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公开(公告)号：CN1964038A
公开(公告)日：2007-05-16
申请号：CN200510120396.4
申请日：2005-11-11
Applicant: 财团法人工业技术研究院
Abstract: 本发明提供了一种晶片堆叠结构及三维晶片堆叠的方法，该晶片堆叠结构包含具有多个金属支撑结构的第一晶片，以及堆叠在该第一晶片上方的一第二晶片，其中，该第二晶片可以为表面朝上或表面朝下。所述的金属支撑结构配置在每一芯片位置上并且从该第一晶片上方的硅表面延伸到该第二晶片底座的硅表面。该金属支撑结构在两个硅表面之间形成一支撑力量，以保护低介电层使其能够免于垂直应力或剪应力的破坏。
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公开(公告)号：CN101635293B
公开(公告)日：2012-08-29
申请号：CN200810149914.9
申请日：2008-10-15
Applicant: 财团法人工业技术研究院
CPC classification number: H01L25/0657 , H01L23/562 , H01L25/50 , H01L2225/06527 , H01L2225/06541 , H01L2225/06593 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种晶片堆叠结构，该晶片堆叠结构包含一第一晶片，该第一晶片具有一第一装置层与一第一基板，其中该第一装置层具有至少一芯片及至少一低介电材料层；一第二晶片，设置在该第一晶片之上，其具有一第二装置层；以及一封闭结构，其设置于该至少一芯片上且设置于该至少一芯片的切割道的内侧，其中该封闭结构是从该第一装置层远离该第一基板的一侧延伸至其靠近该第一基板的另一侧。本发明所提的晶片堆叠结构不但可提供晶片装置层的多孔性介电材料一定的应力支撑保护，更可隔绝该多孔性介电材料，使其免于湿气的侵入，而解决晶片堆叠结构可能因气密性不足而引发的可靠性问题。
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公开(公告)号：CN100495701C
公开(公告)日：2009-06-03
申请号：CN200510120396.4
申请日：2005-11-11
Applicant: 财团法人工业技术研究院
Abstract: 本发明提供了一种晶片堆叠结构及三维晶片堆叠的方法，该晶片堆叠结构包含具有多个金属支撑结构的第一晶片，以及堆叠在该第一晶片上方的一第二晶片，其中，该第二晶片可以为表面朝上或表面朝下。所述的金属支撑结构配置在每一芯片位置上并且从该第一晶片上方的硅表面延伸到该第二晶片底座的硅表面。该金属支撑结构在两个硅表面之间形成一支撑力量，以保护低介电层使其能够免于垂直应力或剪应力的破坏。
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公开(公告)号：CN101051628A
公开(公告)日：2007-10-10
申请号：CN200610073138.X
申请日：2006-04-06
Applicant: 财团法人工业技术研究院
IPC: H01L23/485 , H01L23/498 , H01L21/60 , H01L21/48 , H01L21/28
CPC classification number: H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明为一种具应力缓冲的微连凸块结构，其包括有：一第一顶面，该第一顶面与基板及电子组件其中之一连接；一第二顶面，该第二顶面与基板及电子组件其中之一连接；一支撑体，连接于第一顶面与第二顶面之间，且该支撑体的二端表面积不大于第一顶面及第二顶面；一缓冲层，设置于支撑体的外部，以提供应力吸收及缓冲的功能。
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公开(公告)号：CN100452373C
公开(公告)日：2009-01-14
申请号：CN200510130233.4
申请日：2005-12-14
Applicant: 财团法人工业技术研究院
CPC classification number: H01L24/81 , H01L2224/11 , H01L2224/81385 , H01L2924/14 , H01L2924/351 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及一种集成电路的接合结构及其制造方法，用以接合一第一基板与一第二基板，该接合结构包括有：一第一垫片，附着于该第一基板上；多个第一柱状物，以一第一密度形成于该第一垫片上；一第二垫片，附着于该第二基板上；以及多个第二柱状物，以一第二密度形成于该第二垫片上；其中，该多个第一柱状物与该多个第二柱状物互相穿插以接合该第一基板与该第二基板。本发明还能够与导电性材料制成的纤维组织做连接，并且此接合结构不需任何热固性高分子做补强的动作即可保有可挠的特质，具有高可靠度。
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公开(公告)号：CN1979839A
公开(公告)日：2007-06-13
申请号：CN200510126154.6
申请日：2005-11-30
Applicant: 财团法人工业技术研究院
