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公开(公告)号：CN117766631A
公开(公告)日：2024-03-26
申请号：CN202311806816.9
申请日：2023-12-26
Applicant: 西安邮电大学
IPC: H01L31/18
Abstract: 本发明一种图形化氧化镓薄膜的低温腐蚀工艺，属于半导体技术加工领域，解决现有高温溶液湿法腐蚀氧化镓导致光刻胶变性难以去除以及图形变形或漂移的问题，包括以下步骤：在衬底上形成氧化镓薄膜层；通过光刻工艺在氧化镓层上形成图形化的光刻胶层；湿法腐蚀去除不被光刻胶覆盖的氧化镓薄膜；去除光刻胶，得到图形化的氧化镓；对图形化的氧化镓薄膜进行一定的温度的退火，用于器件制备。本发明适用于低温生长的氧化镓薄膜的图形化，低温生长的氧化镓薄膜处于非晶态，更易于腐蚀；与常规工艺不同，本发明避免了高温退火后结晶化的氧化镓难以湿法腐蚀的缺点，以及氧化镓干法刻蚀的高成本，同时避免氧化镓湿法刻蚀中，高温腐蚀液对光刻胶的恶性影响。
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公开(公告)号：CN118028779A
公开(公告)日：2024-05-14
申请号：CN202410184869.X
申请日：2024-02-19
Applicant: 西安邮电大学
IPC: C23C16/455 , C23C16/40 , C23C16/56 , C23C16/02
Abstract: 本发明一种在硅衬底上制备氧化镓薄膜的方法，属于半导体材料制备领域，采用的技术方案：步骤1)清洗硅衬底，并将清洗后的硅衬底放入原子层沉积腔室内；步骤2)调整原子层沉积腔室内真空度＜1Torr，将硅衬底温度升温至230℃‑280℃，采用原子层沉积法的连续工艺依次制备氧化铪缓冲层和氧化镓薄膜层；步骤3)采用高温退火，即得到硅衬底上高质量的氧化镓薄膜；本发明采用连续工艺在硅衬底上制备氧化铪缓冲层和氧化镓薄膜层，简化了工艺操作流程，并避免了转移过程中缓冲层的表面污染问题，有益于提高相应微电子器件的性能。
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公开(公告)号：CN113972262B
公开(公告)日：2023-06-13
申请号：CN202111209155.2
申请日：2021-10-18
Applicant: 西安邮电大学
IPC: H01L29/06 , H01L29/24 , H01L29/739 , H01L31/032 , H01L31/0352 , H01L31/101 , H01L31/112 , H01L31/18 , H01L21/34
Abstract: 本发明具体涉及氧化镓‑二维P型范德华隧穿晶体管、双波段光电探测器件及制备方法，解决现有UWBG材料晶体管/光电探测器件制备中因Ga2O3缺少P型掺杂、无法同时实现隧穿晶体管和栅压调制的PN结深紫外‑红外双波段探测的技术问题。该晶体管及光电探测器件包括背栅电极、介质氧化层、氧化镓层和形成欧姆接触的氧化镓电极、P型二维材料层和形成欧姆接触的P型二维材料电极、介质钝化层；氧化镓层与P型二维材料层部分交叠形成异质结；氧化镓层为非故意掺杂或掺杂的Ga2O3准二维晶体薄膜；P型二维材料层为黑磷或β相碲单质或2H相二碲化钼或二硒化钨或二硒化铂薄膜。此外，本发明还提出上述晶体管、双波段光电探测器件的制备方法。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113972262A
公开(公告)日：2022-01-25
申请号：CN202111209155.2
申请日：2021-10-18
Applicant: 西安邮电大学
IPC: H01L29/06 , H01L29/24 , H01L29/739 , H01L31/032 , H01L31/0352 , H01L31/101 , H01L31/112 , H01L31/18 , H01L21/34
Abstract: 本发明具体涉及氧化镓‑二维P型范德华隧穿晶体管、双波段光电探测器件及制备方法，解决现有UWBG材料晶体管/光电探测器件制备中因Ga2O3缺少P型掺杂、无法同时实现隧穿晶体管和栅压调制的PN结深紫外‑红外双波段探测的技术问题。该晶体管及光电探测器件包括背栅电极、介质氧化层、氧化镓层和形成欧姆接触的氧化镓电极、P型二维材料层和形成欧姆接触的P型二维材料电极、介质钝化层；氧化镓层与P型二维材料层部分交叠形成异质结；氧化镓层为非故意掺杂或掺杂的Ga2O3准二维晶体薄膜；P型二维材料层为黑磷或β相碲单质或2H相二碲化钼或二硒化钨或二硒化铂薄膜。此外，本发明还提出上述晶体管、双波段光电探测器件的制备方法。
