公开(公告)号：CN117712170A

公开(公告)日：2024-03-15

申请号：CN202311705188.5

申请日：2023-12-12

Applicant: 西安电子科技大学芜湖研究院 ,  西安电子科技大学

Inventor： 赵晔 ,  陈兴 ,  冯倩 ,  王东 ,  李永军 ,  谭凯 ,  师小鸥 ,  刘瑜 ,  赵浩男

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/34 ,  H01L29/423 ,  H01L29/10 ,  H01L29/24

Abstract: 本发明涉及一种高压增强型氧化镓场效应晶体管及其制作方法，晶体管包括衬底层、缓冲层、沟道层、源极、漏极、栅介质层、栅极、场介质层、第一场板和第二场板。本发明在栅极区域鳍式沟道的基础上，采用多沟道鳍式沟道，即设置了多个鳍栅控制的沟道，多个鳍式沟道的设置在不影响栅极控制能力的基础上，变相增加了沟道的宽度，从而减小栅极区域沟道的导通电阻，提高器件的导通电流。

公开(公告)号：CN118116954A

公开(公告)日：2024-05-31

申请号：CN202410229168.3

申请日：2024-02-29

Applicant: 西安电子科技大学芜湖研究院 ,  西安电子科技大学

Inventor： 陈兴 ,  谭凯 ,  张进成 ,  王东 ,  赵晔 ,  李永军 ,  赵浩男 ,  师小欧 ,  刘瑜

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/20 ,  H01L29/205 ,  H01L29/778 ,  H01L21/335 ,  H01L21/02

Abstract: 本发明公开了一种基于Ga空位工程调控的GaN HEMT外延结构及制备方法，该外延结构包括：包括衬底层；以及依次层叠在衬底层上的AlN成核层、AlGaN缓冲层、Ga空位工程缓冲层、GaN高阻层、GaN沟道层、AlN插入层、AlGaN势垒层和GaN帽层；其中，Ga空位工程缓冲层为周期性结构或渐变式结构。本发明在原有外延层结构的基础上创新性地引入了Ga空位工程缓冲层，利用Ga空位工程缓冲层的调控功能可以有效提升后续器件的性能和可靠性。

公开(公告)号：CN116978941A

公开(公告)日：2023-10-31

申请号：CN202310949643.X

申请日：2023-07-31

Applicant: 西安电子科技大学芜湖研究院

Inventor： 陈兴 ,  谭凯 ,  张进成 ,  陆俊 ,  李永军 ,  赵晔 ,  赵浩男 ,  刘瑜 ,  师小鸥 ,  黎伟正 ,  郝跃

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/15 ,  H01L29/20

Abstract: 本发明公开一种基于渐变超晶格空位缓冲层GaN基HEMT外延结构，属于半导体技术领域，包括从下往上依次外延的衬底基板、复合AlN成核层、AlGaN缓冲层、AlN/空位GaN SL1缓冲层、AlN/空位GaN SL2缓冲层、AlN/空位GaN SL3缓冲层、GaN沟道层、ALN空间层、AlGaN势垒层及GaN盖帽层，本发明能够有效调节外延薄膜中的应力，降低氮化镓外延层中的位错密度，获得高结晶，高质量GaN基HEMT外延材料。

公开(公告)号：CN117790604A

公开(公告)日：2024-03-29

申请号：CN202311825883.5

申请日：2023-12-28

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 常晶晶 ,  赵浩男 ,  林珍华 ,  袁海东 ,  郭兴 ,  苏杰 ,  张进成 ,  郝跃

IPC: H01L31/0304 ,  H01L31/0336 ,  H01L31/109 ,  H01L31/18

Abstract: 一种基于GaN/AlScN异质结的日盲探测器，包括衬底、GaN层、AlScN层以及电极，GaN层与AlScN层构成GaN/AlScN异质结。本发明还提供了其制备方法，本发明中，GaN/AlScN异质结界面处形成导带偏移和价带偏移，电子从AlScN扩散到GaN中，空穴从GaN扩散到AlScN中，在异质结界面处形成内建电场，当紫外光照射时，入射光被吸收并产生光生载流子，光生载流子在内建电场的作用下被扫至上下电极，在电路中产生光电流。由于AlScN的铁电性，其去除电场极化后仍保留退极化场，在极化状态下，退极化场的方向与内建电场的方向一致，使得内建电场强度增强，耗尽区宽度变大。从而极大地促进了光生载流子的分离和输运，光电流变大，提高其响应速率。

公开(公告)号：CN117096191A

公开(公告)日：2023-11-21

申请号：CN202311068729.8

申请日：2023-08-23

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 常晶晶 ,  赵浩男 ,  林珍华 ,  袁海东 ,  郭兴 ,  苏杰 ,  张进成 ,  郝跃

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/51 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明涉及一种FinFET结构的Al1‑xScxN铁电调控场效应晶体管及其制备方法，晶体管包括：衬底层、鳍部、绝缘层、中间电极层、缓冲层、铁电层、栅电极、源极和漏极；绝缘层包括第一绝缘部和第二绝缘部；鳍部和第一绝缘部设置在衬底层的上表面；第一绝缘部位于鳍部的两侧；鳍部包括导电沟道以及位于导电沟道两侧的源极区和漏极区；第二绝缘部、中间电极层、缓冲层、铁电层和栅电极依次自内而外覆盖在导电沟道的表面；铁电层的材料为Al1‑xScxN，其中x为Sc的掺杂浓度。本发明的晶体管，拥有更小的特征尺寸、面积成本降低，铁电调控能强、器件性能好，改善了器件的存储性能，内存窗口更大，提高了器件的可靠性和稳定性。