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公开(公告)号：CN1964038A
公开(公告)日：2007-05-16
申请号：CN200510120396.4
申请日：2005-11-11
Applicant: 财团法人工业技术研究院
Abstract: 本发明提供了一种晶片堆叠结构及三维晶片堆叠的方法，该晶片堆叠结构包含具有多个金属支撑结构的第一晶片，以及堆叠在该第一晶片上方的一第二晶片，其中，该第二晶片可以为表面朝上或表面朝下。所述的金属支撑结构配置在每一芯片位置上并且从该第一晶片上方的硅表面延伸到该第二晶片底座的硅表面。该金属支撑结构在两个硅表面之间形成一支撑力量，以保护低介电层使其能够免于垂直应力或剪应力的破坏。
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公开(公告)号：CN101635293A
公开(公告)日：2010-01-27
申请号：CN200810149914.9
申请日：2008-10-15
Applicant: 财团法人工业技术研究院
CPC classification number: H01L25/0657 , H01L23/562 , H01L25/50 , H01L2225/06527 , H01L2225/06541 , H01L2225/06593 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种晶片堆叠结构，该晶片堆叠结构包含一第一晶片，该第一晶片具有一第一装置层与一第一基板，其中该第一装置层具有至少一芯片及至少一低介电材料层；一第二晶片，设置在该第一晶片之上，其具有一第二装置层；以及一封闭结构，其设置于该至少一芯片上且设置于该至少一芯片的切割道的内侧，其中该封闭结构是从该第一装置层远离该第一基板的一侧延伸至其靠近该第一基板的另一侧。本发明所提的晶片堆叠结构不但可提供晶片装置层的多孔性介电材料一定的应力支撑保护，更可隔绝该多孔性介电材料，使其免于湿气的侵入，而解决晶片堆叠结构可能因气密性不足而引发的可靠性问题。
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公开(公告)号：CN101635293B
公开(公告)日：2012-08-29
申请号：CN200810149914.9
申请日：2008-10-15
Applicant: 财团法人工业技术研究院
CPC classification number: H01L25/0657 , H01L23/562 , H01L25/50 , H01L2225/06527 , H01L2225/06541 , H01L2225/06593 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种晶片堆叠结构，该晶片堆叠结构包含一第一晶片，该第一晶片具有一第一装置层与一第一基板，其中该第一装置层具有至少一芯片及至少一低介电材料层；一第二晶片，设置在该第一晶片之上，其具有一第二装置层；以及一封闭结构，其设置于该至少一芯片上且设置于该至少一芯片的切割道的内侧，其中该封闭结构是从该第一装置层远离该第一基板的一侧延伸至其靠近该第一基板的另一侧。本发明所提的晶片堆叠结构不但可提供晶片装置层的多孔性介电材料一定的应力支撑保护，更可隔绝该多孔性介电材料，使其免于湿气的侵入，而解决晶片堆叠结构可能因气密性不足而引发的可靠性问题。
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公开(公告)号：CN100495701C
公开(公告)日：2009-06-03
申请号：CN200510120396.4
申请日：2005-11-11
Applicant: 财团法人工业技术研究院
Abstract: 本发明提供了一种晶片堆叠结构及三维晶片堆叠的方法，该晶片堆叠结构包含具有多个金属支撑结构的第一晶片，以及堆叠在该第一晶片上方的一第二晶片，其中，该第二晶片可以为表面朝上或表面朝下。所述的金属支撑结构配置在每一芯片位置上并且从该第一晶片上方的硅表面延伸到该第二晶片底座的硅表面。该金属支撑结构在两个硅表面之间形成一支撑力量，以保护低介电层使其能够免于垂直应力或剪应力的破坏。
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