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公开(公告)号：CN110552037A
公开(公告)日：2019-12-10
申请号：CN201910936023.6
申请日：2019-09-29
Applicant: 西安邮电大学
Abstract: 本发明公开一种基于电化学沉积制备氧化锌纳米墙的方法，即采用传统的电化学沉积方法在导电衬底上生长出二维纳米结构的氧化锌纳米墙。该电化学沉积利用一种简单的电化学沉积装置，主要包括直流稳压电源、阳极、电解槽、绝缘挡板和加热装置等部分；将带有氧化锌籽晶层的导电衬底作为阴极、碳棒作为阳极，浸入盛有硝酸锌(Zn(NO3)2·6H2O)水溶液的电解槽中，利用加热装置加热到设定温度后通上直流电压在阴极产生金属锌离子还原反应而生长出氧化锌纳米墙，随后进行退火处理。本发明制备的氧化锌纳米墙具有形貌可控、尺寸均匀和结晶度高等优点，为二维纳米结构氧化锌纳米墙的广泛应用奠定坚实基础。
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公开(公告)号：CN115312617B
公开(公告)日：2025-03-28
申请号：CN202211053930.4
申请日：2022-08-31
Applicant: 西安邮电大学
Abstract: 本发明涉及宽波段光电探测器件，具体涉及Ga2O3‑2D金属型范德华异质结宽波段偏振光电探测器及制备方法，用于解决现有氧化镓材料光电探测器暗电流大、偏振灵敏度低、没有设计考量在深紫外偏振领域和宽波段探测范围应用的不足之处。该Ga2O3‑2D金属型范德华异质结宽波段偏振光电探测器包括氧化镓层、二维金属型材料层，其中氧化镓层与二维金属型材料层形成水平范德华肖特基异质结/垂直范德华肖特基异质结；氧化镓层为β‑Ga2O3单晶薄膜/β‑Ga2O3单晶体材料，由于Ga2O3带隙较宽，为深紫外发光材料，且二维金属型材料具有零带隙，因此本发明可以实现DUV‑MIR的宽波段探测。同时，本发明提供上述Ga2O3‑2D金属型范德华异质结宽波段偏振光电探测器的制备方法。
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公开(公告)号：CN115312617A
公开(公告)日：2022-11-08
申请号：CN202211053930.4
申请日：2022-08-31
Applicant: 西安邮电大学
IPC: H01L31/108 , H01L31/18 , H01L31/0216 , H01L31/0224 , H01L31/032 , H01L31/0336 , H01L31/0352
Abstract: 本发明涉及宽波段光电探测器件，具体涉及Ga2O3‑2D金属型范德华异质结宽波段偏振光电探测器及制备方法，用于解决现有氧化镓材料光电探测器暗电流大、偏振灵敏度低、没有设计考量在深紫外偏振领域和宽波段探测范围应用的不足之处。该Ga2O3‑2D金属型范德华异质结宽波段偏振光电探测器包括氧化镓层、二维金属型材料层，其中氧化镓层与二维金属型材料层形成水平范德华肖特基异质结/垂直范德华肖特基异质结；氧化镓层为β‑Ga2O3单晶薄膜/β‑Ga2O3单晶体材料，由于Ga2O3带隙较宽，为深紫外发光材料，且二维金属型材料具有零带隙，因此本发明可以实现DUV‑MIR的宽波段探测。同时，本发明提供上述Ga2O3‑2D金属型范德华异质结宽波段偏振光电探测器的制备方法。
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公开(公告)号：CN110552037B
公开(公告)日：2021-07-27
申请号：CN201910936023.6
申请日：2019-09-29
Applicant: 西安邮电大学
Abstract: 本发明公开一种基于电化学沉积制备氧化锌纳米墙的方法，即采用传统的电化学沉积方法在导电衬底上生长出二维纳米结构的氧化锌纳米墙。该电化学沉积利用一种简单的电化学沉积装置，主要包括直流稳压电源、阳极、电解槽、绝缘挡板和加热装置等部分；将带有氧化锌籽晶层的导电衬底作为阴极、碳棒作为阳极，浸入盛有硝酸锌(Zn(NO3)2·6H2O)水溶液的电解槽中，利用加热装置加热到设定温度后通上直流电压在阴极产生金属锌离子还原反应而生长出氧化锌纳米墙，随后进行退火处理。本发明制备的氧化锌纳米墙具有形貌可控、尺寸均匀和结晶度高等优点，为二维纳米结构氧化锌纳米墙的广泛应用奠定坚实基础。
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