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公开(公告)号：CN118028779A
公开(公告)日：2024-05-14
申请号：CN202410184869.X
申请日：2024-02-19
申请人： 西安邮电大学
IPC分类号： C23C16/455 , C23C16/40 , C23C16/56 , C23C16/02
摘要： 本发明一种在硅衬底上制备氧化镓薄膜的方法，属于半导体材料制备领域，采用的技术方案：步骤1)清洗硅衬底，并将清洗后的硅衬底放入原子层沉积腔室内；步骤2)调整原子层沉积腔室内真空度＜1Torr，将硅衬底温度升温至230℃‑280℃，采用原子层沉积法的连续工艺依次制备氧化铪缓冲层和氧化镓薄膜层；步骤3)采用高温退火，即得到硅衬底上高质量的氧化镓薄膜；本发明采用连续工艺在硅衬底上制备氧化铪缓冲层和氧化镓薄膜层，简化了工艺操作流程，并避免了转移过程中缓冲层的表面污染问题，有益于提高相应微电子器件的性能。
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公开(公告)号：CN113972262B
公开(公告)日：2023-06-13
申请号：CN202111209155.2
申请日：2021-10-18
申请人： 西安邮电大学
IPC分类号： H01L29/06 , H01L29/24 , H01L29/739 , H01L31/032 , H01L31/0352 , H01L31/101 , H01L31/112 , H01L31/18 , H01L21/34
摘要： 本发明具体涉及氧化镓‑二维P型范德华隧穿晶体管、双波段光电探测器件及制备方法，解决现有UWBG材料晶体管/光电探测器件制备中因Ga2O3缺少P型掺杂、无法同时实现隧穿晶体管和栅压调制的PN结深紫外‑红外双波段探测的技术问题。该晶体管及光电探测器件包括背栅电极、介质氧化层、氧化镓层和形成欧姆接触的氧化镓电极、P型二维材料层和形成欧姆接触的P型二维材料电极、介质钝化层；氧化镓层与P型二维材料层部分交叠形成异质结；氧化镓层为非故意掺杂或掺杂的Ga2O3准二维晶体薄膜；P型二维材料层为黑磷或β相碲单质或2H相二碲化钼或二硒化钨或二硒化铂薄膜。此外，本发明还提出上述晶体管、双波段光电探测器件的制备方法。
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公开(公告)号：CN114937602A
公开(公告)日：2022-08-23
申请号：CN202210730245.4
申请日：2022-06-24
申请人： 西安邮电大学
IPC分类号： H01L21/467
摘要： 本发明涉及一种图形化氧化镓的方法，具体涉及一种湿法刻蚀图形化氧化镓的方法，本发明提供了一种湿法刻蚀图形化氧化镓的方法，包括如下步骤：S1，制备氧化镓层；S2，制备光刻胶掩膜图形层；S3，制备铝金属层；S4，形成图形化的金属铝掩膜层；S5，制备二氧化硅掩膜层；S6，制备得到图形化的二氧化硅掩膜层；S7，湿法刻蚀氧化镓层；S8，湿法刻蚀去除二氧化硅掩膜层。本发明解决了目前氧化镓的湿法刻蚀中存在掩膜层二氧化硅湿法刻蚀速率快、不易控制的技术问题以及采用二氧化硅干法刻蚀成本高的问题，本发明利用金属铝刻蚀完成二氧化硅图形化，大大降低了湿法刻蚀图形化氧化镓额工艺成本，提高了图形的精确度。
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公开(公告)号：CN113972262A
公开(公告)日：2022-01-25
申请号：CN202111209155.2
申请日：2021-10-18
申请人： 西安邮电大学
IPC分类号： H01L29/06 , H01L29/24 , H01L29/739 , H01L31/032 , H01L31/0352 , H01L31/101 , H01L31/112 , H01L31/18 , H01L21/34
摘要： 本发明具体涉及氧化镓‑二维P型范德华隧穿晶体管、双波段光电探测器件及制备方法，解决现有UWBG材料晶体管/光电探测器件制备中因Ga2O3缺少P型掺杂、无法同时实现隧穿晶体管和栅压调制的PN结深紫外‑红外双波段探测的技术问题。该晶体管及光电探测器件包括背栅电极、介质氧化层、氧化镓层和形成欧姆接触的氧化镓电极、P型二维材料层和形成欧姆接触的P型二维材料电极、介质钝化层；氧化镓层与P型二维材料层部分交叠形成异质结；氧化镓层为非故意掺杂或掺杂的Ga2O3准二维晶体薄膜；P型二维材料层为黑磷或β相碲单质或2H相二碲化钼或二硒化钨或二硒化铂薄膜。此外，本发明还提出上述晶体管、双波段光电探测器件的制备方法。
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公开(公告)号：CN113097336A
公开(公告)日：2021-07-09
申请号：CN202110303309.8
申请日：2021-03-22
申请人： 西安邮电大学
IPC分类号： H01L31/108 , H01L31/109 , H01L31/0216
摘要： 本发明涉及一种非对称电极MSM结构氧化镓紫外探测器，以解决现有肖特基势垒型MSM结构的氧化镓基紫外探测器中肖特基结面积与光入射面积互相制约的问题。该探测器包括衬底、氧化镓层、石墨烯层、阳极电极、阴极电极、介质增透层。氧化镓层位于衬底上表面；石墨烯层和阴极电极均位于氧化镓层上表面，且石墨烯层与阴极电极不接触；石墨烯层与氧化镓层形成异质结；阴极电极与氧化镓层形成肖特基接触；阳极电极位于石墨烯层上表面，并与石墨烯层形成欧姆接触；阳极电极与阴极电极形成叉指结构；介质增透层位于衬底、氧化镓层、石墨烯层所形成整体的外表面，介质增透层上设有电极窗口，阳极电极和阴极电极从所述电极窗口伸出。
