公开(公告)号：CN103325878A

公开(公告)日：2013-09-25

申请号：CN201310214435.1

申请日：2013-05-31

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 毕臻 ,  郝跃 ,  张进成 ,  李培咸 ,  马晓华 ,  侯耀伟

IPC: H01L31/078 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/18

CPC classification number: Y02E10/50 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明公开了一种p-i-n型InGaN/p-n型Si双结叠层太阳电池及其制备方法。该电池自下而上依次为：p-Si衬底和n-Si层构成Si电池；p-InGaN层、i-InGaN层和n-InGaN层构成InGaN电池；Si电池和InGaN电池之间为直接键合叠加结构或通过梳状金属中间层键合叠加结构；在n-InGaN层上引出有Cr/Ni/Au欧姆接触金属电极，在p-Si衬底背面引出有Al/Au欧姆接触金属电极。方法主要利用InGaN和Si材料的吸收范围相结合，来获得更宽的光谱响应范围。由于本发明同时采用了InGaN薄膜和Si薄膜作为光吸收层，使得吸收蓝紫光波段的InGaN和吸收可见及红外波段的Si两者相结合，可以拓宽光吸收范围，有利于产生更多的光生载流子，提高有效光吸收，同时获得更高的Voc，进而提高电池的转换效率。该p-i-n型InGaN/p-n型Si双结叠层太阳电池可用于太阳能光伏发电。

公开(公告)号：CN103325878B

公开(公告)日：2015-12-23

申请号：CN201310214435.1

申请日：2013-05-31

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 毕臻 ,  郝跃 ,  张进成 ,  李培咸 ,  马晓华 ,  侯耀伟

IPC: H01L31/078 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/18

CPC classification number: Y02E10/50 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明公开了一种p-i-n型InGaN/p-n型Si双结叠层太阳电池及其制备方法。该电池自下而上依次为：p-Si衬底和n-Si层构成Si电池；p-InGaN层、i-InGaN层和n-InGaN层构成InGaN电池；Si电池和InGaN电池之间为直接键合叠加结构或通过梳状金属中间层键合叠加结构；在n-InGaN层上引出有Cr/Ni/Au欧姆接触金属电极，在p-Si衬底背面引出有Al/Au欧姆接触金属电极。方法主要利用InGaN和Si材料的吸收范围相结合，来获得更宽的光谱响应范围。由于本发明同时采用了InGaN薄膜和Si薄膜作为光吸收层，使得吸收蓝紫光波段的InGaN和吸收可见及红外波段的Si两者相结合，可以拓宽光吸收范围，有利于产生更多的光生载流子，提高有效光吸收，同时获得更高的Voc，进而提高电池的转换效率。该p-i-n型InGaN/p-n型Si双结叠层太阳电池可用于太阳能光伏发电。

公开(公告)号：CN102646705A

公开(公告)日：2012-08-22

申请号：CN201210131045.3

申请日：2012-04-29

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 张进成 ,  张琳霞 ,  郝跃 ,  王冲 ,  马晓华 ,  党李莎 ,  鲁明 ,  周昊 ,  孟凡娜 ,  侯耀伟 ,  姜腾

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/04 ,  H01L21/335

Abstract: 本发明公开了一种MIS栅GaN基增强型HEMT器件及制作方法，主要解决现有GaN基增强型器件阈值电压低及其可控性差以及可靠性低的问题。该器件包括：衬底(1)、过渡层(2)、GaN主缓冲层(3)和N型AlGaN主势垒层(4)；N型AlGaN主势垒层(4)顶端两侧为源极(9)和漏极(10)，中间为栅电极(13)，GaN主缓冲层(3)的中间刻蚀有凹槽(5)，凹槽的底面为0001极性面，凹槽侧面为非0001面，凹槽内壁依次外延有GaN次缓冲层(6)、AlGaN次势垒层(7)和介质层(8)；介质层(8)上淀积有栅电极(13)。本发明具有阈值电压高、调控性好，电流密度高，夹断特性优良，制作工艺简单成熟、重复性好的优点，可用于高温大功率应用场合及数字电路中。

公开(公告)号：CN102637726A

公开(公告)日：2012-08-15

申请号：CN201210131027.5

申请日：2012-04-29

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 张进成 ,  张琳霞 ,  郝跃 ,  王冲 ,  马晓华 ,  孟凡娜 ,  侯耀伟 ,  党李莎 ,  艾姗 ,  李小刚 ,  鲁明

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/778 ,  H01L21/335

Abstract: 本发明公开了一种金属半导体MS栅GaN基增强型高电子迁移率晶体管及制作方法，主要解决现有GaN基增强型器件的阈值电压低及其可控行性差以及可靠性低的问题。该器件包括：衬底(1)、过渡层(2)、GaN主缓冲层(3)、N型AlGaN主势垒层(4)，N型AlGaN主势垒层(4)顶端两侧为源极(9)和漏极(10)，GaN主缓冲层(3)的中间刻蚀有凹槽(5)，该凹槽(5)的内壁上依次设有GaN次缓冲层(6)、AlGaN次势垒层(7)和栅极(13)，凹槽(5)两侧的N型AlGaN主势垒层(4)上方的源、漏极之外设有介质(8)。本发明具有阈值电压高、调控性好、电流密度大、夹断特性优良，且工艺成熟，重复性好，可靠性高的优势，可用于大功率开关以及数字电路中。