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公开(公告)号：CN110230029B
公开(公告)日：2021-03-26
申请号：CN201910570834.9
申请日：2019-06-27
Applicant: 西安邮电大学
Abstract: 本发明公开了一种尖晶石结构锰镍氧化物薄膜的制备方法，利用电子束蒸发法制备的尖晶石结构的NiMn2O4薄膜，电子束蒸发法通过从钨丝发射的电子经过e型电子枪加速并聚焦到石墨坩埚中的金属锰和金属镍粉，按一定顺序在基板上沉积生长出多层金属薄膜结构，之后对其进行不同退火温度处理，制备出形貌均匀光滑且致密度高的薄膜材料。本发明方法相对于磁控溅射法成膜性好，所得薄膜结晶度高、稳定性好，具备商业量产化的能力，为以后制备出有良好性能的热敏薄膜提供了支持。
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公开(公告)号：CN110373636B
公开(公告)日：2022-04-12
申请号：CN201910821464.1
申请日：2019-09-02
Applicant: 西安邮电大学
Abstract: 本发明涉及一种硅化钼过渡金属化合物薄膜材料的制备方法，其特征在于：在真空条件下，以高能电子束加热高纯度的金属钼靶材，使金属钼靶材气化，蒸发的钼蒸汽沉积在高纯度的硅衬底表面，最后在空气中进行350～900℃的退火处理，可以形成硅化钼薄膜；该硅化钼过渡金属化合物薄膜材料的制备方法，是直接在硅衬底表面蒸镀上一层金属钼，方法容易，过程便捷，薄膜沉积厚度可控，成膜质量好，元素分布均匀，经退火处理得到了硅化钼过渡金属氧化物薄膜；相比于现有技术所采用的磁控溅射方法制备的薄膜，具有纯度高，质量好，退火温度低，重复性好等优点。
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公开(公告)号：CN110552037A
公开(公告)日：2019-12-10
申请号：CN201910936023.6
申请日：2019-09-29
Applicant: 西安邮电大学
Abstract: 本发明公开一种基于电化学沉积制备氧化锌纳米墙的方法，即采用传统的电化学沉积方法在导电衬底上生长出二维纳米结构的氧化锌纳米墙。该电化学沉积利用一种简单的电化学沉积装置，主要包括直流稳压电源、阳极、电解槽、绝缘挡板和加热装置等部分；将带有氧化锌籽晶层的导电衬底作为阴极、碳棒作为阳极，浸入盛有硝酸锌(Zn(NO3)2·6H2O)水溶液的电解槽中，利用加热装置加热到设定温度后通上直流电压在阴极产生金属锌离子还原反应而生长出氧化锌纳米墙，随后进行退火处理。本发明制备的氧化锌纳米墙具有形貌可控、尺寸均匀和结晶度高等优点，为二维纳米结构氧化锌纳米墙的广泛应用奠定坚实基础。
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公开(公告)号：CN109884128A
公开(公告)日：2019-06-14
申请号：CN201910208836.3
申请日：2019-03-19
Applicant: 西安邮电大学
Abstract: 本发明公开了一种基于激光烧蚀平面叉指电极气体传感器的制备方法，该气体传感器主要包括加热装置、叉指电极和气敏薄膜三部分。在叉指电极基片上磁控溅射金属薄膜，利用激光光束将金属薄膜烧蚀分割为两部分，即可形成叉指电极；叉指电极的电极宽度、电极长度和电极间距分别通过激光切割机载物台的X轴、Y轴扫描空程和激光光斑大小进行有效地控制。在上述激光烧蚀分割的平面叉指电极上表面，可直接进行气敏薄膜制备。将制备气敏薄膜的平面叉指电极和加热装置进行叠放，夹持叉指电极基片和加热装置基片在保护气体氛围下共烧结，即可实现基于激光烧蚀平面叉指电极气体传感器的制备。实验结果证明。
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公开(公告)号：CN115001459A
公开(公告)日：2022-09-02
申请号：CN202210557653.4
申请日：2022-05-19
Applicant: 西安邮电大学
IPC: H03K5/1532 , H03K5/00
Abstract: 本发明属于一种自触发峰值保持电路，为解决现有采样保持电路不能在峰值处进行采样保持，精度较低，电路稳定性较差，以及电路操作复杂的技术问题。提供一种适用于前端读出电路的自触发峰值保持电路，与现有结构相比还包括缓冲器A2、开关M3，开关M3一端接地，另一端与缓冲器A2的同相输入端相连，开关M3由外部控制信号控制开合，采样保持电容Ch远离负电源电压VSS的一端和所述传输门的输出端均与缓冲器A2的同相输入端相连，缓冲器A2的输出端与比较器B的反相输入端和缓冲器A2的反相输入端相连，缓冲器A2的输出端为保持电路的输出电压。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111926303A
