-
公开(公告)号：CN105137243B
公开(公告)日：2017-12-08
申请号：CN201510573741.3
申请日：2015-09-10
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种测定低噪放退化功率阈值和损伤功率阈值的方法，其包括以下步骤：一、构建测试平台；二、构造注入信号：三、测试：(1)测量待测样品的小信号S参数|S21|和噪声系数NF，(2)对待测样品持续注入一定时间，(3)测量本次注入后待测样品的|S21|和NF，(4)增大注入信号平均功率，反复进行(2)和(3)两步，直到|S21|和NF发生剧烈恶化为止；四、绘制|S21|和NF随着注入功率Pin增大而变化的双y轴坐标系曲线图，从中提取退化功率阈值和损伤功率阈值。本发明的有益之处在于：功率注入效果更好，阈值测量结果更能反映出低噪放实际工作条件下的抗功率程度；可得到退化功率阈值，满足了低噪放高可靠性和用于高灵敏度电子设备中低噪声的要求。
-
公开(公告)号：CN105355659A
公开(公告)日：2016-02-24
申请号：CN201510748113.4
申请日：2015-11-06
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L29/78 , H01L29/10 , H01L29/40 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/78 , H01L29/1066 , H01L29/402 , H01L29/408 , H01L29/4236 , H01L29/42364 , H01L29/66477
Abstract: 一种复合栅浮空场板槽栅AlGaN/GaN HEMT器件结构及其制作方法，包括从下至上依次复合的衬底、GaN缓冲层、AlN隔离层、GaN沟道层、本征AlGaN层和AlGaN掺杂层，在AlGaN掺杂层之上的两端分别设有源电极和漏电极，在靠近漏电极的AlGaN掺杂层上设有LiF层，在该LiF层上设有浮空场板；在该LiF层与源电极之间设有有机绝缘介质层，在该有机绝缘介质层的上面和旁边设有栅场板；在AlGaN掺杂层上面的裸露区域设有钝化层。本发明利用PTFE层和ITO栅场板提高了器件的击穿电压；利用LiF层和Al浮空场板减小了器件栅漏之间的导通电阻；利用栅场板和浮空场板，进一步提高了器件的击穿电压。
-
公开(公告)号：CN105137243A
公开(公告)日：2015-12-09
申请号：CN201510573741.3
申请日：2015-09-10
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种测定低噪放退化功率阈值和损伤功率阈值的方法，其包括以下步骤：一、构建测试平台；二、构造注入信号：三、测试：(1)测量待测样品的小信号S参数|S21|和噪声系数NF，(2)对待测样品持续注入一定时间，(3)测量本次注入后待测样品的|S21|和NF，(4)增大注入信号平均功率，反复进行(2)和(3)两步，直到|S21|和NF发生剧烈恶化为止；四、绘制|S21|和NF随着注入功率Pin增大而变化的双y轴坐标系曲线图，从中提取退化功率阈值和损伤功率阈值。本发明的有益之处在于：功率注入效果更好，阈值测量结果更能反映出低噪放实际工作条件下的抗功率程度；可得到退化功率阈值，满足了低噪放高可靠性和用于高灵敏度电子设备中低噪声的要求。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105448975A
公开(公告)日：2016-03-30
申请号：CN201510873202.1
申请日：2015-12-03
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L29/778 , H01L21/335 , H01L29/40
CPC classification number: H01L29/778 , H01L29/404 , H01L29/66462
Abstract: 一种复合阶梯栅浮空场板槽栅HEMT器件及其制作方法，包括从下至上依次复合的衬底、GaN缓冲层、AlN隔离层、GaN沟道层、AlGaN本征层和AlGaN掺杂层，掺杂层之上的两端分别设有源极和漏极，在栅电极和漏电级中间的AlGaN掺杂层上设有LiF层，在LiF层上设有阶梯浮空阶梯栅场板，阶梯从栅极到漏极方向逐渐升高；在该LiF层与栅电极之间设有有机绝缘介质层，在该有机绝缘介质层的源级一侧设有栅极槽，栅极槽内和有机绝缘介质层的上面设有ITO栅场板；在AlGaN掺杂层上面的裸露区域设有钝化层。本发明利用PTFE层和ITO阶梯栅场板优化了栅极由于曲率效应造成的电场峰，提高了击穿电压，减小了导通电阻。
-
公开(公告)号：CN105448964A
公开(公告)日：2016-03-30
申请号：CN201510814056.5
申请日：2015-11-23
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L29/40 , H01L29/423 , H01L21/335 , H01L29/778
CPC classification number: H01L29/7783 , H01L29/402 , H01L29/4236 , H01L29/66431
Abstract: 一种复合阶梯场板槽栅AlGaN/GaN HEMT器件结构及其制作方法，包括从下至上依次复合的衬底、GaN缓冲层、AlN隔离层、GaN沟道层、本征AlGaN层和AlGaN掺杂层，在AlGaN掺杂层之上的两端分别设有源电极和漏电极，在靠近漏电极的AlGaN掺杂层上设有LiF层，在该LiF层上设有漏场板；在该LiF层与源电极之间设有有机绝缘介质层，在该有机绝缘介质层的上面和旁边设有阶梯场板；在AlGaN掺杂层上面的裸露区域设有钝化层。本发明利用PTFE层和ITO栅场板提高了器件的击穿电压；利用LiF层和Al漏场板减小了器件栅漏之间的导通电阻；利用阶梯场板和漏场板，进一步提高了器件的击穿电压。
-
公开(公告)号：CN103151351A
公开(公告)日：2013-06-12
申请号：CN201310106555.X
申请日：2013-03-29
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L27/02
Abstract: 本发明公开了一种运用动态衬底电阻技术的自衬底触发ESD保护器件及其应用，多叉指MOS晶体管由多个并联的指状结构构成，其中每一个叉指均存在一个寄生的横向三极管，并且各寄生横向三极管集电极通过共漏极线耦接于集成电路的I/O端或者工作电位端，而寄生横向三极管的发射极与MOS晶体管的栅极、衬底共同连接于公共接地电位端。在每一个MOS晶体管叉指的漏极中存在一个P+扩散区，并将其连接于中间叉指的源端。本发明能够改善ESD防护器件均匀导通特性，适合于集成电路中静电放电（ESD）防护器件的特性提升，可以有效降低MOS晶体管的触发电压，使得大尺寸的多叉指防护器件能够更均匀导通，提高器件的ESD防护能力，节省了版图设计面积，降低开发成本。
-
-
公开(公告)号：CN105278057A
公开(公告)日：2016-01-27
申请号：CN201510764137.9
申请日：2015-11-11
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: G02B6/42
CPC classification number: G02B6/4228 , G02B6/4237 , G02B6/4239 , G02B6/4245
Abstract: 本发明公开了一种近距离自由空间光互连光收发器的安装对准方法，主要解决了激光发射器与激光接收器的安装对准问题。其实现过程是：首先确定光收发器的封装参数，其次根据其参数制作对准支架，然后将激光发射器和激光接收器粘接于对准支架上，最后进行焊接安装。本发明具有对准过程简单、对准精度高的优点。
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
8
records
(took 0.025 seconds)
