公开(公告)号：CN102683406B

公开(公告)日：2014-08-20

申请号：CN201210132145.8

申请日：2012-04-29

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 张进成 ,  张琳霞 ,  郝跃 ,  马晓华 ,  王冲 ,  艾姗 ,  周昊 ,  李小刚 ,  霍晶 ,  张宇桐

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/04 ,  H01L29/10 ,  H01L21/335

CPC classification number: H01L29/66462 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/42316 ,  H01L29/7789

Abstract: 本发明公开了一种GaN基的MS栅增强型高电子迁移率晶体管及制作方法，主要解决GaN基增强型器件电流密度低以及可靠性低的问题。该器件结构为：衬底(1)上依次设有过渡层(2)和GaN主缓冲层(3)，GaN主缓冲层中间刻蚀有凹槽(4)，凹槽两侧的GaN主缓冲层(3)上方为AlGaN主势垒层(5)，凹槽内壁以及凹槽两侧的AlGaN主势垒层(5)表面依次设有GaN次缓冲层(6)和AlGaN次势垒层(7)；AlGaN次势垒层(7)上为源级(8)、漏级(9)、栅极(11)和介质层(10)，源级(8)、漏级(9)分别位于AlGaN次势垒层(7)上方的两侧，栅极(11)位于AlGaN次势垒层(7)上方的中间，介质层(10)分布在源级、漏级、栅级之外的区域。本发明具有增强型特性好，电流密度高、击穿电压高，制作工艺简单成熟，可靠性高的优势，可用于高温开关器件和数字电路中。

公开(公告)号：CN102629624B

公开(公告)日：2014-08-20

申请号：CN201210131041.5

申请日：2012-04-29

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 张进成 ,  张琳霞 ,  郝跃 ,  马晓华 ,  王冲 ,  霍晶 ,  艾姗 ,  党李莎 ,  孟凡娜 ,  姜腾 ,  赵胜雷

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/06 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/66462 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/7789

Abstract: 本发明公开了一种基于GaN的MIS栅增强型HEMT器件及制作方法，主要解决现有GaN基增强型器件电流密度低及可靠性低的问题。该器件结构为：衬底(1)上依次设有过渡层(2)和GaN主缓冲层(3)，GaN主缓冲层(3)的中间设有凹槽(11)，凹槽两侧的GaN主缓冲层上方为AlGaN主势垒层(4)，凹槽内壁上方和凹槽两侧的AlGaN主势垒层(4)表面上，依次设有GaN次缓冲层(5)和AlGaN次势垒层(6)，AlGaN次势垒层(6)的顶端两侧分别为源级(8)和漏级(9)，源级和漏级之外为介质层(7)，介质层(7)上设有栅级(10)，该栅级(10)覆盖整个凹槽区域，整个器件的制作采用成熟的工艺流程。本发明具有增强型特性好，电流密度高，击穿电压高，器件可靠性高的优势，可用于高温高频大功率器件方面以及大功率开关和数字电路。

公开(公告)号：CN102683406A

公开(公告)日：2012-09-19

申请号：CN201210132145.8

申请日：2012-04-29

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 张进成 ,  张琳霞 ,  郝跃 ,  马晓华 ,  王冲 ,  艾姗 ,  周昊 ,  李小刚 ,  霍晶 ,  张宇桐

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/04 ,  H01L29/10 ,  H01L21/335

CPC classification number: H01L29/66462 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/42316 ,  H01L29/7789

Abstract: 本发明公开了一种GaN基的MS栅增强型高电子迁移率晶体管及制作方法，主要解决GaN基增强型器件电流密度低以及可靠性低的问题。该器件结构为：衬底(1)上依次设有过渡层(2)和GaN主缓冲层(3)，GaN主缓冲层中间刻蚀有凹槽(4)，凹槽两侧的GaN主缓冲层(3)上方为AlGaN主势垒层(5)，凹槽内壁以及凹槽两侧的AlGaN主势垒层(5)表面依次设有GaN次缓冲层(6)和AlGaN次势垒层(7)；AlGaN次势垒层(7)上为源级(8)、漏级(9)、栅极(11)和介质层(10)，源级(8)、漏级(9)分别位于AlGaN次势垒层(7)上方的两侧，栅极(11)位于AlGaN次势垒层(7)上方的中间，介质层(10)分布在源级、漏级、栅级之外的区域。本发明具有增强型特性好，电流密度高、击穿电压高，制作工艺简单成熟，可靠性高的优势，可用于高温开关器件和数字电路中。

