公开(公告)号：CN101150053A

公开(公告)日：2008-03-26

申请号：CN200610154293.4

申请日：2006-09-20

申请人： 财团法人工业技术研究院

发明人： 赖志铭 ,  蔡政达 ,  刘文岳 ,  郭义德

IPC分类号： H01L21/20 ,  H01L33/00 ,  H01S5/00

摘要： 本发明提供一种氮化物半导体基板及其制造方法。所述方法包括：提供基板，之后于基板上形成外延层。于外延层上形成图案化掩模层，其中图案化掩模层裸露部分外延层。接着，进行氧化工艺以使裸露的部分外延层完全氧化成多个错位阻挡结构。移除图案化掩模层。接着，于具有错位阻挡结构的外延层上形成氮化物半导体层。

公开(公告)号：CN101093867B

公开(公告)日：2010-12-08

申请号：CN200610093762.6

申请日：2006-06-19

申请人： 财团法人工业技术研究院

发明人： 赖志铭 ,  刘文岳 ,  蔡政达 ,  许荣宗 ,  果尚志 ,  沈昌宏 ,  林弘伟

IPC分类号： H01L33/00 ,  H01S5/00

摘要： 一种三族氮化物垂直柱阵列衬底，此三族氮化物垂直柱阵列衬底包括：衬底、缓冲层与垂直柱阵列层。其中，缓冲层位于衬底上方，且垂直柱阵列层位于缓冲层上，而垂直柱阵列层是由多个立于缓冲层上的垂直柱组成。(A)

公开(公告)号：CN100505164C

公开(公告)日：2009-06-24

申请号：CN200610100109.8

申请日：2006-06-28

申请人： 财团法人工业技术研究院

发明人： 刘柏均 ,  刘文岳 ,  赖志铭 ,  郭义德 ,  蔡政达

IPC分类号： H01L21/20 ,  H01L29/02 ,  H01L31/0248 ,  H01L33/00

摘要： 一种氮化物半导体衬底的制造方法是先提供一个第一衬底，这个第一衬底包括第一基材、堆叠于第一基材上的氮化物半导体模板层以及堆叠于氮化物半导体模板层上的第一介质层。接着，构图第一介质层和氮化物半导体模板层，再提供一个第二衬底，这个第二衬底包括第二基材以及堆叠于第二基材上的第二介质层。随后，以键合转移工艺将第一衬底的氮化物半导体模板层以及第一介质层转移到第二衬底的第二介质层上，然后利用一道外延工艺自氮化物半导体模板层生长一层氮化物半导体厚膜。之后，将氮化物半导体厚膜与第二衬底分离。

公开(公告)号：CN100479099C

公开(公告)日：2009-04-15

申请号：CN200610154293.4

申请日：2006-09-20

申请人： 财团法人工业技术研究院

发明人： 赖志铭 ,  蔡政达 ,  刘文岳 ,  郭义德

IPC分类号： H01L21/20 ,  H01L33/00 ,  H01S5/00

摘要： 本发明提供一种氮化物半导体基板及其制造方法。所述方法包括：提供基板，之后于基板上形成外延层。于外延层上形成图案化掩模层，其中图案化掩模层裸露部份外延层。接着，进行氧化工艺以使裸露的部分外延层完全氧化成多个错位阻挡结构。移除图案化掩模层。接着，于具有错位阻挡结构的外延层上形成氮化物半导体层。

公开(公告)号：CN100401541C

公开(公告)日：2008-07-09

申请号：CN200510006976.0

申请日：2005-01-14

申请人： 财团法人工业技术研究院

发明人： 王德忠 ,  卓昌正 ,  蔡敬恩 ,  赖志铭

IPC分类号： H01L33/00

摘要： 本发明公开了一种量子点/量子阱发光二极管，于一基板的一侧制作一发光二极管，并于此基板的另一侧制作一第二发光层与一第三发光层，当施加一适当的顺向偏压于此发光二极管，使其第一发光层发出一第一光线时，即可通过此第一光线激发此第二发光层与第三发光层，而分别产生不同颜色的第二光线及第三光线输出，此第一光线、第二光线及第三光线经过混光后，即可产生所需颜色的光线输出。

公开(公告)号：CN101097855A

公开(公告)日：2008-01-02

申请号：CN200610100109.8

申请日：2006-06-28

申请人： 财团法人工业技术研究院

发明人： 刘柏均 ,  刘文岳 ,  赖志铭 ,  郭义德 ,  蔡政达

IPC分类号： H01L21/20 ,  H01L29/02 ,  H01L31/0248 ,  H01L33/00

摘要： 一种氮化物半导体衬底的制造方法是先提供一个第一衬底，这个第一衬底包括第一基材、堆叠于第一基材上的氮化物半导体模板层以及堆叠于氮化物半导体模板层上的第一介质层。接着，构图第一介质层和氮化物半导体模板层，再提供一个第二衬底，这个第二衬底包括第二基材以及堆叠于第二基材上的第二介质层。随后，以键合转移工艺将第一衬底的氮化物半导体模板层以及第一介质层转移到第二衬底的第二介质层上，然后利用一道外延工艺自氮化物半导体模板层生长一层氮化物半导体厚膜。之后，将氮化物半导体厚膜与第二衬底分离。

公开(公告)号：CN101093867A

公开(公告)日：2007-12-26

申请号：CN200610093762.6

申请日：2006-06-19

申请人： 财团法人工业技术研究院

发明人： 赖志铭 ,  刘文岳 ,  蔡政达 ,  许荣宗 ,  果尚志 ,  沈昌宏 ,  林弘伟

IPC分类号： H01L33/00 ,  H01S5/00

摘要： 一种三族氮化物垂直柱阵列衬底，此三族氮化物垂直柱阵列衬底包括：衬底、缓冲层与垂直柱阵列层。其中，缓冲层位于衬底上方，且垂直柱阵列层位于缓冲层上，而垂直柱阵列层是由多个立于缓冲层上的垂直柱组成。

公开(公告)号：CN1805159A

公开(公告)日：2006-07-19

申请号：CN200510006976.0

申请日：2005-01-14

申请人： 财团法人工业技术研究院

发明人： 王德忠 ,  卓昌正 ,  蔡敬恩 ,  赖志铭

IPC分类号： H01L33/00

摘要： 本发明公开了一种量子点/量子井发光二极管，于一基板的一侧制作一发光二极管，并于此基板的另一侧制作一第二发光层与一第三发光层，当施加一适当的顺向偏压于此发光二极管，使其第一发光层发出一第一光线时，即可通过此第一光线激发此第二发光层与第三发光层，而分别产生不同颜色的第二光线及第三光线输出，此第一光线、第二光线及第三光线经过混光后，即可产生所需颜色的光线输出。