发明公开
CN1805159A 一种量子点/量子井发光二极管
失效 - 权利终止
- 专利标题: 一种量子点/量子井发光二极管
- 专利标题(英): Quantum spot/quantum well light emitting diode
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申请号: CN200510006976.0申请日: 2005-01-14
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公开(公告)号: CN1805159A公开(公告)日: 2006-07-19
- 发明人: 王德忠 , 卓昌正 , 蔡敬恩 , 赖志铭
- 申请人: 财团法人工业技术研究院
- 申请人地址: 台湾省新竹县
- 专利权人: 财团法人工业技术研究院
- 当前专利权人: 财团法人工业技术研究院
- 当前专利权人地址: 台湾省新竹县
- 代理机构: 北京律诚同业知识产权代理有限公司
- 代理商 梁挥; 祁建国
- 主分类号: H01L33/00
- IPC分类号: H01L33/00
摘要:
本发明公开了一种量子点/量子井发光二极管,于一基板的一侧制作一发光二极管,并于此基板的另一侧制作一第二发光层与一第三发光层,当施加一适当的顺向偏压于此发光二极管,使其第一发光层发出一第一光线时,即可通过此第一光线激发此第二发光层与第三发光层,而分别产生不同颜色的第二光线及第三光线输出,此第一光线、第二光线及第三光线经过混光后,即可产生所需颜色的光线输出。
公开/授权文献
- CN100401541C 一种量子点/量子阱发光二极管 公开/授权日:2008-07-09
IPC分类: