公开(公告)号：CN118760928A

公开(公告)日：2024-10-11

申请号：CN202410908232.0

申请日：2024-07-08

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 王超 ,  张海宾 ,  魏洪基 ,  王成才 ,  向长波 ,  周昊

IPC: G06F18/24 ,  G06F18/213 ,  G06F18/25 ,  G06F18/2131 ,  G06N3/0464 ,  G06N3/048 ,  G06N3/08

Abstract: 本发明公开了一种面向工业互联网的跳频信号智能检测与识别方法和系统，涉及信号识别领域，用以提升通信系统中跳频信号的检测率与类型判识精度。本发明通过构建瑞利信道模拟多径效应和阴影衰落，并对该信道上的样本跳频信号施加预定类型干扰，对输出信号进行短时傅里叶变换生成时频图，构建信号检测时频图数据集；对数据集进行标注和划分，用以训练目标检测网络模型，该模型在YOLOv5主干网络中设计了语境分层模块和门控聚合模块。最后利用训练的模型对待检测跳频信号的时频图进行识别。本发明真实还原工业互联网场景下的电磁环境，通过分级提取上下文信息，并通过同时融合长短期时频特征，大幅度提高网络的信号检测与识别性能。

公开(公告)号：CN102683406B

公开(公告)日：2014-08-20

申请号：CN201210132145.8

申请日：2012-04-29

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 张进成 ,  张琳霞 ,  郝跃 ,  马晓华 ,  王冲 ,  艾姗 ,  周昊 ,  李小刚 ,  霍晶 ,  张宇桐

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/04 ,  H01L29/10 ,  H01L21/335

CPC classification number: H01L29/66462 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/42316 ,  H01L29/7789

Abstract: 本发明公开了一种GaN基的MS栅增强型高电子迁移率晶体管及制作方法，主要解决GaN基增强型器件电流密度低以及可靠性低的问题。该器件结构为：衬底(1)上依次设有过渡层(2)和GaN主缓冲层(3)，GaN主缓冲层中间刻蚀有凹槽(4)，凹槽两侧的GaN主缓冲层(3)上方为AlGaN主势垒层(5)，凹槽内壁以及凹槽两侧的AlGaN主势垒层(5)表面依次设有GaN次缓冲层(6)和AlGaN次势垒层(7)；AlGaN次势垒层(7)上为源级(8)、漏级(9)、栅极(11)和介质层(10)，源级(8)、漏级(9)分别位于AlGaN次势垒层(7)上方的两侧，栅极(11)位于AlGaN次势垒层(7)上方的中间，介质层(10)分布在源级、漏级、栅级之外的区域。本发明具有增强型特性好，电流密度高、击穿电压高，制作工艺简单成熟，可靠性高的优势，可用于高温开关器件和数字电路中。

公开(公告)号：CN119011450A

公开(公告)日：2024-11-22

申请号：CN202410959016.9

申请日：2024-07-17

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 王超 ,  张海宾 ,  曾心远 ,  周昊 ,  向长波

IPC: H04L43/0876 ,  H04L43/08 ,  H04L67/12

Abstract: 本发明公开了一种面向工业物联网导频污染攻击的鲁棒无监督检测方法，涉及无线电领域，用以解决导频污染攻击检测鲁棒性差的问题。本发明包括：构建包括导频污染攻击节点、多个合法发射节点以及接收节点的工业物联网通信系统；构建接收信号模型；基于接收信号模型获得未受/受导频污染攻击的合法发射节点到接收节点的估计信道，构建受导频污染攻击的信道数据集；将信道数据集输入鲁棒自编码器网络进行无监督训练，利用交替方向乘子算法迭代优化鲁棒自编码器网络；根据不可重构的估计信道分量检测导频污染攻击，可重构的估计信道分量即为消除导频污染攻击的估计信道。本发明大幅度提升了工业物联网通信系统中导频污染攻击检测和消除的能力。

公开(公告)号：CN102683406A

公开(公告)日：2012-09-19

申请号：CN201210132145.8

申请日：2012-04-29

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 张进成 ,  张琳霞 ,  郝跃 ,  马晓华 ,  王冲 ,  艾姗 ,  周昊 ,  李小刚 ,  霍晶 ,  张宇桐

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/04 ,  H01L29/10 ,  H01L21/335

CPC classification number: H01L29/66462 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/42316 ,  H01L29/7789

Abstract: 本发明公开了一种GaN基的MS栅增强型高电子迁移率晶体管及制作方法，主要解决GaN基增强型器件电流密度低以及可靠性低的问题。该器件结构为：衬底(1)上依次设有过渡层(2)和GaN主缓冲层(3)，GaN主缓冲层中间刻蚀有凹槽(4)，凹槽两侧的GaN主缓冲层(3)上方为AlGaN主势垒层(5)，凹槽内壁以及凹槽两侧的AlGaN主势垒层(5)表面依次设有GaN次缓冲层(6)和AlGaN次势垒层(7)；AlGaN次势垒层(7)上为源级(8)、漏级(9)、栅极(11)和介质层(10)，源级(8)、漏级(9)分别位于AlGaN次势垒层(7)上方的两侧，栅极(11)位于AlGaN次势垒层(7)上方的中间，介质层(10)分布在源级、漏级、栅级之外的区域。本发明具有增强型特性好，电流密度高、击穿电压高，制作工艺简单成熟，可靠性高的优势，可用于高温开关器件和数字电路中。

公开(公告)号：CN102646705A

公开(公告)日：2012-08-22

申请号：CN201210131045.3

申请日：2012-04-29

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 张进成 ,  张琳霞 ,  郝跃 ,  王冲 ,  马晓华 ,  党李莎 ,  鲁明 ,  周昊 ,  孟凡娜 ,  侯耀伟 ,  姜腾

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/04 ,  H01L21/335

Abstract: 本发明公开了一种MIS栅GaN基增强型HEMT器件及制作方法，主要解决现有GaN基增强型器件阈值电压低及其可控性差以及可靠性低的问题。该器件包括：衬底(1)、过渡层(2)、GaN主缓冲层(3)和N型AlGaN主势垒层(4)；N型AlGaN主势垒层(4)顶端两侧为源极(9)和漏极(10)，中间为栅电极(13)，GaN主缓冲层(3)的中间刻蚀有凹槽(5)，凹槽的底面为0001极性面，凹槽侧面为非0001面，凹槽内壁依次外延有GaN次缓冲层(6)、AlGaN次势垒层(7)和介质层(8)；介质层(8)上淀积有栅电极(13)。本发明具有阈值电压高、调控性好，电流密度高，夹断特性优良，制作工艺简单成熟、重复性好的优点，可用于高温大功率应用场合及数字电路中。