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公开(公告)号：CN110373636B
公开(公告)日：2022-04-12
申请号：CN201910821464.1
申请日：2019-09-02
Applicant: 西安邮电大学
Abstract: 本发明涉及一种硅化钼过渡金属化合物薄膜材料的制备方法，其特征在于：在真空条件下，以高能电子束加热高纯度的金属钼靶材，使金属钼靶材气化，蒸发的钼蒸汽沉积在高纯度的硅衬底表面，最后在空气中进行350～900℃的退火处理，可以形成硅化钼薄膜；该硅化钼过渡金属化合物薄膜材料的制备方法，是直接在硅衬底表面蒸镀上一层金属钼，方法容易，过程便捷，薄膜沉积厚度可控，成膜质量好，元素分布均匀，经退火处理得到了硅化钼过渡金属氧化物薄膜；相比于现有技术所采用的磁控溅射方法制备的薄膜，具有纯度高，质量好，退火温度低，重复性好等优点。
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公开(公告)号：CN110230029B
公开(公告)日：2021-03-26
申请号：CN201910570834.9
申请日：2019-06-27
Applicant: 西安邮电大学
Abstract: 本发明公开了一种尖晶石结构锰镍氧化物薄膜的制备方法，利用电子束蒸发法制备的尖晶石结构的NiMn2O4薄膜，电子束蒸发法通过从钨丝发射的电子经过e型电子枪加速并聚焦到石墨坩埚中的金属锰和金属镍粉，按一定顺序在基板上沉积生长出多层金属薄膜结构，之后对其进行不同退火温度处理，制备出形貌均匀光滑且致密度高的薄膜材料。本发明方法相对于磁控溅射法成膜性好，所得薄膜结晶度高、稳定性好，具备商业量产化的能力，为以后制备出有良好性能的热敏薄膜提供了支持。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117065770A
公开(公告)日：2023-11-17
申请号：CN202311023407.1
申请日：2023-08-14
Applicant: 西安邮电大学
IPC: B01J27/135 , C01B3/04 , B01J37/04 , B01J37/08 , B01J35/00
Abstract: 本发明公开了一种空位缺陷密度可调的钙钛矿催化剂及其制备方法和应用，属于钙钛矿材料技术领域，本发明通过利用不同的金属卤化物，如溴化铯(CsBr)和溴化铅(PbBr2)，氯化铯(CsCl)、氯化钠(NaCl)和氯化铋(BiCl3)以及一定量的有机溶剂等作为前驱体材料，通过一定时间的球磨进而得到空位缺陷密度可调的钙钛矿催化剂。本发明制备的空位缺陷密度可调的钙钛矿催化剂的缺陷密度大小与有机溶剂极性大小呈现反比例关系。制备方法操作简单、成功率高、设备要求低，能够大幅度提高钙钛矿催化剂光生电子利用率和催化活性，本发明的方法为提高金属卤化物钙钛矿光生载流子利用率指明了方向。
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公开(公告)号：CN111270207A
公开(公告)日：2020-06-12
申请号：CN202010097935.1
申请日：2020-02-17
Applicant: 西安邮电大学
Abstract: 本发明涉及一种层状结构的高熵合金薄膜的制备方法，包括如下步骤：在高真空条件下，采用高能电子束依次对不同种类的金属蒸发料进行加热处理，使金属蒸发料依次蒸发，然后，依次沉积所蒸发的金属料，重复上述步骤，制备出金属材料周期排列的多层膜，最后在空气中进行800℃退火处理，形成层状结构的高熵合金薄膜；该层状结构的高熵合金薄膜的制备方法相比于传统方法而言，所需工艺设备简单，工艺流程可靠、过程简便，工艺参数可控，关键工序(改变每个沉积层的厚度和沉积元素比例及先后顺序)较易操作；所制备的薄膜成膜质量好，元素成分分布均匀。
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公开(公告)号：CN110230029A
公开(公告)日：2019-09-13
申请号：CN201910570834.9
申请日：2019-06-27
Applicant: 西安邮电大学
Abstract: 本发明公开了一种尖晶石结构锰镍氧化物薄膜的制备方法，利用电子束蒸发法制备的尖晶石结构的NiMn2O4薄膜，电子束蒸发法通过从钨丝发射的电子经过e型电子枪加速并聚焦到石墨坩埚中的金属锰和金属镍粉，按一定顺序在基板上沉积生长出多层金属薄膜结构，之后对其进行不同退火温度处理，制备出形貌均匀光滑且致密度高的薄膜材料。本发明方法相对于磁控溅射法成膜性好，所得薄膜结晶度高、稳定性好，具备商业量产化的能力，为以后制备出有良好性能的热敏薄膜提供了支持。
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公开(公告)号：CN110468378A
公开(公告)日：2019-11-19
申请号：CN201910864226.9
申请日：2019-09-12
Abstract: 本发明公开了一种致密五氧化二钽薄膜的制备方法，在高真空下，通过e型电子枪加速从钨丝发射的电子聚焦到铜坩埚中的五氧化二钽颗粒上，将其气化，在硅基片上沉积生长出五氧化二钽薄膜，最后对其进行不同温度的退火处理，制备出形貌均匀光滑且致密度高的薄膜材料。本发明方法相比于磁控溅射法，所得薄膜结晶度高、空隙率和孔洞少、稳定性好，相对于阳极氧化法成膜速率快、效率高，具备商业量产的能力，为以后制备出致密五氧化二钽薄膜提供了支持。
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公开(公告)号：CN110373636A
公开(公告)日：2019-10-25
申请号：CN201910821464.1
申请日：2019-09-02
Applicant: 西安邮电大学
Abstract: 本发明涉及一种硅化钼过渡金属化合物薄膜材料的制备方法，其特征在于：在真空条件下，以高能电子束加热高纯度的金属钼靶材，使金属钼靶材气化，蒸发的钼蒸汽沉积在高纯度的硅衬底表面，最后在空气中进行350～900℃的退火处理，可以形成硅化钼薄膜；该硅化钼过渡金属化合物薄膜材料的制备方法，是直接在硅衬底表面蒸镀上一层金属钼，方法容易，过程便捷，薄膜沉积厚度可控，成膜质量好，元素分布均匀，经退火处理得到了硅化钼过渡金属氧化物薄膜；相比于现有技术所采用的磁控溅射方法制备的薄膜，具有纯度高，质量好，退火温度低，重复性好等优点。
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