公开(公告)日：2020-11-13
申请号：CN202010843942.1
申请日：2020-08-20
Abstract: 本发明涉及一种高熵合金薄膜的制备方法，包括：清洗基底；将基底放置在磁控溅射仪真空室的样品台上；将高熵合金靶材放入真空室的溅射阴极处；对真空室进行抽真空处理使真空度小于1*10-4Pa；在真空室内通入氩气；开启磁控溅射仪，调节溅射功率，使氩气在射频电场作用下电离，电离出的氩离子轰击靶材表面，从靶材溅射出大量靶材原子，在基底上沉积形成薄膜；取样并退火处理，得到高熵合金薄膜。本发明根据氩气在射频电场作用下电离，电离出的氩离子轰击靶材表面，将靶材表面的大量金属原子溅射下来，以此形成合金薄膜。本发明中的制备方法重复性好，并且制备的薄膜与基底结合度高，孔隙率小、稳定性好，形貌光滑，连续性好。
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公开(公告)号：CN103242040A
公开(公告)日：2013-08-14
申请号：CN201310166607.2
申请日：2013-05-03
Applicant: 西安邮电大学
IPC: C04B35/495 , C04B35/626
Abstract: 本发明公开了一种低温制备亚微米NaNbO3陶瓷粉体的方法，包括以下步骤：制备稳定的草酸铌溶液；将无水碳酸钠溶解到去离子水中；制备NaNbO3的前驱体溶液；获得NaNbO3纯相。本发明工艺简单，对设备要求低，合成温度低，保温时间短，能耗低，所需原料便宜，制备的粉体具有晶粒发育程度好，粒度细，团聚非常轻的特点，成相温度特别低。
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公开(公告)号：CN110552037B
公开(公告)日：2021-07-27
申请号：CN201910936023.6
申请日：2019-09-29
Applicant: 西安邮电大学
Abstract: 本发明公开一种基于电化学沉积制备氧化锌纳米墙的方法，即采用传统的电化学沉积方法在导电衬底上生长出二维纳米结构的氧化锌纳米墙。该电化学沉积利用一种简单的电化学沉积装置，主要包括直流稳压电源、阳极、电解槽、绝缘挡板和加热装置等部分；将带有氧化锌籽晶层的导电衬底作为阴极、碳棒作为阳极，浸入盛有硝酸锌(Zn(NO3)2·6H2O)水溶液的电解槽中，利用加热装置加热到设定温度后通上直流电压在阴极产生金属锌离子还原反应而生长出氧化锌纳米墙，随后进行退火处理。本发明制备的氧化锌纳米墙具有形貌可控、尺寸均匀和结晶度高等优点，为二维纳米结构氧化锌纳米墙的广泛应用奠定坚实基础。
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公开(公告)号：CN110230029A
公开(公告)日：2019-09-13
申请号：CN201910570834.9
申请日：2019-06-27
Applicant: 西安邮电大学
Abstract: 本发明公开了一种尖晶石结构锰镍氧化物薄膜的制备方法，利用电子束蒸发法制备的尖晶石结构的NiMn2O4薄膜，电子束蒸发法通过从钨丝发射的电子经过e型电子枪加速并聚焦到石墨坩埚中的金属锰和金属镍粉，按一定顺序在基板上沉积生长出多层金属薄膜结构，之后对其进行不同退火温度处理，制备出形貌均匀光滑且致密度高的薄膜材料。本发明方法相对于磁控溅射法成膜性好，所得薄膜结晶度高、稳定性好，具备商业量产化的能力，为以后制备出有良好性能的热敏薄膜提供了支持。
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公开(公告)号：CN103242040B
公开(公告)日：2014-11-26
申请号：CN201310166607.2
申请日：2013-05-03
Applicant: 西安邮电大学
IPC: C04B35/495 , C04B35/626
Abstract: 本发明公开了一种低温制备亚微米NaNbO3陶瓷粉体的方法，包括以下步骤：制备稳定的草酸铌溶液；将无水碳酸钠溶解到去离子水中；制备NaNbO3的前驱体溶液；获得NaNbO3纯相。本发明工艺简单，对设备要求低，合成温度低，保温时间短，能耗低，所需原料便宜，制备的粉体具有晶粒发育程度好，粒度细，团聚非常轻的特点，成相温度特别低。
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