公开(公告)号：CN102646705A

公开(公告)日：2012-08-22

申请号：CN201210131045.3

申请日：2012-04-29

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 张进成 ,  张琳霞 ,  郝跃 ,  王冲 ,  马晓华 ,  党李莎 ,  鲁明 ,  周昊 ,  孟凡娜 ,  侯耀伟 ,  姜腾

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/04 ,  H01L21/335

Abstract: 本发明公开了一种MIS栅GaN基增强型HEMT器件及制作方法，主要解决现有GaN基增强型器件阈值电压低及其可控性差以及可靠性低的问题。该器件包括：衬底(1)、过渡层(2)、GaN主缓冲层(3)和N型AlGaN主势垒层(4)；N型AlGaN主势垒层(4)顶端两侧为源极(9)和漏极(10)，中间为栅电极(13)，GaN主缓冲层(3)的中间刻蚀有凹槽(5)，凹槽的底面为0001极性面，凹槽侧面为非0001面，凹槽内壁依次外延有GaN次缓冲层(6)、AlGaN次势垒层(7)和介质层(8)；介质层(8)上淀积有栅电极(13)。本发明具有阈值电压高、调控性好，电流密度高，夹断特性优良，制作工艺简单成熟、重复性好的优点，可用于高温大功率应用场合及数字电路中。

公开(公告)号：CN102637726A

公开(公告)日：2012-08-15

申请号：CN201210131027.5

申请日：2012-04-29

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 张进成 ,  张琳霞 ,  郝跃 ,  王冲 ,  马晓华 ,  孟凡娜 ,  侯耀伟 ,  党李莎 ,  艾姗 ,  李小刚 ,  鲁明

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/778 ,  H01L21/335

Abstract: 本发明公开了一种金属半导体MS栅GaN基增强型高电子迁移率晶体管及制作方法，主要解决现有GaN基增强型器件的阈值电压低及其可控行性差以及可靠性低的问题。该器件包括：衬底(1)、过渡层(2)、GaN主缓冲层(3)、N型AlGaN主势垒层(4)，N型AlGaN主势垒层(4)顶端两侧为源极(9)和漏极(10)，GaN主缓冲层(3)的中间刻蚀有凹槽(5)，该凹槽(5)的内壁上依次设有GaN次缓冲层(6)、AlGaN次势垒层(7)和栅极(13)，凹槽(5)两侧的N型AlGaN主势垒层(4)上方的源、漏极之外设有介质(8)。本发明具有阈值电压高、调控性好、电流密度大、夹断特性优良，且工艺成熟，重复性好，可靠性高的优势，可用于大功率开关以及数字电路中。

公开(公告)号：CN102629624A

公开(公告)日：2012-08-08

申请号：CN201210131041.5

申请日：2012-04-29

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 张进成 ,  张琳霞 ,  郝跃 ,  马晓华 ,  王冲 ,  霍晶 ,  艾姗 ,  党李莎 ,  孟凡娜 ,  姜腾 ,  赵胜雷

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/06 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/66462 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/7789

Abstract: 本发明公开了一种基于GaN的MIS栅增强型HEMT器件及制作方法，主要解决现有GaN基增强型器件电流密度低及可靠性低的问题。该器件结构为：衬底(1)上依次设有过渡层(2)和GaN主缓冲层(3)，GaN主缓冲层(3)的中间设有凹槽(11)，凹槽两侧的GaN主缓冲层上方为AlGaN主势垒层(4)，凹槽内壁上方和凹槽两侧的AlGaN主势垒层(4)表面上，依次设有GaN次缓冲层(5)和AlGaN次势垒层(6)，AlGaN次势垒层(6)的顶端两侧分别为源级(8)和漏级(9)，源级和漏级之外为介质层(7)，介质层(7)上设有栅级(10)，该栅级(10)覆盖整个凹槽区域，整个器件的制作采用成熟的工艺流程。本发明具有增强型特性好，电流密度高，击穿电压高，器件可靠性高的优势，可用于高温高频大功率器件方面以及大功率开关和数字电路。