Invention Publication
- Patent Title: 一种高压增强型氧化镓场效应晶体管及其制作方法
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Application No.: CN202311705188.5Application Date: 2023-12-12
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Publication No.: CN117712170APublication Date: 2024-03-15
- Inventor: 赵晔 , 陈兴 , 冯倩 , 王东 , 李永军 , 谭凯 , 师小鸥 , 刘瑜 , 赵浩男
- Applicant: 西安电子科技大学芜湖研究院 , 西安电子科技大学
- Applicant Address: 安徽省芜湖市弋江区高新技术产业开发区科技产业园7号楼;
- Assignee: 西安电子科技大学芜湖研究院,西安电子科技大学
- Current Assignee: 西安电子科技大学芜湖研究院,西安电子科技大学
- Current Assignee Address: 安徽省芜湖市弋江区高新技术产业开发区科技产业园7号楼;
- Agency: 西安嘉思特知识产权代理事务所
- Agent 刘长春
- Main IPC: H01L29/78
- IPC: H01L29/78 ; H01L21/34 ; H01L29/423 ; H01L29/10 ; H01L29/24
Abstract:
本发明涉及一种高压增强型氧化镓场效应晶体管及其制作方法，晶体管包括衬底层、缓冲层、沟道层、源极、漏极、栅介质层、栅极、场介质层、第一场板和第二场板。本发明在栅极区域鳍式沟道的基础上，采用多沟道鳍式沟道，即设置了多个鳍栅控制的沟道，多个鳍式沟道的设置在不影响栅极控制能力的基础上，变相增加了沟道的宽度，从而减小栅极区域沟道的导通电阻，提高器件的导通电流。
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