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公开(公告)号：CN108732210B
公开(公告)日：2020-07-28
申请号：CN201810524125.2
申请日：2018-05-28
Applicant: 西安交通大学 , 中国工程物理研究院流体物理研究所
Abstract: 本发明公开了一种基于阻抗谱的压电器件结构缺陷检测方法，属于电子技术领域，本发明使用了差异因子来量化不同压电器件之间阻抗谱的差异，通过对一批已知合格和已知不合格样品的差异因子作统计，得到可用于缺陷检测的标准阻抗谱以及阈值。测试新样品的阻抗谱并计算其与标准阻抗谱之间的差异因子，通过新样品差异因子与阈值的比较结果，可以判断新样品是否合格。依靠本方法，可以快速、无损的判断压电器件是否合格。
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公开(公告)号：CN108732210A
公开(公告)日：2018-11-02
申请号：CN201810524125.2
申请日：2018-05-28
Applicant: 西安交通大学 , 中国工程物理研究院流体物理研究所
Abstract: 本发明公开了一种基于阻抗谱的压电器件结构缺陷检测方法，属于电子技术领域，本发明使用了差异因子来量化不同压电器件之间阻抗谱的差异，通过对一批已知合格和已知不合格样品的差异因子作统计，得到可用于缺陷检测的标准阻抗谱以及阈值。测试新样品的阻抗谱并计算其与标准阻抗谱之间的差异因子，通过新样品差异因子与阈值的比较结果，可以判断新样品是否合格。依靠本方法，可以快速、无损的判断压电器件是否合格。
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公开(公告)号：CN118524771A
公开(公告)日：2024-08-20
申请号：CN202410580029.5
申请日：2024-05-11
Applicant: 西安交通大学
IPC: H10N30/853 , H10N30/072 , C30B29/22 , C30B33/00 , C30B33/02 , C30B31/22
Abstract: 本发明涉及铁电单晶技术以及声光电器件技术领域，尤其是硅基铌镁酸铅系单晶压电晶圆结构、制备方法及应用，包括硅衬底，所述硅衬底上依次设置有二氧化硅层和单晶压电薄膜层；所述单晶压电薄膜层为铌镁酸铅系压电单晶，包括二元系PMN‑PT单晶薄膜或三元系PIN‑PMN‑PT单晶薄膜。利用该硅衬底上压电晶圆结构可以制备各种高性能压电MEMS传感器、执行器和电光调制器件。所制备的声表面波滤波器以及薄膜体声波滤波器相对带宽提升超过50％，所制备的电光调制器具有更低的半波电压以及更高的电光调制效率，器件体积可缩小10倍，可更好的应对未来6G通信对MEMS器件更高效、高集成和小型化等要求，为压电MEMS器件和光电器件小型化和集成化提供了一种全新的多层压电晶圆结构。
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公开(公告)号：CN115947598B
公开(公告)日：2024-03-22
申请号：CN202211297267.2
申请日：2022-10-21
Applicant: 西安交通大学
IPC: C04B35/49 , C04B35/457 , C04B35/622 , C04B35/64 , H01G4/12
Abstract: 本发明公开了一种可与贱金属内电极共烧的反铁电材料及其制备方法，通过设计一种可在低烧结温度、低氧含量气氛下烧结的反铁电材料，进而可与贱金属内电极共烧。本发明通过使用传统固相法，通过添加BBSK玻璃，使反铁电材料的陶瓷晶粒得到细化，击穿场强大幅提升至300kV/cm；当添加量为1.2wt％时，反铁电陶瓷的烧结温度由1300℃降至960℃，在空气下烧结，具有高的储能密度3.2J/cm3和储能效率82％；在10‑8atm低氧含量的烧结气氛下，反铁电陶瓷仍具有优异的储能性能，储能密度为2.52J/cm3，储能效率为80％。与当前技术相比，本发明在低烧结温度、低氧含量气氛的烧结环境下仍保持高的储能密度和储能效率，对于制备贱金属内电极的脉冲功率电容器具有重要意义。
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公开(公告)号：CN114637154B
公开(公告)日：2023-12-22
申请号：CN202210190238.X
申请日：2022-02-28
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 本发明公开了一种用于光学相控阵的级联周期性极化电光晶体结构，包括晶体本体，所述晶体本体为级联周期性结构，所述晶体本体沿光传播的方向分为N层，其中，第一层为正电畴，第2层至第N层内均设置有若干正电畴及反电畴，其中，正电畴与反电畴交替分布，最后一层中的各正电畴及反电畴均作为阵元，该结构能够实现较大的偏转角度，且能够满足小型化、高速率的要求。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116334761A
公开(公告)日：2023-06-27
申请号：CN202310340775.2
申请日：2023-03-31
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 本发明公开了一种单畴态弛豫铁电单晶及其制备方法和应用，S1，对与长方体弛豫铁电单晶光学面两个短边垂直的两个侧面镀电极，然后在室温下进行极化处理，得到工程畴弛豫铁电单晶；S2，对与工程畴弛豫铁电单晶光学面两个长边垂直的的两个侧面镀电极，然后在室温下进行极化处理，得到单畴态弛豫铁电单晶。简化了工艺流程，实现高性能多畴铁电单晶的高度单畴化，所得样品光学性能稳定。
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公开(公告)号：CN114637154A
公开(公告)日：2022-06-17
申请号：CN202210190238.X
申请日：2022-02-28
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 本发明公开了一种用于光学相控阵的级联周期性极化电光晶体结构，包括晶体本体，所述晶体本体为级联周期性结构，所述晶体本体沿光传播的方向分为N层，其中，第一层为正电畴，第2层至第N层内均设置有若干正电畴及反电畴，其中，正电畴与反电畴交替分布，最后一层中的各正电畴及反电畴均作为阵元，该结构能够实现较大的偏转角度，且能够满足小型化、高速率的要求。
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公开(公告)号：CN112563040B
公开(公告)日：2021-12-28
申请号：CN202011435995.6
申请日：2020-12-10
Applicant: 西安交通大学
IPC: H01G11/50 , H01G11/56 , H01G11/84 , H01G11/86 , C04B35/50 , C04B35/462 , C04B35/495 , C04B35/622 , C04B35/01 , C04B35/457 , C04B35/46 , C04B35/453
Abstract: 本发明公开了一种陶瓷双电层电容器及其制备方法包括至少两个导体层以及至少一个电解质层，相邻两个导体层之间设置有一个电解质层；每个导体层均为半导体导电陶瓷；每个电解质层均为无机固态电解质陶瓷。本发明具有较大的耐压、低的介电损耗、高的电容量和良好的安全性。将固态电解质和半导体陶瓷相结合，可设计多种新型储能器件，实现二者之间界面的有效控制，适用于大容量的储能技术及高耐压电容器技术领域。
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公开(公告)号：CN113388892A
公开(公告)日：2021-09-14
申请号：CN202110541056.8
申请日：2021-05-18
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 本发明公开了一种钛扩散制备铌镁酸铅钛酸铅光波导的方法，对PMN‑PT单晶样品进行抛光，得到具有平整、无划痕的光学级表面的基片，清洗后利用光刻工艺制备特定图案的钛金属膜，将表面附着钛金属膜的单晶基片放在氧化铝板上，并将氧化铝板放在底部均匀撒上氧化铅粉末的氧化铝坩埚中，在湿氧环境下进行退火扩散后得到PMN‑PT晶体光波导。本发明的工艺步骤简单、易于操作、重复性好，制备出的PMN‑PT晶体光波导用于电光调制器件中能够有效降低驱动电压和器件尺寸，具有十分重要的应用价值。
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公开(公告)号：CN107935593B
公开(公告)日：2021-08-13
申请号：CN201711385326.0
申请日：2017-12-20
Applicant: 西安交通大学
IPC: C04B35/495 , C04B35/626 , C04B35/638 , C04B41/88
Abstract: 本发明公开了一种具有超低滞回电致应变铁电陶瓷材料及其制备方法，属于铁电陶瓷材料制备技术领域。该陶瓷介质材料的化学组成为(Na0.85Ba0.15)(Nb0.85Ti0.15‑xFex)O3，x为0.01～0.02。该铁电陶瓷材料可以在较低的温度下采用固相反应法制备合成，得到一种致密度高，具有超低滞回电致应变的铁电陶瓷。在30～120℃之间，测试电场最大值为60kV/cm时，其等效压电常数Smax/Emax为135到190pm/V，滞回度在所有温度点均小于10％。本发明的成分及工艺步骤简单、易于操作、重复性好。可以应用于对温度稳定性有高要求的高精度驱动器上，具有重大的经济价值。
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