀系数的氮化物半导体层以及一接合层，且第一热膨胀系数不同于第二热膨胀系数。配置于承载基板上的氮化物半导体层至少有10μm厚。氮化物半导体层在第一表面比上第二表面的一差排密度比值可由0.1至10。接合层配置于承载基板与氮化物半导体层之间以使氮化物半导体层贴合至承载基板上。第二表面接近氮化物半导体层与接合层之间的一界面，而第一表面距离第二表面10μm。
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