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公开(公告)号：CN109696251A
公开(公告)日：2019-04-30
申请号：CN201811602848.6
申请日：2018-12-26
申请人： 西安邮电大学
发明人： 陈海峰
IPC分类号： G01K7/01
摘要： 本发明涉及半导体器件技术领域，具体涉及一种基于MOSFET界面陷阱效应的温度测量方法，包括：测量当前环境下MOSFET界面陷阱充当复合中心时在漏极产生的复合电流的极值；根据复合电流的极值在电流温度对照表中查找到对应的温度值即为当前环境的温度。依据本申请的基于MOSFET界面陷阱效应的温度测量方法，由于在漏极电压Vd的作用下使得PN结正偏且MOSFET的源极悬浮时，此时栅极电压Vg使得栅底下的沟道进入到耗尽状态，此时MOSFET界面陷阱充当复合中心时在漏极产生复合电流Ir由于增加了exp[Vd/Vt]指数项，因此在采用栅极电压Vg进行扫描过程中Ir变化更加明显，因此Ir对温度的变化异常敏感因此更易探测出温度的变化，同时探测范围大。
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公开(公告)号：CN108762367A
公开(公告)日：2018-11-06
申请号：CN201810570003.7
申请日：2018-06-05
申请人： 西安邮电大学
IPC分类号： G05F1/567
摘要： 本发明公开一种混合调整型温度补偿带隙基准电路，启动电路的启动信号的输出端接低电压带隙基准电路的启动信号的输入端口；所述启动电路的启动信号的输入端接低电压带隙基准电路的输出信号端口；启动电路用于保证低电压带隙基准电路正常工作；低电压带隙基准电路能够产生较低温度系数的参考基准电压，非线性补偿电路能够产生非线性补偿电流，温度曲率补偿电路能够产生温度曲率补偿电流，根据电流叠加原理，非线性补偿电路产生的非线性补偿电流和温度曲率补偿电路产生的温度曲率补偿电流加入到低电压带隙基准电路，大大减小了输出电压的温度系数，产生一个极低温漂的参考基准电压，提高了电路的精度。
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公开(公告)号：CN105676931A
公开(公告)日：2016-06-15
申请号：CN201610033302.8
申请日：2016-01-19
申请人： 西安邮电大学
发明人： 陈海峰
IPC分类号： G05F1/56
CPC分类号： G05F1/56
摘要： 本发明公开了一种由源端无电极的MOSFET器件构成的新型皮安级电流源,包括多个相同型号的MOSFET器件，所述每个相同型号的MOSFET器件上的漏极连接在一起，并接到输出端O，每个MOSFET器件上的衬底电极连接在一起，并接地。本发明提供了由源端无电极的MOSFET器件构成的新型皮安级电流源，该电流源可提供数十皮安培电流的输出和控制，能够满足生物芯片对电流大小和功耗的苛刻要求：同时也可被制造成相应的集成电路芯片，由于涉及的MOSFET器件和电路与传统的CMOS集成电路工艺有很好的兼容性，因此无需特殊工艺，因此制造成本较低。
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公开(公告)号：CN102842622A
公开(公告)日：2012-12-26
申请号：CN201210180739.6
申请日：2012-06-04
申请人： 西安邮电大学
IPC分类号： H01L31/0216
摘要： 一种基于钝化膜中嵌入电荷的晶体硅太阳电池，它涉及半导体器件技术领域，它在传统的晶硅电池结构中对钝化层中增加光学浮栅并进行电荷注入。它可在发射区重掺杂，具有较大的开路电压VOC；减小了发射区“死层”中的复合，增加了光生载流子的寿命，增强了发射极的载流子收集能力；增加了硅PN结的耗尽区宽度，从而增加了光生载流子的产生的区域，使得光生电流变大，即具有较大的短路电流ISC，且和传统的晶硅太阳电池工艺有很好的兼容性。
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公开(公告)号：CN102692543A
公开(公告)日：2012-09-26
申请号：CN201210179347.8
申请日：2012-06-01
申请人： 西安邮电大学
摘要： 一种基于栅控漏极产生电流提取MOSFET平带电压和阈值电压的方法，它涉及微电子技术领域。它根据MOSFET沟道从积累区、耗尽区到反型区引起的栅控产生电流变化来提取VFB和VTH，包括下列步骤：悬空MOSFET源端电极，漏电电极上施加一小漏电压VD，且|VD|＜＝0.2V；扫描栅电压VG，使沟道从积累区到反型区变化，测量小漏偏压VD下的栅控产生电流；对得到的栅控产生电流曲线IGD进行二次偏导运算得到二次导数和VG的关系曲线。该曲线会形成三个峰值点，得到对应于上升沿的峰值点和对应于下降沿峰值点；从对应于上升沿的峰值点做垂线交于栅压轴得到平带电压VFB。从对应于下降沿峰值点做垂线交于栅压轴得到阈值电压VTH。
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