公开(公告)号：CN101958375B

公开(公告)日：2013-01-02

申请号：CN200910160715.2

申请日：2009-07-17

申请人： 财团法人工业技术研究院

发明人： 郭义德 ,  林素芳 ,  郭威宏 ,  刘柏均 ,  纪东炜 ,  赵主立 ,  蔡政达

IPC分类号： H01L33/00 ,  H01S5/30 ,  H01L21/20

摘要： 一种氮化物半导体基板及其制造方法，其中的氮化物半导体基板包括外延基板、氮化物柱层、氮化物半导体层及掩模层，其中氮化物柱层是由数个图案化排列的第一柱和数个图案化排列的第二柱所构成。氮化物柱层形成于外延基板上，第二柱的横截面宽度小于第一柱的横截面宽度，第二柱与第二柱之间的距离大于第一柱与第一柱之间的距离。掩模层则覆盖在第一柱、第二柱和外延基板的表面。氮化物半导体层则形成于氮化物柱层上。

公开(公告)号：CN102969339A

公开(公告)日：2013-03-13

申请号：CN201210468317.9

申请日：2009-07-17

申请人： 财团法人工业技术研究院

发明人： 郭义德 ,  林素芳 ,  郭威宏 ,  刘柏均 ,  纪东炜 ,  赵主立 ,  蔡政达

IPC分类号： H01L29/06 ,  H01L21/02

摘要： 本发明公开了一种氮化物半导体基板，包括：外延基板、图案化的氮化物半导体柱层、氮化物半导体层以及掩模层。上述图案化的氮化物半导体柱层，形成于该外延基板上，上述氮化物半导体层，形成于该氮化物半导体柱层上。掩模层则覆盖在该氮化物半导体柱层与该外延基板的表面。上述氮化物半导体柱层包括：多个图案化排列的第一空洞结构以及多个图案化排列的第二空洞结构，位于图案化排列的该多个第一空洞结构之间，其中该多个第二空洞结构为纳米尺寸。

公开(公告)号：CN101958375A

公开(公告)日：2011-01-26

申请号：CN200910160715.2

申请日：2009-07-17

申请人： 财团法人工业技术研究院

发明人： 郭义德 ,  林素芳 ,  郭威宏 ,  刘柏均 ,  纪东炜 ,  赵主立 ,  蔡政达

IPC分类号： H01L33/00 ,  H01S5/30 ,  H01L21/20

摘要： 一种氮化物半导体基板及其制造方法，其中的氮化物半导体基板包括外延基板、氮化物柱层、氮化物半导体层及掩模层，其中氮化物柱层是由数个图案化排列的第一柱和数个图案化排列的第二柱所构成。氮化物柱层形成于外延基板上，第二柱的横截面宽度小于第一柱的横截面宽度，第二柱与第二柱之间的距离大于第一柱与第一柱之间的距离。掩模层则覆盖在第一柱、第二柱和外延基板的表面。氮化物半导体层则形成于氮化物柱层上。