公开(公告)号：CN115312617A

公开(公告)日：2022-11-08

申请号：CN202211053930.4

申请日：2022-08-31

申请人： 西安邮电大学

发明人： 王湛 ,  张尔奇 ,  王欣媛 ,  孙静 ,  陈海峰 ,  陆琴 ,  贾一凡 ,  刘祥泰 ,  王少青 ,  张霞

IPC分类号： H01L31/108 ,  H01L31/18 ,  H01L31/0216 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/032 ,  H01L31/0336 ,  H01L31/0352

摘要： 本发明涉及宽波段光电探测器件，具体涉及Ga2O3‑2D金属型范德华异质结宽波段偏振光电探测器及制备方法，用于解决现有氧化镓材料光电探测器暗电流大、偏振灵敏度低、没有设计考量在深紫外偏振领域和宽波段探测范围应用的不足之处。该Ga2O3‑2D金属型范德华异质结宽波段偏振光电探测器包括氧化镓层、二维金属型材料层，其中氧化镓层与二维金属型材料层形成水平范德华肖特基异质结/垂直范德华肖特基异质结；氧化镓层为β‑Ga2O3单晶薄膜/β‑Ga2O3单晶体材料，由于Ga2O3带隙较宽，为深紫外发光材料，且二维金属型材料具有零带隙，因此本发明可以实现DUV‑MIR的宽波段探测。同时，本发明提供上述Ga2O3‑2D金属型范德华异质结宽波段偏振光电探测器的制备方法。

公开(公告)号：CN116705803A

公开(公告)日：2023-09-05

申请号：CN202310689685.4

申请日：2023-06-12

申请人： 西安邮电大学

发明人： 王湛 ,  王欣媛 ,  张博迪 ,  孙静 ,  何云龙 ,  陆小力 ,  陈海峰 ,  马晓华

IPC分类号： H01L27/144 ,  H01L31/109 ,  H01L31/032 ,  H01L31/18 ,  H01L31/113

摘要： 本发明涉及有源和无源结构的高性能日盲探测器件阵列，具体涉及基于液态金属打印的全氧化物日盲探测器阵列及制备方法，用于解决现有氧化镓由于空穴自陷效应而导致本征n型二维氧化镓的导电能力较差，不具备开关功能，进而限制了器件性能，以及不同材料工艺相差较大、难以实现简单制备与整合的不足之处。本发明一种基于液态金属打印的全氧化物日盲探测器阵列为基于PN异质结的自供电无源探测器，另一种基于液态金属打印的全氧化物日盲探测器阵列为基于p型二氧化碲(TeO2)的有源晶体管。