本发明涉及宽波段光电探测器件，具体涉及Ga2O3‑2D金属型范德华异质结宽波段偏振光电探测器及制备方法，用于解决现有氧化镓材料光电探测器暗电流大、偏振灵敏度低、没有设计考量在深紫外偏振领域和宽波段探测范围应用的不足之处。该Ga2O3‑2D金属型范德华异质结宽波段偏振光电探测器包括氧化镓层、二维金属型材料层，其中氧化镓层与二维金属型材料层形成水平范德华肖特基异质结/垂直范德华肖特基异质结；氧化镓层为β‑Ga2O3单晶薄膜/β‑Ga2O3单晶体材料，由于Ga2O3带隙较宽，为深紫外发光材料，且二维金属型材料具有零带隙，因此本发明可以实现DUV‑MIR的宽波段探测。同时，本发明提供上述Ga2O3‑2D金属型范德华异质结宽波段偏振光电探测器的制备方法。