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发明公开
CN102969339A 氮化物半导体基板及其制造方法 无效 - 撤回

氮化物半导体基板及其制造方法
摘要：
本发明公开了一种氮化物半导体基板，包括：外延基板、图案化的氮化物半导体柱层、氮化物半导体层以及掩模层。上述图案化的氮化物半导体柱层，形成于该外延基板上，上述氮化物半导体层，形成于该氮化物半导体柱层上。掩模层则覆盖在该氮化物半导体柱层与该外延基板的表面。上述氮化物半导体柱层包括：多个图案化排列的第一空洞结构以及多个图案化排列的第二空洞结构，位于图案化排列的该多个第一空洞结构之间，其中该多个第二空洞结构为纳米尺寸。
摘要（英）：

The invention discloses a nitride semiconductor substrate, comprising an epitaxial substrate, a patterned nitride semiconductor column layer, a nitride semiconductor layer and a mask layer, wherein the patterned nitride semiconductor column layer is formed on the epitaxial substrate; the nitride semiconductor layer is formed on the patterned nitride semiconductor column layer; the mask layer covers the surface of the nitride semiconductor column layer and the surface of the epitaxial substrate; and the nitride semiconductor column layer comprises a plurality of first cavity structures in pattern arrangement, and a plurality of second nanoscale cavity structures in pattern arrangement among the plurality of first cavity structures in pattern arrangement.

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