IPC: H01L23/522 , H01L21/768
CPC classification number: H01L24/20 , H01L2224/04105 , H01L2224/12105 , H01L2224/19 , H01L2224/32145 , H01L2224/73267 , H01L2924/351 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
Abstract: 本发明公开了一种降低导孔应力的结构及其制造方法，其利用呈现格状结构的应力阻障块将厚度方向的一个或多个导线或导孔框起，借此来隔绝与大块的高热膨胀系数的绝缘材料的直接接触，进而可将在温度负载下所产生的剪切应力阻隔或吸收掉。
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公开(公告)号：CN101452901B
公开(公告)日：2010-12-15
申请号：CN200810187338.7
申请日：2006-04-06
Applicant: 财团法人工业技术研究院
IPC: H01L23/485 , H01L23/498 , H01L21/60 , H01L21/48
CPC classification number: H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明为一种具应力缓冲的微连凸块结构及其制造方法，该具应力缓冲的微连凸块结构包括有：一第一顶面，该第一顶面与基板及电子组件其中之一连接；一第二顶面，该第二顶面与基板及电子组件其中之一连接；一支撑体，连接于第一顶面与第二顶面之间，且该支撑体的二端表面积不大于第一顶面及第二顶面；一缓冲层，设置于支撑体的外部，以提供应力吸收及缓冲的功能。
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公开(公告)号：CN101635293A
公开(公告)日：2010-01-27
申请号：CN200810149914.9
申请日：2008-10-15
Applicant: 财团法人工业技术研究院
CPC classification number: H01L25/0657 , H01L23/562 , H01L25/50 , H01L2225/06527 , H01L2225/06541 , H01L2225/06593 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种晶片堆叠结构，该晶片堆叠结构包含一第一晶片，该第一晶片具有一第一装置层与一第一基板，其中该第一装置层具有至少一芯片及至少一低介电材料层；一第二晶片，设置在该第一晶片之上，其具有一第二装置层；以及一封闭结构，其设置于该至少一芯片上且设置于该至少一芯片的切割道的内侧，其中该封闭结构是从该第一装置层远离该第一基板的一侧延伸至其靠近该第一基板的另一侧。本发明所提的晶片堆叠结构不但可提供晶片装置层的多孔性介电材料一定的应力支撑保护，更可隔绝该多孔性介电材料，使其免于湿气的侵入，而解决晶片堆叠结构可能因气密性不足而引发的可靠性问题。
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公开(公告)号：CN100452452C
公开(公告)日：2009-01-14
申请号：CN200510072890.8
申请日：2005-05-17
Applicant: 财团法人工业技术研究院
IPC: H01L33/00 , H01L25/075
CPC classification number: H01L2224/45124 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/73265 , H01L2924/181 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
Abstract: 一种备有发光二极管的翻转侧置结构的发光装置，允许发射光的行进与其附着表面平行。一个或多个发光二极管晶粒以其侧表面面向基底表面，装设在此基底上。此发光装置还可结合基底上的光学突出物以形成一发光模块，用来反射和组合从发光二极管晶粒发射出的光。此发光装置不需要传统打线接合的程序。其封装结构也解决了发光二极管的散热问题。如有需求的话，静电保护电路可包含于此发光模块。本发明使得组合后的光有较佳均匀度及高强度，且可有想要的彩度。
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公开(公告)号：CN1904465A
公开(公告)日：2007-01-31
申请号：CN200510087144.6
申请日：2005-07-27
Applicant: 财团法人工业技术研究院
IPC: F21S2/00 , F21V7/00 , F21V7/10 , F21W131/00 , F21Y101/02
Abstract: 一种照明单元结构，包括点状发光体，具有发光轴。初阶锥形反射面，有缩口端与开口端。该点状发光体位于该缩口端，且该发光轴朝向该开口端以发散射出光。该初阶锥形反射面与该发光轴有一个初阶夹角。末阶锥形反射面，有缩口端与开口端。其中该末阶锥形反射面的该缩口端与该初阶锥形反射面的该开口端耦合。该末阶锥形反射面与该发光轴有一个末阶夹角，该初阶夹角大于该末阶夹角。
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