发明公开
- 专利标题: 一种由源端无电极的MOSFET器件构成的新型皮安级电流源
- 专利标题(英): Novel picoampere current source composed of MOSFET devices without electrodes at source ends
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申请号: CN201610033302.8申请日: 2016-01-19
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公开(公告)号: CN105676931A公开(公告)日: 2016-06-15
- 发明人: 陈海峰
- 申请人: 西安邮电大学
- 申请人地址: 陕西省西安市长安南路563号
- 专利权人: 西安邮电大学
- 当前专利权人: 西安邮电大学
- 当前专利权人地址: 陕西省西安市长安南路563号
- 代理机构: 北京华仲龙腾专利代理事务所
- 代理商 李静
- 主分类号: G05F1/56
- IPC分类号: G05F1/56
摘要:
本发明公开了一种由源端无电极的MOSFET器件构成的新型皮安级电流源,包括多个相同型号的MOSFET器件,所述每个相同型号的MOSFET器件上的漏极连接在一起,并接到输出端O,每个MOSFET器件上的衬底电极连接在一起,并接地。本发明提供了由源端无电极的MOSFET器件构成的新型皮安级电流源,该电流源可提供数十皮安培电流的输出和控制,能够满足生物芯片对电流大小和功耗的苛刻要求:同时也可被制造成相应的集成电路芯片,由于涉及的MOSFET器件和电路与传统的CMOS集成电路工艺有很好的兼容性,因此无需特殊工艺,因此制造成本较低。
IPC分类: