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公开(公告)号：CN115894022B
公开(公告)日：2023-07-14
申请号：CN202211636923.7
申请日：2022-12-16
Applicant: 西安邮电大学 , 陕西华星电子集团有限公司
IPC: C04B35/495 , C04B35/622
Abstract: 本发明公开了一种低温烧结高Q×f值氟氧化物微波介质陶瓷及制备方法，该陶瓷材料的物相包括LiNbO4F型立方结构和MgO型立方结构两种物相所组成，其中LiNbO4F型立方结构相含量为56.1wt％～63.4wt％，其余为MgO型立方结构相。本发明低温烧结高Q×f值氟氧化物微波介质陶瓷克服了Li4Mg4NbO8陶瓷低温烧结与高Q×f值难以兼顾的缺点，同时兼具低温烧结和良好微波介电性能，Q×f为99700～106700GHz，εr范围为12.8～13.2，谐振频率温度系数τf为‑36.0～‑43.0ppm/℃。制备本发明陶瓷材料所用原料丰富、成本低廉，有利于工业化生产，可广泛应用于低温共烧陶瓷系统、多层介质谐振器、微波基板等电子元器件的制造。
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公开(公告)号：CN110373636B
公开(公告)日：2022-04-12
申请号：CN201910821464.1
申请日：2019-09-02
Applicant: 西安邮电大学
Abstract: 本发明涉及一种硅化钼过渡金属化合物薄膜材料的制备方法，其特征在于：在真空条件下，以高能电子束加热高纯度的金属钼靶材，使金属钼靶材气化，蒸发的钼蒸汽沉积在高纯度的硅衬底表面，最后在空气中进行350～900℃的退火处理，可以形成硅化钼薄膜；该硅化钼过渡金属化合物薄膜材料的制备方法，是直接在硅衬底表面蒸镀上一层金属钼，方法容易，过程便捷，薄膜沉积厚度可控，成膜质量好，元素分布均匀，经退火处理得到了硅化钼过渡金属氧化物薄膜；相比于现有技术所采用的磁控溅射方法制备的薄膜，具有纯度高，质量好，退火温度低，重复性好等优点。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110468378A
公开(公告)日：2019-11-19
申请号：CN201910864226.9
申请日：2019-09-12
Abstract: 本发明公开了一种致密五氧化二钽薄膜的制备方法，在高真空下，通过e型电子枪加速从钨丝发射的电子聚焦到铜坩埚中的五氧化二钽颗粒上，将其气化，在硅基片上沉积生长出五氧化二钽薄膜，最后对其进行不同温度的退火处理，制备出形貌均匀光滑且致密度高的薄膜材料。本发明方法相比于磁控溅射法，所得薄膜结晶度高、空隙率和孔洞少、稳定性好，相对于阳极氧化法成膜速率快、效率高，具备商业量产的能力，为以后制备出致密五氧化二钽薄膜提供了支持。
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公开(公告)号：CN110373636A
公开(公告)日：2019-10-25
申请号：CN201910821464.1
申请日：2019-09-02
Applicant: 西安邮电大学
Abstract: 本发明涉及一种硅化钼过渡金属化合物薄膜材料的制备方法，其特征在于：在真空条件下，以高能电子束加热高纯度的金属钼靶材，使金属钼靶材气化，蒸发的钼蒸汽沉积在高纯度的硅衬底表面，最后在空气中进行350～900℃的退火处理，可以形成硅化钼薄膜；该硅化钼过渡金属化合物薄膜材料的制备方法，是直接在硅衬底表面蒸镀上一层金属钼，方法容易，过程便捷，薄膜沉积厚度可控，成膜质量好，元素分布均匀，经退火处理得到了硅化钼过渡金属氧化物薄膜；相比于现有技术所采用的磁控溅射方法制备的薄膜，具有纯度高，质量好，退火温度低，重复性好等优点。
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公开(公告)号：CN110230029A
公开(公告)日：2019-09-13
申请号：CN201910570834.9
申请日：2019-06-27
Applicant: 西安邮电大学
Abstract: 本发明公开了一种尖晶石结构锰镍氧化物薄膜的制备方法，利用电子束蒸发法制备的尖晶石结构的NiMn2O4薄膜，电子束蒸发法通过从钨丝发射的电子经过e型电子枪加速并聚焦到石墨坩埚中的金属锰和金属镍粉，按一定顺序在基板上沉积生长出多层金属薄膜结构，之后对其进行不同退火温度处理，制备出形貌均匀光滑且致密度高的薄膜材料。本发明方法相对于磁控溅射法成膜性好，所得薄膜结晶度高、稳定性好，具备商业量产化的能力，为以后制备出有良好性能的热敏薄膜提供了支持。
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公开(公告)号：CN115894022A
公开(公告)日：2023-04-04
申请号：CN202211636923.7
申请日：2022-12-16
Applicant: 西安邮电大学 , 陕西华星电子集团有限公司
IPC: C04B35/495 , C04B35/622
Abstract: 本发明公开了一种低温烧结高Q×f值氟氧化物微波介质陶瓷及制备方法，该陶瓷材料的物相包括LiNbO4F型立方结构和MgO型立方结构两种物相所组成，其中LiNbO4F型立方结构相含量为56.1wt％～63.4wt％，其余为MgO型立方结构相。本发明低温烧结高Q×f值氟氧化物微波介质陶瓷克服了Li4Mg4NbO8陶瓷低温烧结与高Q×f值难以兼顾的缺点，同时兼具低温烧结和良好微波介电性能，Q×f为99700～106700GHz，εr范围为12.8～13.2，谐振频率温度系数τf为‑36.0～‑43.0ppm/℃。制备本发明陶瓷材料所用原料丰富、成本低廉，有利于工业化生产，可广泛应用于低温共烧陶瓷系统、多层介质谐振器、微波基板等电子元器件的制造。
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公开(公告)号：CN110230029B
公开(公告)日：2021-03-26
申请号：CN201910570834.9
申请日：2019-06-27
Applicant: 西安邮电大学
Abstract: 本发明公开了一种尖晶石结构锰镍氧化物薄膜的制备方法，利用电子束蒸发法制备的尖晶石结构的NiMn2O4薄膜，电子束蒸发法通过从钨丝发射的电子经过e型电子枪加速并聚焦到石墨坩埚中的金属锰和金属镍粉，按一定顺序在基板上沉积生长出多层金属薄膜结构，之后对其进行不同退火温度处理，制备出形貌均匀光滑且致密度高的薄膜材料。本发明方法相对于磁控溅射法成膜性好，所得薄膜结晶度高、稳定性好，具备商业量产化的能力，为以后制备出有良好性能的热敏薄膜提供了支持。
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