公开(公告)号：CN113972262B

公开(公告)日：2023-06-13

申请号：CN202111209155.2

申请日：2021-10-18

申请人： 西安邮电大学

发明人： 王湛 ,  刘朋源 ,  孙静 ,  关云鹤 ,  刘翔泰 ,  陆琴 ,  王少青 ,  贾一凡 ,  陈海峰 ,  马晓华

IPC分类号： H01L29/06 ,  H01L29/24 ,  H01L29/739 ,  H01L31/032 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/101 ,  H01L31/112 ,  H01L31/18 ,  H01L21/34

摘要： 本发明具体涉及氧化镓‑二维P型范德华隧穿晶体管、双波段光电探测器件及制备方法，解决现有UWBG材料晶体管/光电探测器件制备中因Ga2O3缺少P型掺杂、无法同时实现隧穿晶体管和栅压调制的PN结深紫外‑红外双波段探测的技术问题。该晶体管及光电探测器件包括背栅电极、介质氧化层、氧化镓层和形成欧姆接触的氧化镓电极、P型二维材料层和形成欧姆接触的P型二维材料电极、介质钝化层；氧化镓层与P型二维材料层部分交叠形成异质结；氧化镓层为非故意掺杂或掺杂的Ga2O3准二维晶体薄膜；P型二维材料层为黑磷或β相碲单质或2H相二碲化钼或二硒化钨或二硒化铂薄膜。此外，本发明还提出上述晶体管、双波段光电探测器件的制备方法。

公开(公告)号：CN113972262A

公开(公告)日：2022-01-25

申请号：CN202111209155.2

申请日：2021-10-18

申请人： 西安邮电大学

发明人： 王湛 ,  刘朋源 ,  孙静 ,  关云鹤 ,  刘翔泰 ,  陆琴 ,  王少青 ,  贾一凡 ,  陈海峰 ,  马晓华

IPC分类号： H01L29/06 ,  H01L29/24 ,  H01L29/739 ,  H01L31/032 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/101 ,  H01L31/112 ,  H01L31/18 ,  H01L21/34

摘要： 本发明具体涉及氧化镓‑二维P型范德华隧穿晶体管、双波段光电探测器件及制备方法，解决现有UWBG材料晶体管/光电探测器件制备中因Ga2O3缺少P型掺杂、无法同时实现隧穿晶体管和栅压调制的PN结深紫外‑红外双波段探测的技术问题。该晶体管及光电探测器件包括背栅电极、介质氧化层、氧化镓层和形成欧姆接触的氧化镓电极、P型二维材料层和形成欧姆接触的P型二维材料电极、介质钝化层；氧化镓层与P型二维材料层部分交叠形成异质结；氧化镓层为非故意掺杂或掺杂的Ga2O3准二维晶体薄膜；P型二维材料层为黑磷或β相碲单质或2H相二碲化钼或二硒化钨或二硒化铂薄膜。此外，本发明还提出上述晶体管、双波段光电探测器件的制备方法。

公开(公告)号：CN116705803A

公开(公告)日：2023-09-05

申请号：CN202310689685.4

申请日：2023-06-12

申请人： 西安邮电大学

发明人： 王湛 ,  王欣媛 ,  张博迪 ,  孙静 ,  何云龙 ,  陆小力 ,  陈海峰 ,  马晓华

IPC分类号： H01L27/144 ,  H01L31/109 ,  H01L31/032 ,  H01L31/18 ,  H01L31/113

摘要： 本发明涉及有源和无源结构的高性能日盲探测器件阵列，具体涉及基于液态金属打印的全氧化物日盲探测器阵列及制备方法，用于解决现有氧化镓由于空穴自陷效应而导致本征n型二维氧化镓的导电能力较差，不具备开关功能，进而限制了器件性能，以及不同材料工艺相差较大、难以实现简单制备与整合的不足之处。本发明一种基于液态金属打印的全氧化物日盲探测器阵列为基于PN异质结的自供电无源探测器，另一种基于液态金属打印的全氧化物日盲探测器阵列为基于p型二氧化碲(TeO2)的有源晶体管。